銀糊劑組合物及使用其的導電性圖案的形成方法、以及該導電性圖案技術

本發明專利技術的目的在于提供一種堿顯影型的銀糊劑組合物，其適于使用了最大波長３５０ｎｍ～４２０ｎｍ的激光振蕩光源的激光直接成像裝置，對效率良好地形成精細的導電性圖案有用，并且保存穩定性優異，還提供由該組合物形成的導電性圖案及具有該導電性圖案的等離子顯示面板、以及導電性圖案的形成方法。本發明專利技術的堿顯影型銀糊劑組合物，其包含：（Ａ）含羧基樹脂、（Ｂ）玻璃粉、（Ｃ）銀粉、（Ｄ）一分子中具有至少１個以上自由基聚合性不飽和基團的化合物、和（Ｅ－１）通式（Ⅰ）所示的肟系光聚合引發劑。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及銀糊劑組合物和使用其的導電性圖案的形成方 法以及該導電性圖案，其中該銀糊劑組合物適合于對薄型顯示 器等有用的導電性圖案的形成。本專利技術更詳細地說，涉及一種銀糊劑組合物，其適于使用了最大波長350nm 420nm的激光振 蕩光源的激光直接成像裝置，對效率良好地形成精細的圖案有 用，并且保存穩定性優異，以及涉及使用了該組合物的導電性 圖案的形成方法及該導電性圖案。
技術介紹
一直以來，等離子顯示器的玻璃基板等形成有作為電極的 導電性圖案。另外，其形成法如下，例如，在玻璃基板上，涂 布干燥含有銀的抗蝕劑而形成涂膜，該涂膜通過描繪有電極圖案的光掩模而曝光圖像，然后利用曝光部和非曝光部對顯影液 的溶解性的不同，以堿性水溶液進行顯影處理，由此形成與電 極圖案對應的抗蝕層，進行燒成，從而形成與玻璃基板密合的 銀圖案。然而，在這些圖案曝光方法中，光掩才莫并非完全沒有缺損， 形成的圖案也產生缺損，或者光掩模和玻璃基板的伸縮導致產 生位置偏差，特別是細線的圖案曝光變困難，大型面板的生產 的不良率難以降低。另外，制作光掩模時需要時間和成本，因 而，特別被視為問題的是在少量多種類的生產和試制等情況下， 光掩模的成本增大。這樣，重新審視通過激光直接描繪以CAD( Computer AidedDesign )制成的電^各的激光直接成像方法(Laser Direct Imaging,以下稱為LDI )。 LDI具有如下許多優點由于根據CAD數據直接進行圖案的描繪，因而可以高效地進行少量多品種的 生產，并且由于不使用光掩模，因而具有位置重合準確，也容 易修正縮放比例，不需要處理異物對光掩模的附著、污染、損傷等。然而，在LDI中，通過激光掃描進行直接描繪，因而相比 于利用光掩模進行一次曝光的情況，具有節拍時間變長，生產 量方面不充分的缺陷。為了改善生產量，需要提高激光的掃描當曝光量=300 ~ 500mJ/cm2),因而難以提高掃描速度的問題。 另一方面，作為通過激光掃描使其感光的組合物，提出了含有特定的染料敏化劑和二茂鈦化合物等的組合物(例如，參 照專利文獻1和專利文獻2。)、含有特定的雙酰基膦氧化物的激 光感光性組合物(例如，參照專利文獻3。)，但這些組合物得不 到充分的感光速度。專利文獻l:日本特開2002 - 351071號公報(權利要求書) 專利文獻2:日本特開2002 - 351072號公報(權利要求書) 專利文獻3:日本特開2004 - 45596號公報(權利要求書)
技術實現思路
專利技術所要解決的問題本專利技術是鑒于上述問題而進行的，其主要目的在于提供一 種銀糊劑組合物，其適于使用了最大波長3 5Onm ~ 42Onm的激光 振蕩光源的激光直接成像裝置，對效率良好地形成精細的導電 性圖案有用，并且保存穩定性優異，以及涉及使用了該組合物 的導電性圖案的形成方法及該導電性圖案。(式中，R^表示氫原子、碳原子數1 6的烷基、或苯基， RS表示氫原子或碳原子數1 ~ 6的烷基。)另外，作為其他方式，提供導電性圖案的形成方法、以及 通過該方法得到的導電性圖案，其中，所述導電性圖案的形成方法，其特征在于，其使用上述組合物，并包括(1 )使用最大波長350nm 420nm的激光振蕩光源進行圖案描繪的工序；(2)通過以稀堿性水溶液顯影而選擇性地形成圖案的工序；用于解決問題的方法本專利技術人為實現上述目標，進行了深入研究，結果發現如 下組合物對最大波長為3 5 0 ~ 4 2 0 n m的激光振蕩光源具有優異 的光固化性，從而完成本專利技術，所述組合物包含(A)含羧基 樹脂、(B)玻璃粉、(C)銀粉、(D) —分子中具有至少l個以 上自由基聚合性不飽和基團的化合物、和(E - 1 )下述通式(I) 所示的肟系光聚合引發劑。(式中，1或2個R'由下述通式(II)所示，其余的R'表示 氫原子、曱基、乙基、苯基或鹵原子。)(3)在400 ~ 60(rc下》免成的工序。專利技術效果本專利技術的銀糊劑組合物對最大波長為350 ~ 420nm的激光 振蕩光源顯示出優異的光固化性，因而，曝光裝置可使用激光 直接成像裝置，沒有在現有的曝光方法中產生的由光掩模和玻 璃基板的伸縮導致的位置偏差，而且沒有附著到光掩模上的異 物導致的圖案缺損，可形成可靠性高的導電性圖案。另外，通過使用激光直接成像裝置，不需要光掩模，而且 從設計向制造的轉移容易，并減少不良率，從而可降低產品成 本。具體實施方式本專利技術的銀糊劑組合物具有如下特征其含有(A)含羧 基樹脂、(B)玻璃粉、(C)銀粉、(D) —分子中具有至少l個 以上自由基聚合性不飽和基團的化合物、和(E- 1 )前述通式 (I)所示的肝系光聚合引發劑，并且其對最大波長為350 ~ 420nm的激光振蕩光源顯示出優異的光固化性。另外，作為優選的一個方式，提供了在上述組合物中還含 有(E-2)包含前述通式(III)所示結構的氧化膦系聚合引發 劑的銀糊劑組合物。另外，在優選的其他方式中，通過在上述組合物中進一步 配合(F)硼酸、和/或(G)包含前述式(IV)或式(V)所示 結構的磷化合物，可提供保存穩定性優異的組合物。以下，對本專利技術的銀糊劑組合物的各組成成分進行詳細說明。化性、耐顯影性的方面出發優選分子中具有自由基聚合性不飽 和雙鍵的含羧基感光性樹脂(A，)。具體而言，可列舉出如下列舉的樹脂。 (1 )通過將(甲基)丙烯酸等不飽和羧酸和l種以上其以 外的具有不飽和雙鍵的化合物共聚而得到的含羧基樹脂、(2)在(甲基)丙烯酸等不飽和羧酸與l種以上其以外的 具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物上，通過(曱基)丙烯酸縮 水甘油酯、(曱基)丙烯酸3,4 -環氧環己基曱酯等具有環氧基 和不飽和雙鍵的化合物、(曱基)丙烯酸氯化物等加成烯屬不飽和基團作為側鏈，從而得到的含羧基感光性樹脂、(3 )使(曱基)丙烯酸縮水甘油酯、(曱基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯等具有環氧基和不飽和雙鍵的化合物與其以 外的具有不飽和雙鍵的化合物共聚，使該共聚物與(曱基)丙 烯酸等不飽和羧酸反應，所生成的仲羥基與多元酸酐反應而得 到的含羧基感光性樹脂、(4 )使馬來酸酐等具有不飽和雙鍵的酸酐與其以外的具有 不飽和雙鍵的化合物共聚，使該共聚物與(曱基)丙烯酸2-羥 乙酯等具有羥基和不飽和雙鍵的化合物反應而得到的含羧基感 光性樹脂、(5)使多官能團環氧化合物與不飽和單羧酸反應，所生成 的羥基與飽和或不飽和多元酸酐反應而得到的含羧基感光性樹 脂、(6 )使聚乙烯醇衍生物等含羥基聚合物與飽和或不飽和多 元酸酐反應，然后使生成的羧酸與 一分子中具有環氧基和不飽 和雙鍵的化合物反應而得到的含羥基和羧基的感光性樹脂、(7)使多官能團環氧化合物、不飽和單羧酸、 一分子中具 有至少l個醇羥基和可與環氧基反應的醇羥基以外的l個反應性基團的化合物反應，使該反應產物與飽和或不飽和多元酸酐反 應而得到的含羧基感光性樹脂、(8)使一分子中具有至少2個氧雜環丁烷環的多官能團氧 雜環丁烷化合物與不飽和單羧酸反應，使所得的改性氧雜環丁 烷樹脂中的伯羥基與飽和或不飽和多元酸酐反應所得的含羧基 感光性樹脂、以及(9 )使多官能團環氧樹脂與不飽和單羧酸反應，然后使其 與多元酸酐反應而得到的含羧基樹脂再與分子中本文檔來自技高網...

【技術保護點】
堿顯影型的銀糊劑組合物，其特征在于，其包含：（Ａ）含羧基樹脂、（Ｂ）玻璃粉、（Ｃ）銀粉、（Ｄ）一分子中具有至少１個以上自由基聚合性不飽和基團的化合物、和（Ｅ－１）下述通式（Ⅰ）所示的肟系光聚合引發劑。　　　　＊＊＊　　…（Ⅰ）　　　　（式中，１或２個Ｒ↑［１］由下述通式（Ⅱ）所示，其余的Ｒ↑［１］表示氫原子、甲基、乙基、苯基或鹵原子。）　　　　－＊＝Ｎ－Ｏ－＊－Ｒ↑［２］　　…（Ⅱ）　　　　（式中，Ｒ↑［２］表示氫原子、碳原子數１～６的烷基、或苯基，Ｒ↑［３］表示氫原子或碳原子數１～６的烷基。）

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：佐佐木正樹，加藤賢治，有馬圣夫，
申請(專利權)人：太陽油墨制造株式會社，
類型：發明
國別省市：JP[日本]