提供了一種顯示裝置及制造其的方法。所述顯示裝置包括：基底；多個第一堤，在基底上在第一方向上延伸并且彼此間隔開；第一電極和第二電極，在第一方向上延伸并且在不同的第一堤上布置為彼此間隔開；第一絕緣層，設置在基底上并且部分地覆蓋第一電極和第二電極；以及多個發(fā)光元件，布置在第一絕緣層上并且具有分別布置在第一電極和第二電極上的兩端，其中，當向第一電極和第二電極施加磁場時，第一電極和第二電極產(chǎn)生電場。二電極產(chǎn)生電場。二電極產(chǎn)生電場。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術】顯示裝置及制造其的方法
[0001]本申請要求于2020年5月22日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10
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2020
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0061734號韓國專利申請的優(yōu)先權以及從其獲得的所有權益，該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。
[0002]本公開涉及一種顯示裝置及制造該顯示裝置的方法。
技術介紹
[0003]顯示裝置的重要性隨著多媒體的發(fā)展而增大，并且已經(jīng)使用了諸如有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置等的各種類型的顯示裝置。
[0004]作為用于顯示圖像的裝置的顯示裝置包括諸如OLED顯示面板或LCD面板的顯示面板。顯示面板可以包括諸如發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光元件，并且LED可以被分類為使用有機材料作為熒光材料的OLED和使用無機材料作為熒光材料的無機LED。
[0005]使用無機半導體作為熒光材料的無機LED即使在高溫環(huán)境中也是耐用的，并且具有比OLED高的藍光效率。此外，為了克服常規(guī)無機LED的限制，已經(jīng)開發(fā)了使用介電泳(DEP)的轉移方法。因此，對相比于有機發(fā)光二極管具有優(yōu)異的耐久性和效率的無機發(fā)光二極管的研究一直在繼續(xù)。
技術實現(xiàn)思路
[0006]技術問題
[0007]為了解決上述問題，本專利技術的示例性實施例提供了一種可以改善電極上的發(fā)光元件的對準度的制造顯示裝置的方法。
[0008]本專利技術的示例性實施例還提供了一種能夠使電極的氧化最小化的顯示裝置。
[0009]專利技術的另外的優(yōu)點、主題和特征將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地對于本領域普通技術人員在瀏覽以下內容后將變得明顯，或者可以從專利技術的實踐獲知。
[0010]技術方案
[0011]根據(jù)公開的實施例，顯示裝置包括：基底；多個第一堤，在基底上在第一方向上延伸，第一堤設置為彼此間隔開；第一電極和第二電極，在第一方向上延伸，第一電極和第二電極設置在不同的第一堤上以彼此間隔開；第一絕緣層，設置在基底上，第一絕緣層部分地覆蓋第一電極和第二電極；以及多個發(fā)光元件，設置在第一絕緣層上，多個發(fā)光元件中的每個的兩個端部分別放置在第一電極和第二電極上，其中，響應于被施加的磁場，第一電極和第二電極產(chǎn)生電場。
[0012]第一電極和第二電極對于400nm至700nm的波段具有20％至85％的反射率。
[0013]第一電極和第二電極具有800℃或更低的居里溫度。
[0014]第一電極和第二電極包括選自BiFeO3、六角鐵氧體、TbMn2O5和CoCr2O4中的至少一種。
[0015]響應于被施加的電場，第一電極和第二電極產(chǎn)生磁場。
[0016]顯示裝置還可以包括設置在第一電極與第一絕緣層之間以及第二電極與第一絕緣層之間的反射層。
[0017]反射層具有比第一電極或第二電極高的反射率。
[0018]顯示裝置還可以包括：第一接觸電極，設置在第一電極上以與發(fā)光元件的第一端部接觸；以及第二接觸電極，設置在第二電極上以與發(fā)光元件的第二端部接觸。
[0019]發(fā)光元件中的每個包括第一半導體層、第二半導體層和設置在第一半導體層與第二半導體層之間的至少一個發(fā)光層，并且第一半導體層、第二半導體層和至少一個發(fā)光層被絕緣膜圍繞。
[0020]根據(jù)公開的實施例，制造顯示裝置的方法包括以下步驟：制備包括第一電極層和第二電極層的目標基底，并且將包括溶劑和分散在溶劑中的發(fā)光元件的墨噴涂到目標基底上；在目標基底上產(chǎn)生第一電場，并且在目標基底上使發(fā)光元件在第一電場上初次對準；以及通過向第一電極層或第二電極層施加磁場來產(chǎn)生第二電場，并且在目標基底上使發(fā)光元件二次對準。
[0021]通過使電流流入第一電極層或第二電極層中來產(chǎn)生第一電場。
[0022]在使發(fā)光元件二次對準的步驟中，通過使用外部線圈將磁場施加到第一電極層或第二電極層。
[0023]第一電極層或第二電極層根據(jù)磁場的強度產(chǎn)生第二電場。
[0024]通過用第二電場在發(fā)光元件中誘導偶極矩以向發(fā)光元件施加旋轉扭矩來使發(fā)光元件旋轉并且重新對準。
[0025]通過向其施加磁場的第一電極層或第二電極層的磁力將旋轉扭矩添加到發(fā)光元件。
[0026]在使發(fā)光元件初次對準的步驟之后，從目標基底的一個區(qū)域到另一區(qū)域測量發(fā)光元件的對準度，并且將磁場施加到其中發(fā)光元件的對準度低的區(qū)域。
[0027]通過使用包括相機的檢查裝置獲取目標基底的每個區(qū)域的圖像并且測量發(fā)光元件的方位方向來測量發(fā)光元件的對準度。
[0028]通過測量設置在第一電極層與第二電極層之間的發(fā)光元件中的每個的兩個端部的位置來測量發(fā)光元件的方位方向。
[0029]所述方法還可以包括以下步驟：在使發(fā)光元件二次對準的步驟之后，去除溶劑，從而固定發(fā)光元件，使得發(fā)光元件的第一端部放置在第一電極上，并且發(fā)光元件的第二端部放置在第二電極上。
[0030]所述方法還可以包括以下步驟：在目標基底上形成第一絕緣層，并且從目標基底去除溶劑，并且將第一電極層的部分和第二電極層的部分斷開。
[0031]其它實施例的細節(jié)包括在具體實施方式和附圖中。
[0032]有益效果
[0033]根據(jù)本公開的示例性實施例，由于用于使發(fā)光元件對準的第一電極和第二電極由氧化物材料形成，因此可以防止第一電極和第二電極在顯示裝置的制造期間被氧化。
[0034]此外，由于用于使發(fā)光元件對準的第一電極和第二電極由具有多鐵性性質的材料形成，因此通過電場對準的發(fā)光元件可以通過磁場重新對準，因此，可以改善發(fā)光元件的對
準度。
[0035]根據(jù)實施例的效果不受上面例示的內容的限制，并且更多的各種效果包括在本公開中。
附圖說明
[0036]圖1是根據(jù)本公開的實施例的顯示裝置的示意性平面圖；
[0037]圖2是根據(jù)本公開的實施例的顯示裝置的像素的平面圖；
[0038]圖3是沿著圖2的線Q1
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Q1'、Q2
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Q2'和Q3
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Q3'截取的剖視圖；
[0039]圖4是根據(jù)本公開的實施例的發(fā)光元件的透視圖；
[0040]圖5是根據(jù)本公開的另一實施例的發(fā)光元件的透視圖；
[0041]圖6是示出根據(jù)本公開的實施例的制造顯示裝置的方法的流程圖；
[0042]圖7和圖8是示出根據(jù)本公開的實施例的制造顯示裝置的方法的一些制造工藝的剖視圖；
[0043]圖9是在圖8中所示的制造工藝期間的子像素的平面圖；
[0044]圖10和圖11是示出根據(jù)本公開的實施例的制造顯示裝置的方法的一些制造工藝的剖視圖；
[0045]圖12是在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造期間的子像素的平面圖；
[0046]圖13是示出根據(jù)示例性實施例的在顯示裝置的制造期間發(fā)光元件的布局的示意性剖視圖；
[0047]圖14是示出在根據(jù)示例性實施例的顯示裝置的制造期間如何布置發(fā)光元件的示意圖；<本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；多個第一堤，在所述基底上在第一方向上延伸，所述第一堤設置為彼此間隔開；第一電極和第二電極，在所述第一方向上延伸，所述第一電極和所述第二電極設置在不同的第一堤上以彼此間隔開；第一絕緣層，設置在所述基底上，所述第一絕緣層部分地覆蓋所述第一電極和所述第二電極；以及多個發(fā)光元件，設置在所述第一絕緣層上，所述發(fā)光元件中的每個的兩個端部分別放置在所述第一電極和所述第二電極上，其中，響應于被施加的磁場，所述第一電極和所述第二電極產(chǎn)生電場。2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極對于400nm至700nm的波段具有20％至85％的反射率。3.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極具有800℃或更低的居里溫度。4.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一電極和所述第二電極包括選自BiFeO3、六角鐵氧體、TbMn2O5和CoCr2O4中的至少一種。5.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，響應于被施加的電場，所述第一電極和所述第二電極產(chǎn)生磁場。6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：反射層，設置在所述第一電極與所述第一絕緣層之間以及所述第二電極與所述第一絕緣層之間。7.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置，其中，所述反射層具有比所述第一電極或所述第二電極高的反射率。8.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：第一接觸電極，設置在所述第一電極上以與所述發(fā)光元件的第一端部接觸；以及第二接觸電極，設置在所述第二電極上以與所述發(fā)光元件的第二端部接觸。9.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光元件中的每個包括第一半導體層、第二半導體層和設置在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的至少一個發(fā)光層，并且所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述至少一個發(fā)光層被絕緣膜圍繞。10.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：制備包括第一電極層和第二電極層的目標基底，并且將包括溶劑和分散在所述溶劑中的發(fā)光元件的墨噴涂到所述目標基底上；在所述目標基...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：洪光澤，宋明勳，金珍澤，裵城槿，李承珉，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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