數組襯底的制造方法技術

本發明專利技術提供一種數組襯底的制造方法，包括以下步驟。形成主動組件于襯底上。形成第一絕緣層于所述主動組件上。形成共通電極層于所述第一絕緣層上。形成第二絕緣層于所述共通電極層上。在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成第一接觸窗，以暴露出部分的所述主動組件。形成導電層于所述第二絕緣層上，其中所述導電層填入于所述第一接觸窗中。形成第三絕緣層于所述導電層上。在第三絕緣層中形成第二接觸窗以暴露出部分的所述導電層。形成像素電極層于所述第三絕緣層上，其中所述像素電極層填入于所述第二接觸窗中。本發明專利技術提供的數組襯底的制造方法可確保像素電極層與主動組件電性連接而提升良率。

Manufacturing method of array substrate

【技術實現步驟摘要】
數組襯底的制造方法
本專利技術涉及一種數組襯底的制造方法。
技術介紹
在現有的應用于內嵌式觸控面板的數組襯底的制造方法中，由于共通電極層與像素電極層之間需設置有多層絕緣層，因此，若需使像素電極層與主動組件電性連接，即需貫通厚度過厚的絕緣層而導致易于產生蝕刻不完全現象，使得像素電極層與主動組件電性連接不完全而降低良率。
技術實現思路
本專利技術提供一種數組襯底的制造方法，其可確保像素電極層與主動組件電性連接而提升良率。根據本專利技術的實施例，本專利技術的數組襯底的制造方法包括以下步驟。形成主動組件于襯底上。形成第一絕緣層于所述主動組件上。形成共通電極層于所述第一絕緣層上。形成第二絕緣層于所述共通電極層上。在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成第一接觸窗，以暴露出部分的所述主動組件。形成導電層于所述第二絕緣層上，其中所述導電層填入于所述第一接觸窗中。形成第三絕緣層于所述導電層上。在第三絕緣層中形成第二接觸窗以暴露出部分的所述導電層。形成像素電極層于所述第三絕緣層上，其中所述像素電極層填入于所述第二接觸窗中。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，形成所述主動組件的步驟包括以下步驟。形成柵極層于所述襯底上。形成柵極絕緣層于所述柵極層上。形成源極層以及漏極層于所述柵極絕緣層上。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，在形成所述源極層以及所述漏極層于所述柵極絕緣層上的步驟前，還包括形成半導體層于所述柵極絕緣層上，且所述半導體層與所述柵極層相對設置。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，所述第一接觸窗暴露出部分的所述漏極層。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成所述第一接觸窗時，同時于所述第一絕緣層中形成第三接觸窗，所述第三接觸窗暴露出部分的所述共通電極層。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，所述導電層更填入于所述第三接觸窗中。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，所述導電層的材料為氧化銦錫、鋁、鉬或其組合。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，所述第一接觸窗與所述第二接觸窗至少部分地連接。在根據本專利技術的實施例的數組襯底的制造方法中，所述主動組件通過所述導電層與所述像素電極層電性連接。由于本專利技術的數組襯底的制造方法于形成覆蓋共通電極層的第三絕緣層之前即形成貫通第一絕緣層與第二絕緣層的接觸窗，因此可避免所需蝕刻的絕緣層的厚度過厚而導致的蝕刻不完全現象。此外，本專利技術通過形成于第一接觸窗中的導電層作為像素電極層與主動組件電性連接的橋梁。藉此，本專利技術可確保像素電極層與主動組件電性連接，而提升良率。附圖說明包含附圖以便進一步理解本專利技術，且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本專利技術的實施例，并與描述一起用于解釋本專利技術的原理。圖1A至圖1I為本專利技術一實施例的數組襯底的制造方法的剖面示意圖。具體實施方式現將詳細地參考本專利技術的示范性實施例，示范性實施例的實例說明于附圖中。只要有可能，相同組件符號在附圖和描述中用來表示相同或相似部分。本專利技術也可以各種不同的形式體現，而不應限于本文中所述的實施例。附圖中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似的參考號碼表示相同或相似的組件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或后等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本專利技術。圖1A至圖1I為本專利技術一實施例的數組襯底的制造方法的剖面示意圖。請參照圖1A，形成柵極層110于襯底100上。襯底100可為可撓式襯底，例如聚合物襯底或塑料襯底，但本專利技術并不限于此。在其他實施方式中，襯底100也可以是剛性襯底，例如玻璃襯底、石英襯底或硅襯底。在一實施例中，柵極層110的形成方法是通過物理氣相沉積法或金屬有機化學氣相沉積法后再進行微影蝕刻工藝而形成。舉例來說，可先通過物理氣相沉積法或金屬有機化學氣相沉積法形成覆蓋襯底100的柵極材料層(未示出)。接著，在柵極材料層上形成圖案化光致抗蝕劑材料層(未示出)。之后，以圖案化光致抗蝕劑層為罩幕，對柵極材料層進行蝕刻工藝，以形成柵極層110。請參考圖1B，形成柵極絕緣層120于柵極層110上。柵極絕緣層120可例如覆蓋柵極層110。在一實施例中，柵極絕緣層120的形成方法是通過物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，柵極絕緣層120的材料可為無機材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合)、有機材料(例如：聚酰亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂或其組合)或上述的組合，但本專利技術不以此為限。柵極絕緣層120可為單層結構，但本專利技術并不限于此。在其他實施例中，柵極絕緣層120也可為多層結構。請繼續參照圖1B，在形成柵極絕緣層120后，形成半導體層130于柵極絕緣層120上。在一實施例中，半導體層130的形成方法是通過微影蝕刻工藝而形成。舉例來說，可先通過物理氣相沉積法或金屬有機化學氣相沉積法于柵極絕緣層120上形成半導體材料層(未示出)。接著，在半導體材料層上形成圖案化光致抗蝕劑材料層(未示出)。之后，以圖案化光致抗蝕劑層為罩幕，對半導體材料層進行蝕刻工藝，以形成半導體層130。半導體層130的材料可為非晶硅，但本專利技術不以此為限。多個半導體層130的材料也可為多晶硅、微晶硅、單晶硅、納米晶硅或其它具有不同晶格排列的半導體材料或金屬氧化物半導體材料。在一實施例中，半導體層130與柵極層110相對應地設置。請參照圖1C，形成源極層142以及漏極層144于柵極絕緣層120上。在一實施例中，源極層142以及漏極層144的形成方法是通過物理氣相沉積法或金屬有機化學氣相沉積法后再進行微影蝕刻工藝而形成。舉例來說，可先通過物理氣相沉積法或金屬有機化學氣相沉積法于襯底100上形成金屬材料層(未示出)以覆蓋柵極絕緣層120以及半導體層130。接著，在金屬材料層上形成圖案化光致抗蝕劑材料層(未示出)。之后，以圖案化光致抗蝕劑層為罩幕，對金屬材料層進行蝕刻工藝，以形成源極層142以及漏極層144。因此，在本實施例中，源極層142以及漏極層144為同一層金屬層140。柵極110、半導體層130、源極層142以及漏極層144可構成主動組件300。在本實施例中，主動組件300為本領域技術人員所知曉的任一種底部柵極型薄膜晶體管。然而，本實施例雖然是以底部柵極型薄膜晶體管為例，但本專利技術不限于此。在其他實施例中，主動組件300也可以是頂部柵極型薄膜晶體管或是其它合適類型的薄膜晶體管。請參照圖1D，形成第一絕緣層150于源極層142以及漏極層144上。第一絕緣層150可覆蓋源極層142以及漏極層144。在一實施例中，第一絕緣層150的形成方法是通過物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第一絕緣層150的材料可為無機材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合)、有機材料(例如：聚酰亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂或其組合)或上述的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種數組襯底的制造方法，其特征在于，包括：/n形成主動組件于襯底上；/n形成第一絕緣層于所述主動組件上；/n形成共通電極層于所述第一絕緣層上；/n形成第二絕緣層于所述共通電極層上；/n在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成第一接觸窗，以暴露出部分的所述主動組件；/n形成導電層于所述第二絕緣層上，其中所述導電層填入于所述第一接觸窗中；/n形成第三絕緣層于所述導電層上；/n在第三絕緣層中形成第二接觸窗，以暴露出部分的所述導電層；以及/n形成像素電極層于所述第三絕緣層上，其中所述像素電極層填入于所述第二接觸窗中。/n

【技術特征摘要】
1.一種數組襯底的制造方法，其特征在于，包括：
形成主動組件于襯底上；
形成第一絕緣層于所述主動組件上；
形成共通電極層于所述第一絕緣層上；
形成第二絕緣層于所述共通電極層上；
在所述第一絕緣層以及所述第二絕緣層中形成第一接觸窗，以暴露出部分的所述主動組件；
形成導電層于所述第二絕緣層上，其中所述導電層填入于所述第一接觸窗中；
形成第三絕緣層于所述導電層上；
在第三絕緣層中形成第二接觸窗，以暴露出部分的所述導電層；以及
形成像素電極層于所述第三絕緣層上，其中所述像素電極層填入于所述第二接觸窗中。


2.根據權利要求1所述的數組襯底的制造方法，其特征在于，形成所述主動組件的步驟包括：
形成柵極層于所述襯底上；
形成柵極絕緣層于所述柵極層上；以及
形成源極層以及漏極層于所述柵極絕緣層上。


3.根據權利要求2所述的數組襯底的制造方法，其特征在于，在形成所述源極層以及所述漏極層于所述柵極絕緣層上的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陸富財，王豪，余彥霖，邱奕勛，
申請(專利權)人：中華映管股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71