一種OLED顯示器件制備方法技術

本發明專利技術屬于新型平板顯示技術領域，具體涉及一種OLED顯示器件制備方法，包括以下步驟：（1）制備OLED顯示器件基板；（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；（3）在陽極層表面制備有機發光層，在有機發光層表面制備透明陰極層；（4）聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物納米紡絲圖案，在聚合物納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復合薄膜散射層，將復合薄膜散射層貼合在透明陰極層一側；（5）以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的疏水層，以選擇性原子沉淀方式在所述復合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層。本發明專利技術制備的OLED顯示器件能顯著提高光輸出效率。

A Method of Preparing OLED Display Device

The invention belongs to the field of new flat panel display technology, and specifically relates to a preparation method of OLED display devices, including the following steps: (1) preparing the substrate of OLED display devices; (2) preparing TiNx film anode layer by magnetron sputtering and covering the substrate; (3) preparing organic light-emitting layer on the surface of the anode layer and preparing transparent cathode layer on the surface of the organic light-emitting layer; (4) preparing transparent cathode layer on the surface of the organic light-emitting layer. (5) A hydrophobic layer selectively covering the surface of the scattering layer of the composite film is formed on the surface of the scattering layer of the composite film by inkjet printing. The selective atomic precipitation method forms an optical coupling rate lifting layer on an area not covered by the hydrophobic layer on the surface of the composite thin film scattering layer. The OLED display device prepared by the invention can significantly improve the optical output efficiency.

【技術實現步驟摘要】
一種OLED顯示器件制備方法
本專利技術屬于新型平板顯示
，具體涉及一種OLED顯示器件制備方法。
技術介紹
OLED(OrganicLight-EmittingDiode)即有機發光二極管，其通過電場的驅動使設置在兩電極間的有機材料層發光，具有自發光、啟動電壓低、結構簡單、響應速度快、超輕薄、低功耗等特點，被廣泛應用于照明及顯示領域。現有技術中的OLED顯示裝置，一般選擇透明玻璃或者塑料作為基板材料，在基板上依次設置陽極層、有機發光層和陰極層。對于底部發光型OLED顯示器件，有機發光層發出的光經陽極層、基板最后到達空氣才能入射到人的眼睛。有機發光層一般為有機小分子材料，其折射率大致為1.6-1.7，陽極層一般為氧化銦錫薄膜，其折射率為1.8，基板為玻璃或塑料，其折射率為1.4-1.5，那么光從陽極層傳到基板，以及從基板傳到空氣中，都是從光密介質到光疏介質的，存在全反射現象，入射角大于臨界角的光線由于全反射會從側面出射或在內部消耗掉，這樣從正面發出光的比例就會大大降低，通常只有20％左右的光能出射到OLED器件外，且從側面射出的光集中在某一波段，會使得正面出射的光譜不全，外量子效率很低。因此如何提高OLED顯示器件的光輸出效率成為技術人員的研發熱點。為此，人們利用在OLED器件的出光面制備周期性分布陣列，利用周期分布陣列的散射和折射特性來提高OLED器件的光耦合效率。一般在OLED器件的出光面制備周期性分布陣列有兩種方法。一種是利用化學方法，結合光刻膠，然后經過曝光顯影形成上述周期性陣列，但這種方法需要反復使用化學溶液，容易腐蝕OLED器件其他結構。另一種是通過金屬光罩成膜制備上述周期性分布陣列，但是此方法成本非常高，且金屬光罩使用過后清洗難度大，后越來越厚重，進而導致成膜不均勻，提高OLED器件的光耦合效率效果差。公開號為CN107579105A的中國專利技術專利公開了一種OLED顯示面板的制備方法及OLED顯示面板，該專利技術能夠顯著降低壓降，提高顯示面板的顯示品質，但是在提高光輸出效率方面無明顯進步。公告號為CN102593369B的中國專利技術專利公開了一種OLED照明裝置及制作方法，該專利技術通過在透明導電基板的出光一側設置高折射率匹配層來提高光輸出效率，增加OLED照明裝置的亮度，但是其光輸出效率提升有限。
技術實現思路
針對現有技術的不足，本專利技術的目的在于提供一種能顯著提高光輸出效率的OLED顯示器件制備方法。為實現上述目的，本專利技術采用如下技術方案：本專利技術提供了一種OLED顯示器件制備方法，包括以下制備步驟：（1）制備OLED顯示器件基板；（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；（3）在陽極層表面制備有機發光層，在有機發光層表面制備透明陰極層；（4）制備聚合物溶液，聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物的納米紡絲圖案，在聚合物的納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復合薄膜散射層，將復合薄膜散射層貼合在上述步驟制備的透明陰極層一側；（5）以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的疏水層，以選擇性原子沉淀方式在所述復合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層。優選地，步驟（2）所述以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層的方法為：選用潔凈玻璃為襯底，使用磁控濺射系統，直流濺射純度99.99%的Ti靶，通純度為99.99%的氮氣，制備TiNx薄膜陽極層；所述磁控濺射系統的濺射功率為4kw，氮氣流量為8.4-8.6sccm。優選地，步驟（4）所述聚合物為聚丙烯腈，所述聚丙烯腈在聚丙烯腈溶液中的質量分數為8%-13%，所述聚丙烯腈溶液中的溶劑為二甲基亞砜、二甲基甲酰胺或硫氫化鈉中的一種。優選地，步驟（4）所述靜電紡絲工作電壓為6kV-8kV，工作時間為5min-8min。優選地，步驟（4）所述復合薄膜散射層的厚度為430-620nm。優選地，步驟（5）所述疏水層為高分子材料，所述光耦合率提升層為金屬氧化物材料。優選地，步驟（5）所述復合薄膜散射層表面劃分為周期性分布且間隔設置的發光區域以及位于所述發光區域之間的非發光區域，所述光耦合率提升層覆蓋所述發光區域，所述疏水層設置在所述非發光區域內。優選地，步驟（5）所述以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的疏水層步驟之前，還包括：在復合薄膜散射層表面上形成無機材料制成的第一水氧阻擋層；在所述第一水氧阻擋層上形成有機材料制成的第一應力釋放層；在所述第一應力釋放層上形成無機材料制成第二水氧阻擋層，其中所述疏水層和所述光耦合率提升層形成于所述第二水氧阻擋層上。優選地，步驟（5）所述以選擇性原子沉淀方式在所述復合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層的步驟之后，還包括：在所述疏水層和所述光耦合率提升層上形成無機材料制成第三水氧阻擋層和有機材料制成的第二應力釋放層。優選地，步驟（5）所述疏水層的厚度大于所述光耦合率提升層的厚度。本專利技術具有如下有益效果：（1）本專利技術的陽極層采用TiNx薄膜，以磁控濺射法制成，磁控濺射生長TiNx時，電離的Ar+離子轟擊Ti靶得到Ti原子，Ti原子與N原子在襯底結合生成TiNx。控制濺射功率為4kw，控制氮氣流量為8.4-8.6sccm的情況下，Ti原子與N原子充分反應，此時TiNx薄膜電阻率較低，只有35.6μΩ·cm，電流效率和功率效率很高，以此TiNx薄膜為陽極得到的OLED器件擁有較佳的性能。（2）本專利技術OLED顯示器件制備方法，在透明陰極層一側表面設置復合薄膜散射層，使光從OLED內部射到基板或外部時進行強烈的散射，更多的光從正面發出，減少外量子流失，提高光的提取效率，使得正面出射的光譜更加完整。另外，復合薄膜散射層中的納米纖維結構通過靜電紡絲工藝形成，成本低，制備簡單，形成的納米紡絲顆粒直徑均一性和化學純度都較高，能對光起到強烈的散射作用，且復合薄膜散射層的厚度和納米紡絲顆粒的大小可通過改變聚合物濃度和調節靜電紡絲工作電壓進行調整，滿足了對照明和顯示的不同需求。（3）本專利技術OLED顯示器件制備方法通過噴墨打印的方式形成選擇性覆蓋在OLED器件陰極層的疏水層，再以選擇性原子沉淀方式在未被疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層，由于疏水層對選擇性原子沉淀方式生長的薄膜有抑制作用，因此在疏水層上不會制成光耦合率提升層，光耦合率提升層形成在相鄰的疏水層之間，形成周期性分布陣列，從而提高OLED器件的光耦合效率。具體實施方式下面結合具體實施例，進一步闡述本專利技術。實施例僅用于說明本專利技術而不用于限制本專利技術的范圍。實施例1本實施例提供了一種OLED顯示器件制備方法，包括以下制備步驟：（1）制備OLED顯示器件基板；（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；（3）在陽極層表面制備有機發光層，在有機發光層表面制備透明陰極層；（4）制備聚丙烯腈溶液，聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物的納米紡絲圖案，在聚合物的納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復合薄膜散射層，將復合薄膜散射層貼合在上述步驟制備的透明陰極層一側；（5）以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的高分子材料疏水層，以選擇性本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：（1）制備OLED顯示器件基板；（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；（3）在陽極層表面制備有機發光層，在有機發光層表面制備透明陰極層；（4）制備聚合物溶液，聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物的納米紡絲圖案，在聚合物的納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復合薄膜散射層，將復合薄膜散射層貼合在上述步驟制備的透明陰極層一側；（5）以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的疏水層，以選擇性原子沉淀方式在所述復合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層。

【技術特征摘要】
1.一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：（1）制備OLED顯示器件基板；（2）以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層，并將該陽極層覆蓋在基板上；（3）在陽極層表面制備有機發光層，在有機發光層表面制備透明陰極層；（4）制備聚合物溶液，聚合物溶液通過靜電紡絲形成聚合物的納米紡絲圖案，在聚合物的納米紡絲圖案上涂覆透明粘合劑形成復合薄膜散射層，將復合薄膜散射層貼合在上述步驟制備的透明陰極層一側；（5）以噴墨打印方式在復合薄膜散射層表面上形成選擇性覆蓋所述復合薄膜散射層表面的疏水層，以選擇性原子沉淀方式在所述復合薄膜散射層表面未被所述疏水層覆蓋的區域上形成光耦合率提升層。2.根據權利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于，步驟（2）所述以磁控濺射法制備TiNx薄膜陽極層的方法為：選用潔凈玻璃為襯底，使用磁控濺射系統，直流濺射純度99.99%的Ti靶，通純度為99.99%的氮氣，制備TiNx薄膜陽極層；所述磁控濺射系統的濺射功率為4kw，氮氣流量為8.4-8.6sccm。3.根據權利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（4）所述聚合物為聚丙烯腈，所述聚丙烯腈在聚丙烯腈溶液中的質量分數為8%-13%，所述聚丙烯腈溶液中的溶劑為二甲基亞砜、二甲基甲酰胺或硫氫化鈉中的一種。4.根據權利要求1所述一種OLED顯示器件制備方法，其特征在于：步驟（4）所述靜電紡絲的工作電壓為6kV-8kV，工作時間為5min-8min。5.根據權利要求1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：吳青明，
申請(專利權)人：合肥思博特軟件開發有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽,34