晶體配位化合物及其制法以及含有它的組合物制造技術(shù)

＊＊＊ （Ⅰ） 本發(fā)明專利技術(shù)涉及式Ⅰ的晶體配位化合物，其中各符號與權(quán)利要求１中定義的相同。該化合物用作保護(hù)金屬表面用的涂料組合物中的緩蝕劑。（*該技術(shù)在2015年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
?用作緩蝕劑的嗎啉衍生物與酮酸的配合物本專利技術(shù)涉及嗎啉衍生物與酮酸的配合物，包括成膜粘合劑、優(yōu)選油漆系統(tǒng)和新型緩蝕劑的涂料組合物，及其在用于保護(hù)金屬表面的涂料組合物中的用途。使用酮酸的堿金屬、銨和胺鹽作為水系統(tǒng)中的緩蝕劑是已知的，在US—A—4909987，US—A—知5128396或EP—A—496555中有公開。在EP—A—300325的實(shí)施例7中敘述，一當(dāng)量3—苯甲酰丙酸與一當(dāng)量嗎啉在乙醇中反應(yīng)得到預(yù)期由一份酸和一份堿構(gòu)成的晶體鹽。現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)，在無溶劑或質(zhì)子惰性溶劑存在下，酮酸與嗎啉衍生物反應(yīng)得到由兩份酸和僅一份堿構(gòu)成的晶體配位化合物。這類晶體配位化合物在用于保護(hù)金屬表面以及預(yù)處理金屬基材的涂料組合物中特別適用作緩蝕劑。這類晶體配位化合物不會(huì)造成與油漆系統(tǒng)、特別是水基油漆系統(tǒng)反應(yīng)，而且在涂料組合物中具有優(yōu)良的貯存穩(wěn)定-->性。它們同樣適用于臨時(shí)及永久性防銹。這些油漆系統(tǒng)也顯示了優(yōu)良的濕粘接強(qiáng)度。因此，本專利技術(shù)涉及式I的晶體配位化合物：其中R1，R2，R3，R4和R5各自獨(dú)立地是氫，鹵素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12環(huán)烷基，C2—C15鏈烯基，C1—C12鹵烷基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基；未取代的C7—C12芳烷基或C7—C12芳烷基(芳基部分被1—3個(gè)C1—C4烷基取代)；—CO2R6，—COR6或，條件是R1—R5中至少一個(gè)是氫，鹵素或C1—C15烷基；且各對取代基R1和R2，R2和R3，R3和R4或R4和R5與所連碳原子一起形成苯或環(huán)己烯基環(huán)，R6是C1—C20烷基，被氧、硫或間隔的C2—C20烷基、未取代的C7—C12芳烷基或在芳基部分中被1—3個(gè)C1-4烷基取代的C7—C12芳烷基；R7和R8各自獨(dú)立地是氫、C1—C24烷基或被氧、硫或—R9間隔的C2—C24烷基，R9是氫或C1—C8烷基，R10是C1—C15烷-->基，被氧、硫或間隔的C2—C20烷基；C5—C12環(huán)烷基，C2—C5鏈烯基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基，未取代的C7—C12芳基烷基或在芳基部分上被1—3個(gè)C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基；以及m是2—5的整數(shù)。鹵素一般意指氟、氯、溴或碘。優(yōu)選的鹵素取代基是氟、氯或溴。氯或溴特別優(yōu)選。至多含24個(gè)碳原子的烷基是支鏈或非支鏈基團(tuán)，一般包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、2—乙基丁基、正戊基、異戊基、1—甲基戊基、1，3—二甲基丁基、正己基、1—甲基己基、正庚基、異庚基、1，1，3，3—四甲基丁基、1—甲基庚基、3—甲基庚基、正辛基、2—乙基己基、1，1，3—三甲基己基，1，1，3，3—四甲基戊基、壬基、癸基、十一烷基、1—甲基十一烷基、十二烷基、1，1，3，3，5，5—六甲基己基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、二十烷基或二十二烷基。優(yōu)選的烷基含有1—12個(gè)、特別是1—8個(gè)碳原子。R3優(yōu)選的定義是C1—C4烷基，特別是甲基。R10優(yōu)選的定義是C1—C4烷基、特別是乙基。C5—C12環(huán)烷基一般是環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、環(huán)癸基或環(huán)十二烷基。優(yōu)選環(huán)己基。C2—C15鏈烯基是支鏈或非支鏈基團(tuán)，如乙烯基、2—丙烯基(烯丙基)、2—丁烯基、3—丁烯基、異丁烯基、正—2，4—戊二烯基、3—甲-->基—2—丁烯基、正—2—辛烯基、正—2—十二烯基或異十二烯基。優(yōu)選鏈烯基含有3—12個(gè)、特別是3—8個(gè)(如3—6個(gè))、最佳3—4個(gè)碳原子。至多含12個(gè)碳原子的鹵烷基是支鏈或非支鏈基團(tuán)，如氯甲基、溴乙基、氟丙基、氯戊基、氯己基、氯辛基、氯癸基或氯十二烷基。鹵烷基優(yōu)選含3—8個(gè)、特別是3—6個(gè)碳原子。至多含12個(gè)碳原子的烷氧基是支鏈或非支鏈基團(tuán)，如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基或癸氧基。優(yōu)選烷氧基含1—8個(gè)、特別是1—4個(gè)碳原子。至多含12個(gè)碳原子的烷硫基是支鏈或非支鏈基團(tuán)，如甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、戊硫基、異戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、癸硫基或十二烷硫基。優(yōu)選烷硫基含1—8個(gè)、特別是1—4個(gè)碳原子。未取代的或最好帶有1—3個(gè)、特別是1或2個(gè)烷基的C1—C4烷基取代的C6—C9芳基一般是苯基、萘基、O—、m—、p—甲基苯基、2，3—二甲基苯基、2，4—二甲基苯基、2，5—二甲基苯基、2，6—二甲基苯基、3，4—二甲基苯基、3，5—二甲基苯基、2—甲基—6—乙基苯基、4—叔丁基苯基、2—乙基苯基、2，6—二乙基苯基、2—甲基萘基、1—甲基萘基、4—甲基萘基、2—乙基萘基或2，6—二乙基萘基。未取代的或最好帶有1—3個(gè)、特別是1或2個(gè)烷基的C1—C4-->烷基取代的C6—C10芳氧基一般是苯氧基、萘氧基、O—、m—、p—甲基苯氧基、2，3—二甲基苯氧基、2，4—二甲基苯氧基、2，5—二甲基苯氧基、2，6—二甲基苯氧基、3，4—二甲基苯氧基、3，5—二甲基苯氧基、2—甲基—6—乙基苯氧基、4—叔丁基苯氧基、2—乙基苯氧基、2，6—二乙基苯氧基、2—甲基萘氧基、1—甲基萘氧基、4—甲基萘氧基、2—乙基萘氧基或2，6—二乙基萘氧基。未取代的或在芳基部分中被1—3個(gè)C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基一般是苯基—C1—C4烷基或萘基—C1—C2烷基，如芐基、4—甲基芐基、4—叔丁基芐基、2，4—二甲基芐基、α—甲基芐基、α，α—二甲基芐基、2—苯基乙基、2—萘基甲基、1—萘基甲基、1—萘基乙基或2—萘基乙基。優(yōu)選芐基。被氧、硫或間隔的至多含2—24個(gè)碳原子的烷基一般可以是????????CH3-O-CH2-，CH3-S-CH2-，CH3-NH-CH2-，CH3-N(CH3)-CH2-，CH3-O-CH2CH2-O-CH2-，CH3-(O-CH2CH2-)2O-CH2-，CH3-(O-CH2CH2-)3O-CH2-orCH3-(O-CH2CH2-)4O-CH2-。優(yōu)選其中R1—R5中至少兩個(gè)是氫的式I晶體配位化合物I。式I中的m優(yōu)選2—4，最佳2。-->特別優(yōu)選的式I晶體配位化合物中R1為氫，R2，R3，R4和R5各自獨(dú)立地是氫，氯，溴，硝基，氰基，CF3，C1—C8烷基，C5—C7環(huán)烷基，C3—C8鏈烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基，芐基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C12烷基，被氧間隔的C2—C12烷基；或芐基，以及R7和R8各自獨(dú)立地是氫，C1—C8烷基或被氧間隔的C2—C12烷基。其中R10是C1—C8烷基，被氧或硫間隔的C3—C12烷基；C5—C7環(huán)烷基，C3—C8鏈烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基或芐基的式I晶體配位化合物也是特別優(yōu)選的。進(jìn)一步特別優(yōu)選的式I晶體配位化合物中R1，R2和R4為氫，R3和R5各自獨(dú)立地是氫，氯，溴，CF3，C1—C8烷基，環(huán)己基，C1—C8烷氧基，苯基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C8烷基，R7和R8各本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
式Ⅰ的晶體配位化合物＊＊＊ （Ⅰ）其中Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］，Ｒ↓［３］，Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］各自獨(dú)立地是氫，鹵素，硝基，氰基，ＣＦ↓［３］，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基，Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］環(huán)烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［１５］鏈 烯基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］鹵烷基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷氧基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷硫基，未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳氧基；未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基或Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基（芳基部分被１－３個(gè)Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代）；－ＣＯ↓［２］Ｒ↓［６］，－ＣＯＲ↓［６］或－＊＊＊，條件是Ｒ↓［１］－Ｒ↓［５］中至少一個(gè)是氫，鹵素或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基；且各對取代基Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］，Ｒ↓［２］和Ｒ↓［３］，Ｒ↓［３］和Ｒ↓［４］或Ｒ↓［４］和Ｒ↓［５］與所連碳原子一起形成苯或環(huán)己烯基環(huán)，Ｒ↓［６］是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２０］烷基，被氧、硫或＊＊＊－Ｒ↓［９］間隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］烷基、未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基或在芳基部分中被１－３個(gè)Ｃ↓［１－４］烷基取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基；Ｒ↓［７］和Ｒ↓［８］各自獨(dú)立地是氫、Ｃ↓［１］－Ｃ↓［２４］烷基或被氧、硫或＊＊＊－Ｒ↓［９］間隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２４］烷基，Ｒ↓［９］是氫或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［８］烷基，Ｒ↓［１０］是Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１５］烷基，被氧、硫或＊＊＊－或－Ｒ↓［９］間隔的Ｃ↓［２］－Ｃ↓［２０］烷基；Ｃ↓［５］－Ｃ↓［１２］環(huán)烷基，Ｃ↓［２］－Ｃ↓［５］鏈烯基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷氧基，Ｃ↓［１］－Ｃ↓［１２］烷硫基，未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳基；未取代的或Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［６］－Ｃ↓［１０］芳氧基，未取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳基烷基或在芳基部分上被１－３個(gè)Ｃ↓［１］－Ｃ↓［４］烷基取代的Ｃ↓［７］－Ｃ↓［１２］芳烷基；以及ｍ是２－５的整數(shù)。...

【技術(shù)特征摘要】
CH 1994-1-18 149/941.??式I的晶體配位化合物其中R1，R2，R3，R4和R5各自獨(dú)立地是氫，鹵素，硝基，氰基，CF3，C1—C15烷基，C5—C12環(huán)烷基，C2—C15鏈烯基，C1—C12鹵烷基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳氧基；未取代的C7—C12芳烷基或C7—C12芳烷基(芳基部分被1—3個(gè)C1—C4烷基取代)；—CO2R6，—COR6或，條件是R1—R5中至少一個(gè)是氫，鹵素或C1—C15烷基；且各對取代基R1和R2，R2和R3，R3和R4或R4和R5與所連碳原子一起形成苯或環(huán)己烯基環(huán)，R6是C1—C20烷基，被氧、硫或間隔的C2—C20烷基、未取代的C7—C12芳烷基或在芳基部分中被1—3個(gè)C1-4烷基取代的C7—C12芳烷基；R7和R8各自獨(dú)立地是氫、C1—C24烷基或被氧、硫或間隔的C2—C24烷基，R9是氫或C1—C8烷基，R10是C1—C15烷基，被氧、硫或或—R9間隔的C2—C20烷基；C5—C12環(huán)烷基，C2—C5鏈烯基，C1—C12烷氧基，C1—C12烷硫基，未取代的或C1—C4烷基取代的C6—C10芳基；未取代的或C1—C4烷基取代的C9—C10芳氧基，未取代的C7—C12芳基烷基或在芳基部分上被1—3個(gè)C1—C4烷基取代的C7—C12芳烷基；以及m是2—5的整數(shù)。2.??按照權(quán)利要求1的晶體配位化合物，其中R1—R6的至少兩個(gè)是氫。3.??按照權(quán)利要求1的晶體配位化合物，其中，R1是氫，R2，R3，R4和R5各自獨(dú)立地是氫，氯，溴，硝基，氰基，CF3，C1—C8烷基，C5—C7環(huán)烷基，C3—C8鏈烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基，芐基，—CO2R6，—COR6或，R6是C1—C12烷基，被氧間隔的C2—C12烷基；或芐基，且R7和R8各自獨(dú)立地是氫，C1—C8烷基或被氧間隔的C2—C12烷基。4.??按照權(quán)利要求1的晶體配位化合物，其中R10是C1—C8烷基，被氧或硫間隔的C3—C12烷基，C5—C7環(huán)烷基，C3—C8鏈烯基，C1—C8烷氧基，C1—C8烷硫基，苯基，苯氧基或芐基。5....

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：A克雷默，A布雷格，
申請(專利權(quán))人：希巴特殊化學(xué)控股公司，
類型：發(fā)明
國別省市：CH[瑞士]