本實用新型專利技術(shù)公開了一種晶圓切割刀片,其包括刀片本體和刀頭。刀片本體為圓環(huán)形。刀頭設(shè)置在刀片本體外圈表面。刀頭包括并列設(shè)置的一個主刀頭和多圈副刀頭。主刀頭為一個環(huán)狀刀片,多圈副刀頭對稱設(shè)置在主刀頭兩側(cè)。本實用新型專利技術(shù)通過設(shè)置主刀頭和高度可調(diào)節(jié)的多圈副刀頭,使得整個刀頭的切割寬度可以調(diào)節(jié),根據(jù)切割道的寬度調(diào)節(jié)各圈副刀頭的高度,不需要更換不同寬度的刀頭就能夠應(yīng)對多種寬度的切割道的晶圓切割,加快了作業(yè)時間,提高了工作效率;通過合理調(diào)節(jié)各圈副刀頭的高度,將其呈階梯狀對稱設(shè)置在主刀頭兩側(cè)時,能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓的切割面是斜面,滿足了晶圓切割面的多樣化需求。滿足了晶圓切割面的多樣化需求。滿足了晶圓切割面的多樣化需求。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
晶圓切割刀片
[0001]本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝
,尤其是涉及一種晶圓切割刀片。
技術(shù)介紹
[0002]芯片封裝過程通常是先將來自晶圓前道工藝的晶圓通過減薄劃片的工藝,將整片晶圓切割成一個個的單顆芯片,然后將單顆芯片進(jìn)行一系列的焊接、包封、切割等工序,形成最終的芯片成品。晶圓劃片或切割屬后道封裝測試工序,在半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中是必不可少的。晶圓劃片的切割方式有兩種:激光劃片和機(jī)械式金剛石刀片劃片。目前機(jī)械式金剛石刀片劃片是主流的劃片方式。封裝前的晶圓切割和封裝后的基板切割,是整個封裝過程中不可缺少的重要工序,切割品質(zhì)的好壞直接影響到產(chǎn)品的質(zhì)量及性能,切割刀片也會對切割制程中產(chǎn)品品質(zhì)產(chǎn)生重要影響。
[0003]現(xiàn)有的晶圓切割刀片,是在圓環(huán)狀的刀片本體外圈表面上安裝一個環(huán)形刀頭,刀頭的刀刃寬度單一,一個刀頭只能對應(yīng)的切割一種寬度的切割道的晶圓,根據(jù)切割道的寬度不同,要更換不同寬度刀頭才能繼續(xù)作業(yè),增加了作業(yè)時間,降低了工作效率。切割晶圓后,晶圓的切割面只能是平整的單一的豎直平面,若有需要切割面是斜面的情況,需要另外再對晶圓進(jìn)行加工,比較費時。
[0004]因此,亟需一項新的晶圓切割刀片,以克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0005]本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種新的晶圓切割刀片。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本技術(shù)提供了一種晶圓切割刀片,其包括刀片本體和刀頭。刀片本體為圓環(huán)形。刀頭設(shè)置在刀片本體外圈表面。刀頭包括并列設(shè)置的一個主刀頭和多圈副刀頭。主刀頭為一個環(huán)狀刀片,多圈副刀頭對稱設(shè)置在主刀頭兩側(cè)。單圈副刀頭沿其徑向可升降地連接在刀片本體外圈表面。單圈副刀頭的可升降設(shè)置,使得整個刀頭的切割寬度可以調(diào)節(jié),能夠應(yīng)對多種寬度的切割道的晶圓切割。
[0007]在一些實施方式中,單圈副刀頭由多個單獨的刀體圍繞刀片本體的外圈表面均勻且緊密排列形成。
[0008]在一些實施方式中,刀片本體外圈表面設(shè)有固定平臺,主刀頭固定連接在固定平臺上,副刀頭沿其徑向可升降地連接在固定平臺上。
[0009]在一些實施方式中,副刀頭通過升降件連接在固定平臺上,升降件的升降端固定連接副刀頭。
[0010]在一些實施方式中,主刀頭和副刀頭均為金剛石刀片。
[0011]本技術(shù)提供的晶圓切割刀片,與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下有益效果:
[0012]1、通過設(shè)置主刀頭和高度可調(diào)節(jié)的多圈副刀頭,使得整個刀頭的切割寬度可以調(diào)節(jié),根據(jù)切割道的寬度調(diào)節(jié)各圈副刀頭的高度,不需要更換不同寬度的刀頭就能夠應(yīng)對多
種寬度的切割道的晶圓切割,加快了作業(yè)時間,提高了工作效率;
[0013]2、單圈副刀頭由多個單獨的刀體圍繞刀片本體的外圈表面均勻且緊密排列形成,各刀片通過升降件實現(xiàn)高度調(diào)節(jié),整個結(jié)構(gòu)設(shè)置的極為巧妙;
[0014]3、通過合理調(diào)節(jié)各圈副刀頭的高度,將其呈階梯狀對稱設(shè)置在主刀頭兩側(cè)時,能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓的切割面是斜面,滿足了晶圓切割面的多樣化需求。
附圖說明
[0015]圖1為本技術(shù)中晶圓切割刀片側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖2為本技術(shù)中刀頭的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0017]圖3為圖1中晶圓切割刀片截面的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0018]圖4為刀片切割晶圓產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0019]下面結(jié)合附圖和實施例,對本技術(shù)的具體實施方式作進(jìn)一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本技術(shù)的技術(shù)方案,而不能以此來限制本技術(shù)的保護(hù)范圍。
[0020]圖1為本實施方式提供的晶圓切割刀片側(cè)面的結(jié)構(gòu)示意圖,其包括刀片本體1和刀頭2。刀片本體1為圓環(huán)形,該圓環(huán)形的軸孔101與切割機(jī)臺的切割主軸連接。刀頭2設(shè)置在刀片本體1外圈表面。
[0021]本實施方式提供的刀頭2的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示,刀頭2包括并列設(shè)置的一個主刀頭201和多圈副刀頭202。主刀頭201為一個環(huán)狀刀片,多圈副刀頭202對稱設(shè)置在主刀頭201兩側(cè)。
[0022]如圖3所示,單圈副刀頭202沿其徑向可升降地連接在刀片本體1外圈表面。單圈副刀頭202的可升降設(shè)置,使得整個刀頭2的切割寬度可以調(diào)節(jié),能夠應(yīng)對多種寬度的切割道的晶圓切割。具體的,單圈副刀頭202由多個單獨的刀體2021圍繞刀片本體1的外圈表面均勻且緊密排列形成。單圈副刀頭202和主刀頭201一樣,也是呈現(xiàn)為一個環(huán)狀的刀片。
[0023]單圈副刀頭202的可升降設(shè)置具體為:在刀片本體1外圈表面設(shè)置一個固定平臺3,主刀頭201固定連接在固定平臺3上。副刀頭202沿其徑向可升降地連接在固定平臺3上。更具體地,副刀頭202中各個單獨的刀體2021可以通過多個升降件4連接在固定平臺3上,升降件4的升降端分別固定連接各個單獨的刀體2021。通過升降件4可以單獨調(diào)節(jié)刀體2021的高度,以實現(xiàn)單圈副刀頭202的整體高度。本實施方式中的升降件4可以采用微型伸縮桿。
[0024]本實施方式中的主刀頭201和副刀頭202均采用金剛石刀片。
[0025]本實施方式提供的晶圓切割刀片在實施時,根據(jù)晶圓切割道的寬度調(diào)節(jié)各圈副刀頭202的高度。如果切割道的寬度是主刀頭201寬度的3倍,那么就調(diào)整靠近主刀頭201兩側(cè)的兩圈副刀頭202高度,使其高度與主刀頭201的高度相等。這樣既可實現(xiàn)對切割道的寬度是主刀頭201寬度的3倍的晶圓進(jìn)行切割。而不需要更換不同寬度的刀頭2,加快了作業(yè)時間,提高了工作效率。
[0026]在面對晶圓切割面需要是斜面的情況下,如圖4所示,通過合理調(diào)節(jié)各圈副刀頭202的高度,將各副刀頭202呈階梯狀對稱設(shè)置在主刀頭201兩側(cè)時,就能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓的切割
面是斜面。斜面的坡度大小也可以通過調(diào)整各副刀頭202的階梯狀坡度大小來實現(xiàn),滿足晶圓切割面為斜面的多樣化需求。
[0027]以上所述僅是本技術(shù)的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本
的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本技術(shù)技術(shù)原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本技術(shù)的保護(hù)范圍。
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【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.晶圓切割刀片,其特征在于,包括刀片本體和刀頭,所述刀片本體為圓環(huán)形,所述刀頭設(shè)置在刀片本體外圈表面,所述刀頭包括并列設(shè)置的一個主刀頭和多圈副刀頭,所述主刀頭為一個環(huán)狀刀片,多圈所述副刀頭對稱設(shè)置在主刀頭兩側(cè),單圈所述副刀頭沿其徑向可升降地連接在刀片本體外圈表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓切割刀片,其特征在于,單圈所述副刀頭由多個單獨的刀體圍繞刀片本體的外圈表面均勻且緊密排列形...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:王乾,陳晗玥,
申請(專利權(quán))人:江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司,
類型:新型
國別省市:
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