本實用新型專利技術提供一種發光裝置及包括其的發光模塊。發光裝置包括載體、發光二極管芯片、封裝體及光型調整結構。發光二極管芯片置于載體上表面，且發光二極管芯片具有與載體上表面平行的發光二極管芯片出光面。封裝體覆蓋該發光二極管芯片及部分的該載體上表面，而光型調整結構設置于該封裝體上。光型調整結構對應于發光二極管芯片的光軸設置，用以允許該發光二極管芯片的光軸附近的光束部分穿透且部分反射。據此，包括多個發光裝置的發光模塊能具有更均一的出光效果。更均一的出光效果。更均一的出光效果。
【技術實現步驟摘要】
發光裝置及包括其的發光模塊
[0001]本技術涉及一種發光裝置及包括其的發光模塊，更具體而言，涉及一種包括光型調整結構的發光裝置及包括其的發光模塊。
技術介紹
[0002]在顯示裝置不斷朝向薄型化發展的產業趨勢中，應用于這些顯示裝置的發光裝置亦有相應的微型化需求。就現今而言，發光二極管(Light
?
Emitting Diode，LED)芯片因為具有較小的元件尺寸、高效率、高亮度、高可靠度及較短的反應時間等特性，已被廣泛用于上述發光裝置中。
[0003]請參閱圖1A、圖1B及圖2。圖1A為現有技術的發光裝置的剖面示意圖；圖1B為現有技術的發光裝置的光型示意圖；而圖2為現有技術的發光模塊的剖面示意圖。如圖1A所示，一般而言，發光裝置L
’
包括載體1
’
、設置于載體1
’
上的發光二極管芯片2
’
、及覆蓋該發光二極管芯片的封裝體3
’
，而由發光二極管芯片2
’
發射的光束通過封裝體3
’
射出并具有光型R
’
。接著，如圖2所示，在發光模塊M
’
中，由各發光裝置L
’
發出的光型R
’
投射于擴散板M4
’
上，進而產生照明效果。
[0004]由圖1A可知，發光裝置L
’
的光型R
’
決定了發光裝置L
’
的發光角度的寬廣與否，而當發光裝置L
’
具有較大的發光角度時，可減少應用于單一發光模塊M
’
中的發光裝置L
’
的數量，亦可降低在發光模塊中進行混光所需的光學距離(Optical Distance，OD)。因此，在現有技術中，如何在減少發光裝置L
’
的數量下確保薄型化的發光模塊M
’
的發光功效，為本
欲解決的問題之一。
[0005]除此之外，對現有技術的發光裝置L
’
而言，如圖1B所示，其光型R
’
在0度的出光角度下具有較大的出光強度，而在正負45度出光角度附近的光束的強度較弱。因此，此特性也將對發光模塊M
’
的出光均勻性產生不利的影響。換句話說，基于發光模塊L
’
的光型的強度分布，包括多個發光模塊L
’
的發光模塊M
’
的出光面會出現亮暗不均現象。舉例而言，發光模塊M
’
的出光面可能出現柵欄紋路或是網格紋路，使得照明效果不佳。如此一來，發光模塊M
’
中的發光裝置L
’
的數量與排列方式需要進一步進行安排及設計，以解決上述技術問題。
[0006]因此，有需要提供一種經過改良的發光裝置及包括其的發光模塊，其能有效使得發光裝置所發出的光均勻化，以達到所欲的照明效果。
技術實現思路
[0007]針對上述技術問題，本技術提供一種發光裝置及包括其的發光模塊，發光裝置所包括的光型調整結構允許該發光二極管芯片出光面射出的正向光束或發光二極管芯片的光軸附近的光束部分穿透且部分反射，藉此在符合制造成本及生產效率的情形下大幅改善薄型化發光模塊的出光效果。
[0008]本技術的一實施例提供一種發光裝置，其包括一載體、一發光二極管芯片、一封裝體，以及一光型調整結構。該載體具有一載體上表面，且該載體上表面包括至少一導電
圖案。該發光二極管芯片設置于該載體上表面，并與該至少一導電圖案電性連接，其中，該發光二極管芯片具有與該載體上表面平行的一發光二極管芯片出光面。該封裝體覆蓋該發光二極管芯片及部分的該載體上表面。該光型調整結構設置于該封裝體上，其中，該光型調整結構于該載體上表面的投影區域與該發光二極管芯片于該載體上表面的投影區域至少部分重疊，且該光型調整結構用以允許該發光二極管芯片出光面射出的正向光束部分穿透且部分反射。
[0009]在本技術的一個較佳實施例中，該光型調整結構是通過激光蝕刻而形成于該封裝體上的一消光層。
[0010]在本技術的一個較佳實施例中，該消光層于該載體上表面的投影區域及該發光二極管芯片于該載體上表面的投影區域皆呈矩形，且該等矩形的各自的長軸是彼此垂直，且該些矩形的各自中心點位置大致重疊。
[0011]在本技術的一個較佳實施例中，該光型調整結構是通過點膠而形成于該封裝體上的一消光膠體。
[0012]在本技術的一個較佳實施例中，該消光膠體于該載體上表面的投影區域大于或等于該發光二極管芯片于該載體上表面的投影區域。
[0013]在本技術的一個較佳實施例中，該發光裝置還進一步包括一凸膠層，其中，該凸膠層覆蓋該消光膠體及該封裝體。
[0014]在本技術的一個較佳實施例中，該發光裝置還進一步包括一分散式布拉格反射層，其設置于該發光二極管芯片上。
[0015]在本技術的一個較佳實施例中，該發光裝置還進一步包括一反射墻體，其設置于該載體上表面且圍繞該封裝體的側面。
[0016]在本技術的一個較佳實施例中，該發光裝置還進一步包括一透光墻體，其設置于該載體上表面且圍繞該封裝體的側面，其中，該封裝體的折射率與該透光墻體的折射率相異。
[0017]本技術的另一實施例提供一種發光模塊，其包括一電路基板、多如上所述的發光裝置、一透光保護層，以及一波長轉換層。該等發光裝置設置于該電路基板上并與該電路基板電性連接。該透光保護層覆蓋該些發光裝置，其中，由該發光裝置射出的光束通過該透光保護層并由該透光保護層的一上表面射出。波長轉換層是用以接收由該透光保護層上表面射出的光束，并使所接收的光束的波長轉換為另一波長后，使該光束由該波長轉換層射出。
[0018]在本技術的一個較佳實施例中，該透光保護層的折射率與該封裝體的折射率相異。
[0019]在本技術的一個較佳實施例中，該透光保護層的折射率小于該封裝體的折射率。
[0020]在本技術的一個較佳實施例中，該發光模塊還進一步包含一擴散板，其設置于該波長轉換層及該透光保護層之間。
[0021]在本技術的一個較佳實施例中，該載體上表面至該擴散板的距離H與該些發光裝置彼此間的最小間距P的一比值介于0.25至0.5之間。
[0022]在本技術的一個較佳實施例中，該電路基板具有一上表面及與該上表面相對
的一下表面，該發光裝置是設置于該電路基板的該上表面，且該電路基板下表面與該透光保護層上表面之間的距離不大于0.35毫米。
[0023]在本技術的一個較佳實施例中，該透光保護層上表面是經過粗糙化處理。
[0024]本技術的再另一實施例提供一種發光裝置，其包括一載體、一發光二極管芯片、一封裝體，以及一光型調整結構。該載體具有一載體上表面，且該載體上表面包括至少一導電圖案。該發光二本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種發光裝置，其特征在于，包括：載體，其具有載體上表面，且所述載體上表面包括至少一導電圖案；發光二極管芯片，其設置于所述載體上表面，并與所述至少一導電圖案電性連接，其中，所述發光二極管芯片具有與所述載體上表面平行的發光二極管芯片出光面；封裝體，其覆蓋所述發光二極管芯片及部分的所述載體上表面；以及光型調整結構，其設置于所述封裝體上，其中，所述光型調整結構于所述載體上表面的投影區域與所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域至少部分重疊，且所述光型調整結構用以允許所述發光二極管芯片出光面射出之正向光束部分穿透且部分反射。2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述光型調整結構是通過激光蝕刻而形成于所述封裝體上的消光層。3.根據權利要求2所述的發光裝置，其特征在于，所述消光層于所述載體上表面的投影區域及所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域皆呈矩形，且所述矩形的各自的長軸是彼此垂直，且所述多個矩形的各自中心點位置大致重疊。4.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述光型調整結構是通過點膠而形成于所述封裝體上的消光膠體。5.根據權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，所述消光膠體于所述載體上表面的投影區域大于或等于所述發光二極管芯片于所述載體上表面的投影區域。6.根據權利要求5所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括凸膠層，其中，所述凸膠層覆蓋所述消光膠體及所述封裝體。7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括分散式布拉格反射層，其設置于所述發光二極管芯片上。8.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括反射墻體，其設置于所述載體上表面且圍繞所述封裝體的側面。9.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，還進一步包括透光墻體，其設置于所述載體上表面且圍繞所述封裝體的側面，其中，所述封裝體的折射率與所述透光墻體的折射率相異。10.一種發光模塊，其特征在于，包括：電路基板；多如權利要求1所述的發光裝置，其設置于所述電路基板上并與所述電路基板電性連接；透光保護層，其覆蓋所述多個發光裝置，其中，由所述發光裝置射出的光束通過所述透光保護層并由所述透光保護層的一上表面射出；以及波長轉換層，其用以接收由所述透光保護層上表面射出的光束，并使所接收的光束的波長轉換為另一波長后，使所述光束由所述波長轉換層射出。11.根據權利要求10所述的發光模塊，其特征在于，所述透光保護層的折射率與所述封裝體的折射率相異。12.根據權利要求11所述的發光模...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姜柏丞，賴仁雄，曾子倫，
申請(專利權)人：億光電子工業股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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