有機發光二極管結構的形成方法技術

一種有機發光二極管結構的形成方法在此揭露。此方法包含形成一圖案化反射層于一予體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜于圖案化反射層上；以及以一光照射經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜以將未被圖案化反射層掩蓋的區域，轉移至一半導體基板下，形成一圖案化有機材料薄膜，其中經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜對于波長大于600nm的光其吸收強度大于10

The formation method of organic light-emitting diode structure

【技術實現步驟摘要】
有機發光二極管結構的形成方法
本專利技術是有關一種形成有機發光二極管結構的方法，特別是有關一種形成含有經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜的有機發光二極管結構的方法。
技術介紹
有機發光二極管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)具有廣視角、高對比、低耗電、應答速度快、低操作電壓、制程簡單及具有自發光性而不需背光模組等優點，因此能夠大幅降低制作成本，被認為是深具競爭力的顯示技術。有機發光二極管基本上是多層薄膜結構，包含陽極、陰極及位于陽極和陰極之間的有機材料薄膜。一種傳統形成有機發光二極管結構的方法，其是利用熱蒸鍍將有機發光二極管中的各層有機材料薄膜制作于基板之上，再進行貼合封裝以完成有機發光二極管元件。另一種傳統形成有機發光二極管結構的方法，其是遮罩轉印微影技術(Flashmasktransferlithography)，首先，將一具有吸熱能力的吸收層形成于一含有圖案化反射層的予體基板上，再將單層有機材料薄膜形成于吸收層上，接著，從予體基板的下方提供光照，部分光照被反射層阻擋而無法被吸收層吸收，而未被反射層阻擋的光照則能夠加熱吸收層，被加熱后的吸收層能夠加熱其上方的有機材料薄膜而揮發轉印至另一基板上，而在另一基板上形成圖案化的有機發光二極管結構。然而，由于有機材料薄膜的吸熱性不佳，一般均會影響轉印的效果，例如，轉印后的有機材料薄膜會產生缺角或邊緣不清楚。此外，有機材料薄膜與吸收層的熱傳導不完全則會導致轉印后膜厚不均。上述問題會導致最后所形成的有機發光二極管結構良率不佳。有鑒于此，需要提供一種新的形成有機發光二極管結構的方法。
技術實現思路
為了解決上述先前技術的缺點，本專利技術提供一種形成含有經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜的有機發光二極管結構的方法。為了增加有機材料薄膜的吸熱特性，將近紅外光吸收官能基(Near-Infraredabsorbingfunctionalgroup)引入至有機材料薄膜的材料的分子結構上，使得由經修飾后的材料所形成的有機材料薄膜能夠直接將光能轉變成熱能，而順利揮發形成圖案化有機發光二極管結構。本專利技術的一態樣為一種有機發光二極管結構的形成方法，包含形成一圖案化反射層于一予體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜于圖案化反射層上；以及以一光從予體基板形成有圖案化反射層之側的相對一側照射經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜，以將未被圖案化反射層掩蓋的區域的經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜轉移至一半導體基板的表面，形成一圖案化有機材料薄膜，其中經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜對于波長大于600nm的光其吸收強度大于100.2。根據本專利技術一或多個實施方式，有機材料薄膜是一空穴注入層、一空穴傳遞層、一發光層或一電子傳遞層。根據本專利技術一或多個實施方式，近紅外光吸收官能基包含硝基(-NO2)、羥基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基團。根據本專利技術一或多個實施方式，經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一分子能階，分子能階的最高占有軌道小于或等于-4.5eV、分子能階的最低占有軌道小于或等于-1.8eV或分子能階的最高占有軌道與分子能階的最低占有軌道的能階差介于2～4.5eV。根據本專利技術一或多個實施方式，經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一熱導率大于0.1W/mK。根據本專利技術一或多個實施方式，經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一熱容量大于0.8cal/g℃。根據本專利技術一或多個實施方式，光是由一光源發出，光源是選自由閃光燈、激光燈、發光二極管、鹵素燈、冷陰極射線管燈、日光燈、白熾燈及其組合所組成的群組。本專利技術的另一態樣為一種有機發光二極管結構的形成方法，包含形成一第一圖案化反射層于一第一予體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾的第一有機材料薄膜于第一圖案化反射層上；以一光從第一予體基板形成有第一圖案化反射層之側的相對一側照射經近紅外光吸收官能基修飾的第一有機材料薄膜，以將未被第一圖案化反射層掩蓋的區域的經近紅外光吸收官能基修飾的第一有機材料薄膜轉移至一半導體基板的表面，形成一第一圖案化有機材料薄膜；形成一第二圖案化反射層于一第二予體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾的第二有機材料薄膜于第二圖案化反射層上；以光從第二予體基板形成有第二圖案化反射層之側的相對一側照射經近紅外光吸收官能基修飾的第二有機材料薄膜，以將未被第二圖案化反射層掩蓋的區域的經近紅外光吸收官能基修飾的第二有機材料薄膜轉移至半導體基板的表面，形成一第二圖案化有機材料薄膜，其中經近紅外光吸收官能基修飾的第一有機材料薄膜以及經近紅外光吸收官能基修飾的第二有機材料薄膜對于波長大于600nm的光其吸收強度大于100.2。根據本專利技術一或多個實施方式，第一有機材料薄膜以及第二有機材料薄膜是獨立為一紅色發光層、一綠色發光層或一藍色發光層。根據本專利技術一或多個實施方式，第一有機材料薄膜以及第二有機材料薄膜是獨立為一空穴注入層、一空穴傳遞層、一發光層或一電子傳遞層。綜上所述，本專利技術透過將近紅外光吸收官能基引入至有機材料薄膜的材料的分子結構上，使得經修飾后的材料能夠直接將光能轉變成熱能，而使得經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜順利揮發，提升了轉印的解析度和所形成的有機發光二極管結構的良率，此外，由于不需制作吸收層，亦能夠降低制作成本。本專利技術可以直接形成三種具有不同放光顏色的有機發光二極管結構，而能夠直接作為多彩或全彩顯示器的像素，不需如液晶顯示器需額外加入彩色濾光片，而達到簡化制程和使得顯示器更為輕薄化的好處，亦不需在面板后加上背光源，而大幅降低耗電量及成本，深具商業潛力。以下將以實施方式對上述的說明作詳細的描述，并對本
技術實現思路
的技術方案提供更進一步的解釋。附圖說明為讓本專利技術的上述和其他目的、特征、優點與實施方式能更明顯易懂，所附附圖的詳細說明如下：圖1A～圖1E是根據本專利技術的一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極管結構的方法的各階段剖面示意圖；圖2是根據本專利技術的一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極管結構的方法的一階段剖面示意圖；以及圖3A～圖3H是根據本專利技術的一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極管結構的方法的各階段剖面示意圖。具體實施方式以下將以附圖揭露本專利技術的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節不應用以限制本專利技術。也就是說，在本專利技術各種實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。本文所使用的有關“包括”、“包含”、“具有”、“含有”、“涉及”及其他相似涵意的詞匯皆為開放式，舉例來說，意指包括但不限于此。除非內容中有其他清楚的指稱，本文所使用的單數詞包括復數的指稱對象本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，包含：/n形成一圖案化反射層于一予體基板上；/n形成一經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜于該圖案化反射層上；以及/n以一光從該予體基板形成有該圖案化反射層之側的相對一側照射該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜，以將未被該圖案化反射層掩蓋的區域的該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜轉移至一半導體基板的表面，形成一圖案化有機材料薄膜，其中該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜對于波長大于600nm的該光其吸收強度大于10

【技術特征摘要】
1.一種有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，包含：
形成一圖案化反射層于一予體基板上；
形成一經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜于該圖案化反射層上；以及
以一光從該予體基板形成有該圖案化反射層之側的相對一側照射該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜，以將未被該圖案化反射層掩蓋的區域的該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜轉移至一半導體基板的表面，形成一圖案化有機材料薄膜，其中該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜對于波長大于600nm的該光其吸收強度大于100.2。


2.根據權利要求1所述的有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，該有機材料薄膜是一空穴注入層、一空穴傳遞層、一發光層或一電子傳遞層。


3.根據權利要求1所述的有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，該近紅外光吸收官能基包含硝基(-NO2)、羥基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C＝O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基的基團。


4.根據權利要求1所述的有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一分子能階，該分子能階的最高占有軌道小于或等于-4.5eV、該分子能階的最低占有軌道小于或等于-1.8eV或該分子能階的最高占有軌道與該分子能階的最低占有軌道的能階差介于2～4.5eV。


5.根據權利要求1所述的有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一熱導率大于0.1W/mK。


6.根據權利要求1所述的有機發光二極管結構的形成方法，其特征在于，該經近紅外光吸收官能基修飾的有機材料薄膜具有一熱容量大于0.8cal/g℃。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：劉振宇，魏麗真，林熙乾，
申請(專利權)人：宸鴻光電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71