本發明專利技術的目的在于提供一種能夠實現大容量化并且能夠容易地制造的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。本發明專利技術具有：板狀的電極部件即板電極（5）；在板電極（5）上設置的作為一體化絕緣片的環氧片（3）；以及在環氧片（3）上設置的作為控制基板的雙面印刷基板（1），本發明專利技術具有將板電極（5）和雙面印刷基板（1）通過環氧片（3）形成為一體的基板一體型電極（10）。
Semiconductor device and method of manufacturing the same
The purpose of the invention is to provide a large capacity and can realize the method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured easily. The present invention has: electrode plate or plate electrode parts (5); in the plate electrode (5) arranged on the insulating sheet as the integration of epoxy sheet (3); and (3) is arranged on the epoxy sheet as the substrate double-sided printing control board (1), the present invention has the plate electrode (5) and double-sided printing substrate (1) by epoxy sheet (3) formed as a whole body electrode (10).
【技術實現步驟摘要】
半導體裝置及其制造方法
本專利技術涉及半導體裝置及半導體裝置的制造方法。
技術介紹
作為功率用半導體裝置的功率MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor））或IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）等半導體裝置的封裝件，考慮到制造成本及生產率等方面，大多以通過傳遞模塑成型實現的樹脂封裝形成。在功率用半導體裝置中使用其主流基材即Si（硅）及SiC（碳化硅）的情況下，也大多通過傳遞模塑成型進行樹脂封裝。例如，在專利文獻1中公開了一種樹脂封裝的半導體裝置。此外，公開了一種在專利文獻1的情況下考慮到裝置小型化及配線便利性，而使直立在封裝樹脂表面上的電極露出的構造。另外，在專利文獻2中，在傳遞模塑成型的半導體裝置中，為了減少功率損耗，代替將發射極電極和引線端子經由接合線連接，使用將電極之間直接連接的直接引線接合方式。另外，將直立地接合在配置于芯片上的板電極上的電極柱，設置為露出至外部。關于功率用半導體裝置，在將以SiC為代表的能夠在高溫下動作的材料作為基材的元件的應用方面推進開發，要求能夠實現高溫動作、并且能夠大容量化的構造。在上述半導體裝置中，在希望以不增大裝置尺寸的狀態進一步實現大容量化的情況下，例如，如在專利文獻3中公開所示，需要通過在控制基板的下方配置半導體元件的電極等而有效地利用裝置內的空間。專利文獻1：日本專利第5012772號公報專利文獻2：日本特開2012-74543號公報專利文獻3：日本特開2006-303006號公報但是，在專利文獻3中公開的這種構造中，在控制基板和半導體元件之間具有經由引線框架進行的連接等，從而存在容易使制造工序變得復雜的問題。
技術實現思路
本專利技術就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種能夠實現大容量化，并且能夠容易地制造的半導體裝置及半導體裝置的制造方法。本專利技術的一個方式涉及的半導體裝置具有：板狀的電極部件；在所述電極部件上設置的一體化絕緣片；以及在所述一體化絕緣片上設置的控制基板，該半導體裝置的特征在于，具有使所述電極部件和所述控制基板通過所述一體化絕緣片形成為一體的基板一體型電極。本專利技術的一個方式涉及的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：（a）在板狀的電極部件上設置一體化絕緣片的工序；（b）在所述一體化絕緣片上設置控制基板，將所述電極部件和所述控制基板經由所述一體化絕緣片形成為一體的工序；以及（c）將在所述工序（b）中形成為一體而得到的基板一體型電極與半導體元件電連接的工序。專利技術的效果根據本專利技術的上述方式，具有經由一體化絕緣片將電極部件和控制基板形成為一體的基板一體型電極，從而能夠實現大容量化，并且，能夠容易地制造。附圖說明圖1是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。圖2是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。圖3是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。圖4是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。圖5是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極的制造工序的圖。圖6是本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的俯視圖。圖7是本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的剖視圖。圖8是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖9是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖10是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖11是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖12是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖13是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖14是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖15是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖16是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖17是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的圖。圖18是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖19是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖20是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖21是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖22是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖23是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖24是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖25是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖26是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖27是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖28是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖29是表示本專利技術的實施方式涉及的半導體裝置的制造工序的其他方式的圖。圖30是本專利技術的實施方式涉及的變形例的半導體裝置的俯視圖。圖31是本專利技術的實施方式涉及的變形例的半導體裝置的剖視圖。圖32是本專利技術的前提技術涉及的半導體裝置的俯視圖。圖33是本專利技術的前提技術涉及的半導體裝置的剖視圖。標號的說明1雙面印刷基板，2控制電路圖案，3環氧片，4屏蔽體，5、25板電極，6阻焊層，10、10A基板一體型電極，12功率用半導體裝置，13鋁導線，14散熱片，15絕緣層，16基底板，17模塑樹脂，18電極塊，19陽極端子，20陰極端子，21控制端子，22基板，23開口部，24接合材料，26接合部，100、101、102半導體裝置。具體實施方式以下，參照附圖，說明本專利技術的實施方式。此外，在本說明書中，使用了上表面或下表面等用語，但這些用語是為了方便區分各表面而使用的，與實際的上下左右方向沒有關系。<實施方式><基板一體型電極的制造方法>圖1～5是表示本專利技術的本實施方式涉及的半導體裝置中的基板一體型電極10的制造工序的圖。首先如圖1所示，在雙面印刷基板1的兩個表面上制作控制電路圖案2。控制電路圖案2例如由銅材料構成。接著，如圖2所示，在雙面印刷基板1的下表面側設置由環氧樹脂構成的環氧片3，然后在環氧片3的下表面側設置板電極5。環氧片3是例如使在印刷基板中使用的玻璃纖維布浸漬環氧樹脂而得到的環氧預浸料，利用設置在環氧片3的表面或內部的由銅板或網格狀的銅材料構成的屏蔽體4進行加強。此外，屏蔽體4不是必需的結構，但通過具有該結構，能夠降低SiC設備等在進行高頻切換時可能產生的噪聲。板電極5由銅材料構成，是流過主電流的電極。而且，在雙面印刷基板1的上表面側對由阻絕劑、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺或聚酰亞胺構成的阻焊層6進行圖案化。阻焊層6以覆蓋控制電路圖案2的方式設置，但不設置在控制電路圖案2的導線接合部W以及在后續工序中進行沖裁加工的部分。通過使控制電路圖案2由阻焊層6覆蓋，從而抑制在后續工序中設置的模塑樹脂17剝離。即，抑制下述情況：在通過傳遞模塑成型設置模塑樹脂17時的熱循環中，由于模塑樹脂17的線膨脹系數、控制電路圖案2的材料即Cu材料本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種半導體裝置，其具有：板狀的電極部件；在所述電極部件上設置的一體化絕緣片；以及在所述一體化絕緣片上設置的控制基板，該半導體裝置的特征在于，具有使所述電極部件和所述控制基板通過所述一體化絕緣片形成為一體的基板一體型電極，所述基板一體型電極被用作與半導體元件電連接的電極。
【技術特征摘要】
2013.02.06 JP 2013-0210361.一種半導體裝置，其具有：板狀的電極部件；在所述電極部件上設置的一體化絕緣片；以及在所述一體化絕緣片上設置的控制基板，該半導體裝置的特征在于，具有使所述電極部件和所述控制基板通過所述一體化絕緣片形成為一體的基板一體型電極，所述基板一體型電極被用作與半導體元件電連接的電極。2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述控制基板在其兩個表面上具有電路圖案，該半導體裝置還具有上表面阻絕層，該上表面阻絕層設置在所述控制基板上表面，對所述電路圖案進行覆蓋。3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還具有下表面阻絕層，該下表面阻絕層設置在與設有所述上表面阻絕層的位置對應的所述電極部件下表面。4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述一體化絕緣片在其表面或內部具有板狀或網格狀的金屬屏蔽層。5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還具有半導體元件，該半導體元件與所述基板一體型電極電連接。6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述基板一體型電極與所述半導體元件接合，在該接合的部分的周邊形成有開口部。7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述基板一體型電極與所述半導體元件接合，在該接合的接合部處朝向所述半導體元件側形成有凸形狀。8...
【專利技術屬性】
技術研發人員：山口義弘，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本,JP
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