一種濾波器以及濾波器的制備方法技術

本申請提供了一種濾波器以及濾波器的制備方法。該濾波器包括：襯底、位于襯底上的至少一個諧振器和至少一個連接點；諧振器包括下電極、壓電層和上電極的疊層，至少一個諧振器還包括調整結構，調整結構位于諧振器的下電極遠離襯底的一側；連接點包括第一導電層與導電結構，導電結構包括第二導電層和第三導電層中的至少一個，壓電層包括第一通槽，第一通槽用于露出第一導電層；第一導電層和下電極位于同層，第二導電層和上電極位于同層，第三導電層和調整結構位于同層。本申請提供的技術方案降低了壓電層的刻蝕難度，增大了連接點的串聯電阻，避免了諧振器的導電膜層圖形化過程中去除覆蓋連接點的部分從而造成材料的浪費。覆蓋連接點的部分從而造成材料的浪費。覆蓋連接點的部分從而造成材料的浪費。

【技術實現步驟摘要】
一種濾波器以及濾波器的制備方法


[0001]本申請涉及半導體
，尤其涉及一種濾波器以及濾波器的制備方法。

技術介紹

[0002]由薄膜體聲波諧振器構成的濾波器具有尺寸小、諧振頻率高、品質因數高等優點，在通信領域的應用范圍越來越廣泛。
[0003]對諧振器中諧振點的品質因數(記作諧振點Qs值)產生影響的因素包括壓電層的彈性損失、電極的彈性損失以及電極的串聯電阻等，對諧振器中反諧振點的品質因數(記作反諧振點Qp值)產生影響的因素有壓電層的彈性損失、電極的彈性損失、基板的電導、壓電層的介電損耗等因素，其中，下電極的串聯電阻對品質因數的影響較大。
[0004]參見圖1，圖1是現有技術中一種濾波器的結構示意圖，該濾波器包括襯底1以及位于襯底1表面的諧振器2和連接點3，諧振器2包括下電極20、壓電層21和上電極22的疊層，連接點3包括第一導電層30，第一導電層30和下電極20位于同層，第一導電層30和下電極20位于同層的含義是：第一導電層30和下電極20是通過對同一導電膜層進行圖形化工藝制備而來的。壓電層21設置有露出連接點3的第一通槽210，導電鍵合層4覆蓋連接點3，進而將諧振器2的電信號引出。其中，諧振器2包括左側諧振器2a和右側諧振器2b，左側諧振器2a還包括調整結構23，調整結構23包括質量負載層230和微結構231，微結構231在此示例性的是凸起結構。右側諧振器2b僅包括下電極20、壓電層21和上電極22的疊層。圖1中襯底1的空腔結構1a是通過在釋放孔添加腐蝕液對空腔結構1a內的犧牲層進行腐蝕之后制成的。
[0005]由于連接點3只包括和下電極20位于同層的第一導電層30，因此現有技術存在的缺陷有：第一方面，在把壓電層21刻蝕開露出連接點3的過程中，很容易造成對第一導電層30的過刻蝕，造成連接點3的串聯電阻增大，引起諧振點Qs值的惡化。第二方面，當諧振器的頻率大于或等于5G Hz時，如果下電極的膜厚小于或等于100nm，則第一導電層30的膜厚也小于或等于100nm，致使連接點3的厚度比較小，連接點3的串聯電阻太大，進一步造成諧振點Qs值的惡化。第三方面，諧振器2內其他的導電膜層在圖形化過程中均去除了覆蓋連接點3的部分(例如左側諧振器2a中的上電極22和調整結構23，或者右側諧振器2a中的上電極22)，造成了材料的浪費。

技術實現思路

[0006]本申請提供了一種濾波器以及濾波器的制備方法，以降低壓電層的刻蝕難度，增大連接點的串聯電阻，避免諧振器的導電膜層圖形化過程中去除覆蓋連接點的部分從而造成材料的浪費。
[0007]本申請提供了一種濾波器，包括：
[0008]襯底；
[0009]位于所述襯底上的至少一個諧振器和至少一個連接點；
[0010]所述諧振器包括下電極、壓電層和上電極的疊層，至少一個所述諧振器還包括調
整結構，所述調整結構位于所述諧振器的下電極遠離所述襯底的一側；
[0011]所述連接點包括第一導電層與導電結構，所述導電結構包括第二導電層和第三導電層中的至少一個，所述壓電層包括第一通槽，所述第一通槽用于露出所述第一導電層，所述導電結構設置于所述第一通槽內；所述第一導電層和所述下電極位于同層，且所述第一導電層在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一通槽在所述襯底上的正投影，所述第二導電層和所述上電極位于同層，所述第三導電層和所述調整結構位于同層，所述連接點和所述上電極或者所述下電極連接，所述連接點用于引出所述諧振器的電信號。
[0012]可選地，所述調整結構包括微結構和質量負載層中的至少一個；
[0013]所述第三導電層包括第一導電子層和第二導電子層中的至少一個，所述第一導電子層和所述微結構位于同層，所述第二導電子層和所述質量負載層位于同層。
[0014]可選地，所述諧振器包括有效諧振區域，所述至少一個諧振器包括第一諧振器，所述第一諧振器的上電極包括電連接側和非電連接側，所述電連接側與所述連接點連接，所述非電連接側與所述連接點絕緣設置；
[0015]所述非電連接側在所述襯底的正投影位于所述有效諧振區域內。
[0016]可選地，所述第一通槽的側面與底面的夾角大于90
°
。
[0017]可選地，所述至少一個連接點包括第一連接點、第二連接點和第三連接點；
[0018]所述至少一個諧振器包括第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器；
[0019]所述第一連接點與所述第二諧振器的下電極連接；
[0020]所述第二連接點與所述第二諧振器的上電極連接，且所述第二連接點與所述第三諧振器的下電極連接；
[0021]所述第三連接點與所述第四諧振器的上電極連接。
[0022]可選地，所述濾波器還包括導電鍵合層和蓋板；
[0023]所述導電鍵合層覆蓋所述第一連接點和所述第三連接點；或者，所述導電鍵合層覆蓋所述第一連接點、所述第二連接點和所述第三連接點；
[0024]所述蓋板位于所述導電鍵合層遠離所述襯底的一側，所述蓋板遠離所述襯底的一側設置有導電連接結構，所述導電連接結構通過位于所述蓋板的導電通孔結構與所述導電鍵合層連接。
[0025]可選地，所述濾波器還包括密封結構，所述密封結構位于所述襯底與所述蓋板之間，環繞所述諧振器和所述連接點設置。
[0026]可選地，所述密封結構包括第一密封部和第二密封部，所述第一密封部包括第一密封子層與密封子結構，所述密封子結構包括第二密封子層和第三密封子層中的至少一個，所述壓電層還包括第二通槽，所述第二通槽用于露出所述第一密封子層，所述密封子結構設置于所述第二通槽內；所述第一密封子層和所述下電極位于同層，且所述第一密封子層在所述襯底上的正投影覆蓋所述第二通槽在所述襯底上的正投影，所述第二密封子層和所述上電極位于同層，所述第三密封子層和所述調整結構位于同層；所述第二密封部和所述導電鍵合層位于同層。
[0027]本申請還提供了一種濾波器的制備方法，包括：
[0028]提供襯底；
[0029]在所述襯底上形成至少一個諧振器和至少一個連接點；
[0030]所述諧振器包括下電極、壓電層和上電極的疊層，至少一個所述諧振器還包括調整結構，所述調整結構位于所述諧振器的下電極遠離所述襯底的一側；
[0031]所述連接點包括第一導電層與導電結構，所述導電結構包括第二導電層和第三導電層中的至少一個，所述壓電層包括第一通槽，所述第一通槽用于露出所述第一導電層，所述導電結構設置于所述第一通槽內；所述第一導電層和所述下電極位于同層，且所述第一導電層在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一通槽在所述襯底上的正投影，所述第二導電層和所述上電極位于同層，所述第三導電層和所述調整結構位于同層，所述連接點和所述上電極或者所述下電極連接，所述連接點用于引出所述諧振器的電信號。
[0032]可選地，在所述襯底的表面形成至少一個諧振器和至少一個連接點包括：
[0033]在所述襯底的表面形成下電極和第一導電層，所述下電本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種濾波器，其特征在于，包括：襯底；位于所述襯底上的至少一個諧振器和至少一個連接點；所述諧振器包括下電極、壓電層和上電極的疊層，至少一個所述諧振器還包括調整結構，所述調整結構位于所述諧振器的下電極遠離所述襯底的一側；所述連接點包括第一導電層與導電結構，所述導電結構包括第二導電層和第三導電層中的至少一個，所述壓電層包括第一通槽，所述第一通槽用于露出所述第一導電層，所述導電結構設置于所述第一通槽內；所述第一導電層和所述下電極位于同層，且所述第一導電層在所述襯底上的正投影覆蓋所述第一通槽在所述襯底上的正投影，所述第二導電層和所述上電極位于同層，所述第三導電層和所述調整結構位于同層，所述連接點和所述上電極或者所述下電極連接，所述連接點用于引出所述諧振器的電信號。2.根據權利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述調整結構包括微結構和質量負載層中的至少一個；所述第三導電層包括第一導電子層和第二導電子層中的至少一個，所述第一導電子層和所述微結構位于同層，所述第二導電子層和所述質量負載層位于同層。3.根據權利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述諧振器包括有效諧振區域，所述至少一個諧振器包括第一諧振器，所述第一諧振器的上電極包括電連接側和非電連接側，所述電連接側與所述連接點連接，所述非電連接側與所述連接點絕緣設置；所述非電連接側在所述襯底的正投影位于所述有效諧振區域內。4.根據權利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述第一通槽的側面與底面的夾角大于90
°
。5.根據權利要求1所述的濾波器，其特征在于，所述至少一個連接點包括第一連接點、第二連接點和第三連接點；所述至少一個諧振器包括第二諧振器、第三諧振器和第四諧振器；所述第一連接點與所述第二諧振器的下電極連接；所述第二連接點與所述第二諧振器的上電極連接，且所述第二連接點與所述第三諧振器的下電極連接；所述第三連接點與所述第四諧振器的上電極連接。6.根據權利要求5所述的濾波器，其特征在于，所述濾波器還包括導電鍵合層和蓋板；所述導電鍵合層覆蓋所述第一連接點和所述第三連接點；或者，所述導電鍵合層覆蓋所述第一連接點、所述第二連接點和所述第三連接點；所述蓋板位于所述導電鍵合層遠離所述襯底的一側，所述蓋板遠離所述襯底的一側設置有導電連接結構，所述導電連接結構通過位于所述蓋板的導電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王礦偉，楊清華，
申請(專利權)人：蘇州漢天下電子有限公司，
類型：發明
國別省市：