柔性電子器件及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開一種柔性電子器件的制造方法。包括如下步驟：提供剛性襯底，在所述剛性襯底上依次制作形成光響應(yīng)離型層、犧牲層及柔性襯底本體；在所述柔性襯底本體上依次形成的電子器件制作顯示單元及封裝薄膜；對所述光響應(yīng)離型層一側(cè)施加紫外光，使所述光響應(yīng)離型層發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲；將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應(yīng)離型層從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底分離的部分光響應(yīng)離型層、犧牲層、柔性襯底本體、電子器件以及封裝薄膜共同形成所述柔性電子器件。本發(fā)明專利技術(shù)提供的柔性電子器件的制造方法，具有剝離無損傷的特點，能提高電子器件的性能。本發(fā)明專利技術(shù)還提供一種由該制造方法制造得到的柔性電子器件。

Flexible electronic device and manufacturing method thereof

The invention discloses a method for manufacturing flexible electronic devices. Includes the steps of: providing a rigid substrate, forming light responsive release layer, the sacrificial layer and a flexible substrate in the body in a rigid substrate; electronic devices are formed on the flexible substrate on the body making a display unit and a packaging film; the light response from the type layer side by applying the UV light. Light response from the type of molecular configuration layer generated from warping; will have warp the light response from the type layer from the rigid substrate stripping, together form the flexible electronic device is separated from the rigid substrate part of the light response from the type of layer, the sacrificial layer, the flexible substrate, and electronic device packaging film. The manufacturing method of the flexible electronic device provided by the invention has the characteristics of no peeling and no damage, and can improve the performance of the electronic device. The invention also provides a flexible electronic device produced by the manufacturing method.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
柔性電子器件及其制造方法
本專利技術(shù)涉及發(fā)光二極管顯示裝置
，具體涉及一種柔性電子器件及其制造方法。
技術(shù)介紹
有機發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)裝置可以作為顯示裝置及照明裝置的發(fā)光來源，已得到越來越廣泛的應(yīng)用，尤其在電子產(chǎn)品
其中，可任意彎折的柔性O(shè)LED顯示技術(shù)是未來智能手機的發(fā)展技術(shù)方向，具有廣闊的應(yīng)用前景。三星S6Edge產(chǎn)品即應(yīng)用了柔性O(shè)LED顯示裝置，可實現(xiàn)邊緣彎折和窄邊框顯示，用戶體驗好。柔性O(shè)LED裝置的制作工藝中，以剛性襯底作為載臺，并在剛性襯板上完成OLED裝置的制作，從而保證柔性O(shè)LED裝置制作的平整度，從而保證其產(chǎn)品性能。柔性O(shè)LED裝置制作完成后，其附著于所述剛性襯底上，然后將柔性O(shè)LED裝置與所述剛性襯板進(jìn)行分離，得到柔性O(shè)LED裝置。相關(guān)技術(shù)中，所述柔性O(shè)LED裝置與所述剛性襯底的分離采用308nmXeCl激光作為熱源，將激光聚焦掃描到所述柔性O(shè)LED裝置與所述剛性襯板的界面處，由于所述剛性襯底不吸收激光而所述柔性O(shè)LED裝置的柔性襯底能夠吸收激光而轉(zhuǎn)化為高溫，并將界面處的化學(xué)鍵高溫分解掉，從而實現(xiàn)兩者的分離。該分離技術(shù)能夠在一定程度上實現(xiàn)所述OLED裝置與所述剛性襯底的快速分離，同時也存在很大的技術(shù)風(fēng)險，表現(xiàn)為：1、所述柔性O(shè)LED裝置表面損傷。采用308nmXeCl的激光鐳射剝離技術(shù)，其核心的技術(shù)原理是采用紫外激光將柔性襯底與剛性襯底界面處的共價化學(xué)鍵通過吸收激光轉(zhuǎn)化為熱分解的方式進(jìn)行高溫分解，這種方案一定程度上對激光剝離后的柔性襯底產(chǎn)生了機械損傷(例如，表面灼燒)，制備后的柔性O(shè)LED裝置在彎曲機械測試時不合格。2、柔性襯底阻隔性能降低。由于激光鐳射后的柔性襯底已經(jīng)部分發(fā)生高溫化學(xué)分解，柔性襯底的厚度或表面性能受到損傷，水氧分子容易從這一側(cè)浸透進(jìn)入OLED單元，使OLED單元氧化，產(chǎn)品性能劣化。如果為了彌補這一缺陷，需要進(jìn)一步增加柔性襯底表面的無機阻隔層，工序較為復(fù)雜。3、異物“爆炸”。由于相關(guān)技術(shù)中的柔性襯底一般是PI聚酰亞胺，通過旋涂單體和高溫固化形成的高分子薄膜，其成膜環(huán)境中經(jīng)常掉入環(huán)境異物P/T，這些環(huán)境異物P/T就會殘留在柔性襯底里面。當(dāng)紫外鐳射激光掃到這些異物P/T時，由于能量聚集產(chǎn)生高溫，會將這些異物瞬間灰化而產(chǎn)生“爆炸”，導(dǎo)致柔性襯底上制作的電路失效。因此，有必要提供一種新的工藝解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是克服上述技術(shù)問題，提供一種剝離無損傷的柔性電子器件的制造方法，能提高電子器件的性能。本專利技術(shù)的技術(shù)方案是：一種柔性電子器件的制造方法，包括如下步驟：提供剛性襯底，在所述剛性襯底上依次制作形成光響應(yīng)離型層、犧牲層及柔性襯底本體；在所述柔性襯底本體上依次形成的電子器件及封裝薄膜；對所述光響應(yīng)離型層一側(cè)施加紫外光，使所述光響應(yīng)離型層發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲；將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應(yīng)離型層從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底分離的部分光響應(yīng)離型層、犧牲層、柔性襯底本體、電子器件以及封裝薄膜共同形成所述柔性電子器件。優(yōu)選的，所述光響應(yīng)離型層為對300-400nm波段紫外光響應(yīng)的光致異構(gòu)體分子層。優(yōu)選的，所述光響應(yīng)離型層材料為偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一種。優(yōu)選的，所述光響應(yīng)離型層材料為偶氮苯聚酰亞胺衍生物。優(yōu)選的，所述犧牲層為無機阻隔薄膜層，其材料為氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物中的至少一種。優(yōu)選的，所述犧牲層的材料為SiOx或/和SiN。優(yōu)選的，所述柔性襯底主體材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂或聚碳酸酯中的一種。優(yōu)選的，紫外光的波長為300-400nm。本專利技術(shù)還提供一種柔性電子器件，由所述柔性電子器件的制造方法制造得到。優(yōu)選的，所述柔性電子器件為有機發(fā)光二極管、柔性液晶顯示器或無機納米量子點顯示器。與相關(guān)技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供的柔性電子器件的制造方法，具有如下有益效果：一、無損傷剝離。在所述剛性襯底和所述柔性襯底主體之間增加光響應(yīng)離型層和犧牲層，使所述剛性襯底和所述柔性襯底主體緊密結(jié)合起來，且使剝離工藝發(fā)生變化，具體為：對所述光響應(yīng)離型層一側(cè)施加特定波長的紫外光，使得所述光響應(yīng)離型層發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化，如由反式異構(gòu)體轉(zhuǎn)化成順式異構(gòu)體，從而發(fā)生翹曲；然后通過刀片或蝕刻液剝離技術(shù)，將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應(yīng)離型層從所述剛性襯底剝離，而不損害所述柔性襯底本體的性能；當(dāng)進(jìn)行剝離工藝時，所述犧牲層用于保護(hù)所述柔性襯底主體的完整性，并進(jìn)一步增加所述柔性襯底本體的氣體分子阻隔性。二、所述柔性電子器件的制造工藝中，因采用無損傷的剝離技術(shù)，從而提高電子器件的性能，如水氧阻隔能力；同時，因采用紫外光進(jìn)行剝離工藝，不會產(chǎn)生異物灰化的現(xiàn)象，從而保證了在所述柔性襯底本體上制作的電路的有效性。三、設(shè)備成本低。本專利技術(shù)提供的柔性電子器件的制造方法，采用光響應(yīng)剝離技術(shù)實現(xiàn)電子器件與剛性襯底的剝離，只需一臺紫外掃描儀對產(chǎn)品進(jìn)行光照，與相關(guān)技術(shù)中采用激光剝離技術(shù)相比，設(shè)備成本低。【附圖說明】圖1示出了本專利技術(shù)提供的柔性電子器件的制造方法；圖2為采用圖1所示的制造工藝得到的柔性電子器件的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】下面將結(jié)合附圖和實施方式對本專利技術(shù)作進(jìn)一步說明。請參閱圖1，為本專利技術(shù)提供的柔性電子器件的制造方法的工藝流程圖。所述柔性電子器件的制造方法，包括如下步驟：步驟S1：提供剛性襯底11，在所述剛性襯底11上依次制作形成光響應(yīng)離型層12、犧牲層13及柔性襯底本體14(參閱圖1(a)、(b))；具體的，通過在所述剛性襯底11上涂敷所述光響應(yīng)離型層12的前軀體，然后通過高溫固化的方式形成反式異構(gòu)體結(jié)構(gòu)的所述光響應(yīng)離型層12；再在所述光響應(yīng)離型層12上沉積形成所述犧牲層13；然后再按照常規(guī)發(fā)光二極管技術(shù)依次制作成型所述柔性襯底主體14；其中，所述剛性襯底11作為載臺，保證電子器件制作的平整度，其材料可以為玻璃、金屬、硅片或其它材料。所述光響應(yīng)離型層12是一種對特定光線響應(yīng)的高分子材料層，吸收特定光線后，所述光響應(yīng)離型層12發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化，從而產(chǎn)生翹曲，方便與所述剛性襯底11分離。其中，特定光線為300-400nm波段紫外光；且所述光響應(yīng)離型層12的材料為偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一種；優(yōu)選為偶氮苯衍生物。偶氮苯衍生物是一種典型的光致異構(gòu)體分子，在高溫制程中可以保持相對耐熱性，以保證完成所述柔性襯底主體14上的電路制作。反式異構(gòu)體的偶氮苯及其衍生物，兩個偶氮苯分子間距較長，約為0.9nm，熱力學(xué)結(jié)構(gòu)較穩(wěn)定，適合后續(xù)的高溫制程。當(dāng)施加波長為315nm的紫外光照射反式異構(gòu)體時，反式異構(gòu)體將發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化，形成順式異構(gòu)體。順式異構(gòu)體的偶氮苯及其衍生物，兩個偶氮苯分子間距較短，約縮短一半分子間距。反式異構(gòu)體轉(zhuǎn)化為順式異構(gòu)體宏觀表現(xiàn)為材料與附著物發(fā)生翹曲，減弱與附著物的粘性。偶氮苯衍生物光響應(yīng)原理如下：特別優(yōu)選的，所述光響應(yīng)離型層12的材料為偶氮苯聚酰亞胺衍生物。通過在所述剛性襯底11上涂敷偶氮苯聚酰亞胺單體，然后通過高溫固化形成反式偶氮苯聚酰亞胺離型層。所述犧牲層13為無機阻隔薄膜層，形成于所述本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種柔性電子器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：提供剛性襯底，在所述剛性襯底上依次制作形成光響應(yīng)離型層、犧牲層及柔性襯底本體；在所述柔性襯底本體上依次形成的電子器件及封裝薄膜；對所述光響應(yīng)離型層一側(cè)施加紫外光，使所述光響應(yīng)離型層發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲；將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應(yīng)離型層從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底分離的部分光響應(yīng)離型層、犧牲層、柔性襯底本體、電子器件以及封裝薄膜共同形成所述柔性電子器件。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種柔性電子器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：提供剛性襯底，在所述剛性襯底上依次制作形成光響應(yīng)離型層、犧牲層及柔性襯底本體；在所述柔性襯底本體上依次形成的電子器件及封裝薄膜；對所述光響應(yīng)離型層一側(cè)施加紫外光，使所述光響應(yīng)離型層發(fā)生分子構(gòu)型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲；將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應(yīng)離型層從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底分離的部分光響應(yīng)離型層、犧牲層、柔性襯底本體、電子器件以及封裝薄膜共同形成所述柔性電子器件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性電子器件的制造方法，其特征在于，所述光響應(yīng)離型層為對300-400nm波段紫外光響應(yīng)的光致異構(gòu)體分子層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性電子器件的制造方法，其特征在于，所述光響應(yīng)離型層材料為偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一種。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柔性電子器件的制造方法，其特征在于，所述光響...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：謝再鋒，
申請(專利權(quán))人：瑞聲科技南京有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇,32