本發(fā)明專利技術(shù)的薄膜通過調(diào)整在包含SiO
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
具有組分梯度無機(jī)層的薄膜、其制造方法和顯示裝置
[0001]本專利技術(shù)涉及一種具有組成梯度無機(jī)層的薄膜、其制備方法和顯示裝置。
技術(shù)介紹
[0002]隨著IT設(shè)備的發(fā)展所帶來的需求，顯示技術(shù)正在不斷發(fā)展，曲面顯示和通風(fēng)顯示等技術(shù)已經(jīng)步入商業(yè)化進(jìn)程。近來，在同時(shí)要求實(shí)現(xiàn)大屏幕和便攜性的移動(dòng)設(shè)備的領(lǐng)域，優(yōu)選能夠根據(jù)外力靈活彎曲或折疊的柔性顯示裝置。尤其是可折疊的顯示裝置，其最大的優(yōu)點(diǎn)便是不使用時(shí)可折疊縮小，增加便攜性，使用時(shí)，展開實(shí)現(xiàn)大屏。
[0003]透明聚酰亞胺薄膜或超薄玻璃(UTG)被適用于柔性顯示裝置的窗口，但依然存在一些問題，透明聚酰亞胺薄膜易受到外部劃痕的影響，缺乏對(duì)水分或氧氣的阻隔性能，而超薄玻璃則防碎性較弱。因此，窗口表面現(xiàn)適用具有良好的耐刮擦性和耐透濕性的無機(jī)薄膜，如金屬氧化物或金屬氮化物的保護(hù)膜。此外，近年來為了防止外部光在顯示器前表面反射導(dǎo)致可視性下降，正在開發(fā)表面處理技術(shù)，用于降低適用于顯示裝置前表面膜的反射率。
[0004]例如，日本公開專利公報(bào)第2003～098306號(hào)公開了一種膜，其表面由氧化硅層和氧化銦錫層交替堆疊從而具有抗反射效果，同時(shí)通過在其表面上沉積致密的碳基薄膜來賦予其耐刮擦性。然而，問題在于制作該膜須通過單獨(dú)沉積碳基薄膜以提高耐刮擦性，此工藝過于繁瑣且降低了透明度。
[0005][參考文獻(xiàn)][0006](專利文獻(xiàn)1)日本公開專利公報(bào)第2003～098306號(hào)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0007]專利技術(shù)所要解決的課題
[0008]目前正在開發(fā)與基材的粘接性和透明度優(yōu)異的SiOx薄膜，或具有高耐刮擦性的SiC
y
薄膜適用于可折疊顯示裝置窗口的保護(hù)膜，但依然存在SiO
x
薄膜缺乏耐刮擦性以及SiC
y
薄膜透明度較差的缺點(diǎn)。
[0009]為了解決這一技術(shù)問題，正在嘗試組合適用SiO
x
薄膜和SiC
y
薄膜或者應(yīng)用經(jīng)適當(dāng)調(diào)整碳氧比的SiO
x
C
y
薄膜，但隨著薄膜的數(shù)量增加，折疊時(shí)發(fā)生層間剝離的可能性也會(huì)增加，而目前被熟知的SiO
x
C
y
薄膜未能充分發(fā)揮SiO
x
薄膜和SiC
y
薄膜的優(yōu)點(diǎn)。
[0010]針對(duì)這一問題，本專利技術(shù)通過在厚度方向調(diào)整不同的碳氧比從而實(shí)現(xiàn)可有效提供兼具SiO
x
薄膜和SiC
y
薄膜優(yōu)點(diǎn)的薄膜。此外，通過將卷對(duì)卷方法應(yīng)用于如反應(yīng)等離子體濺射等沉積工藝，在前端和后端以調(diào)整不同的反應(yīng)氣體注入量，可以有效制備此膜。
[0011]因此，本專利技術(shù)提供一種可用于保護(hù)折疊顯示裝置窗口的薄膜、其制造方法和包含其的顯示裝置，其具有優(yōu)異的光學(xué)性、耐刮擦性及折疊性。
[0012]解決課題的技術(shù)手段
[0013]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，本專利技術(shù)提供一種薄膜，包含基底層和第一無機(jī)層，所述第一無機(jī)層設(shè)置在所述基底層的一側(cè)表面；其中所述第一無機(jī)層包含碳氧化硅SiO
x
C
y
，且氧含量比和
碳含量比在厚度方向發(fā)生變化。
[0014]根據(jù)另一實(shí)施例，本專利技術(shù)提供一種薄膜的制備方法包含在基底層的一側(cè)表面沉積所述第一無機(jī)層的步驟，其中，所述第一無機(jī)層包含碳氧化硅SiO
x
C
y
；在所述第一無機(jī)層中，使得氧含量比和碳含量比在厚度方向發(fā)生變化。
[0015]根據(jù)另一實(shí)施例，本專利技術(shù)提供一種包含實(shí)施例所述的顯示裝置，其包含顯示面板；設(shè)置在所述顯示面板的前表面的窗口；和設(shè)置在所述窗口表面的保護(hù)膜；其中，所述保護(hù)膜包含實(shí)施例中的薄膜。
[0016]專利技術(shù)效果
[0017]根據(jù)所述實(shí)施例的薄膜通過在包含所述碳氧化硅SiO
x
C
y
的無機(jī)層的厚度方向以調(diào)整不同的氧含量比和碳含量比，有效地提供了SiO
x
薄膜和SiC
y
薄膜的優(yōu)點(diǎn)，相較于將這兩種薄膜組合在一起的傳統(tǒng)薄膜，折疊耐久性更加優(yōu)異。
[0018]具體通過增加包含碳氧化硅SiO
x
C
y
的無機(jī)層兩側(cè)中與基底層粘接面的氧含量比，并在另一側(cè)增加碳含量比，以此提高與基底層的粘接力和透明度的同時(shí)賦予表面耐刮擦性，并可以將該無機(jī)層實(shí)現(xiàn)為單層。此外，還可以通過層壓結(jié)構(gòu)提供抗反射功能，所述層壓結(jié)構(gòu)由所述無機(jī)層和其他折射率不同的層結(jié)合而成。
[0019]尤其是上述實(shí)施例的薄膜可以通過將卷對(duì)卷方法適用于如反應(yīng)等離子體濺射等沉積工藝，在前端和后端以調(diào)整不同的反應(yīng)氣體注入量，從而有效地制備而成。
[0020]因此，上述實(shí)施例的薄膜可適用于保護(hù)如折疊顯示裝置等需要具備光學(xué)特性、戶外可視性、耐刮擦性和折疊性的多種產(chǎn)品的保護(hù)膜。
附圖說明
[0021]圖1顯示一實(shí)施例的薄膜橫截面。
[0022]圖2顯示另一實(shí)施例的薄膜橫截面。
[0023]圖3顯示一實(shí)施例的薄膜制備方法。
[0024]圖4顯示另一實(shí)施例的薄膜制備方法。
[0025]圖5顯示根據(jù)一實(shí)施例的薄膜的無機(jī)層深度的SIMS結(jié)果。
[0026]圖6顯示薄膜樣品的折疊測(cè)試的一例。
[0027]圖7顯示一實(shí)施例的顯示裝置的分解透視圖。
[0028]圖8a和8b分別顯示外折疊和內(nèi)折疊類型的柔性顯示裝置。
[0029]附圖標(biāo)記說明
[0030]1：顯示裝置，1a：內(nèi)折疊式柔性顯示裝置，1b：外折疊式柔性顯示裝置，3：折疊測(cè)試儀，10：(保護(hù))薄膜，10a：薄膜樣品，20：窗口，30：顯示面板，100：基底層，201：高氧比的粒子，202：高碳比的粒子，210：第一無機(jī)層，211：第一面，212：第2面，220：第二無機(jī)層300：靶材，310：第一靶材，320：第二靶材，330：第三靶材，340：第四靶材，350：第五靶材，401：第一噴嘴，402：第二噴嘴，501：放電氣體，502：反應(yīng)氣體，600：等離子體，710：滾筒，720：解卷輥，730：卷繞輥，T：第一無機(jī)層的厚度，p1、p2：折疊點(diǎn)。
具體實(shí)施方式
[0031]下面將參考附圖詳細(xì)說明各種實(shí)施例。
[0032]在說明實(shí)施例時(shí)，如果確定相關(guān)已知結(jié)構(gòu)或功能的特定描述可能模糊實(shí)施例的要點(diǎn)，則省略其詳細(xì)描述。此外，圖中每個(gè)結(jié)構(gòu)要素的大小可以為了說明目的而被夸大或省略，并且可能與實(shí)際應(yīng)用的大小不同。
[0033]在本文中，描述一個(gè)結(jié)構(gòu)要素形成于其它結(jié)構(gòu)要素之上/之下，或者彼此連接或結(jié)合，包括通過直接形成或介于其它結(jié)構(gòu)要素間接地形成、連接或結(jié)合。還應(yīng)當(dāng)理解，每個(gè)結(jié)構(gòu)要素的上/下的基準(zhǔn)可因觀察物體的方向而異。
[0034]這里用來指代每個(gè)結(jié)構(gòu)要素的術(shù)語是用來區(qū)別于其它結(jié)構(gòu)要素的，并不用于限制實(shí)施例。此外，除非另有說明單數(shù)在此表示上下文未明確指代的復(fù)數(shù)的表達(dá)方式
[003本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種薄膜，包含：基底層，和第一無機(jī)層，所述第一無機(jī)層設(shè)置在所述基底層的一側(cè)表面；所述第一無機(jī)層包含碳氧化硅SiO
x
C
y
，且氧含量比和碳含量比在厚度方向發(fā)生變化。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述第一無機(jī)層具有與所述基底層相向的第一表面，和與所述第一表面相反的第二表面；隨著從第一表面到第二表面而氧含量比逐漸減小，碳含量比逐漸增加。3.如權(quán)利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述第一表面中，氧O:碳C的原子比為1.5～1.9:0.1～0.5，所述第二表面中，氧O:碳C的原子比為0.05～0.1:0.8～0.9。4.如權(quán)利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜具有40％～60％的由下式定義的Txy：Txy(％)＝[(T0
?
T1)/T0]
×
100其中，T0為所述第一無機(jī)層的厚度，單位為nm；T1為從所述第二表面到所述第一表面的厚度方向上通過SIMS進(jìn)行成分分析時(shí)，測(cè)量到氧與碳的原子比x/y為2的地點(diǎn)的深度(nm)。5.如權(quán)利要求2所述的薄膜，從所述第一無機(jī)層的第二表面到第一表面的厚度方向上通過SIMS進(jìn)行成分分析時(shí)，隨著測(cè)量深度每增加10nm，與上述第二表面的碳含量相比，碳含量減少4％～8％。6.如權(quán)利要求1所述的薄膜，其特征在于，將所述薄膜的尺寸裁切為長15cm寬2.54cm，在常溫條件下，以每2秒1次的速度重復(fù)折疊試驗(yàn)使基底層向內(nèi)折疊并使其曲率半徑為2R，直至發(fā)生層間剝離或開裂，此時(shí)折疊次數(shù)達(dá)到40000次以上，總透光率為85％以上；根據(jù)JIS
?
5400...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李镕旭，樸鐘湖，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：愛思開希高科技材料有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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