鄰菲啰啉衍生物、有機電致發光器件及顯示或照明裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供了鄰菲啰啉衍生物、有機電致發光器件和顯示或照明裝置。該有機電致發光器件中的電荷生成層和電子傳輸層中至少一者包含鄰菲啰啉衍生物，其中，鄰菲啰啉衍生物由下式1表示：本發明專利技術的有機電致發光器件具有優異的發光效率和降低的驅動電壓。的驅動電壓。的驅動電壓。

【技術實現步驟摘要】
鄰菲啰啉衍生物、有機電致發光器件及顯示或照明裝置


[0001]本專利技術涉及鄰菲啰啉衍生物，更具體而言，涉及一種鄰菲啰啉衍生物和包含其的有機電致發光器件。

技術介紹

[0002]發光器件是利用有機物質將電能轉換為光能的器件，其包含在陽極和陰極之間可發光可能的有機物層的結構。有機電致發光器件可以形成多種結構，其重復數的發光部疊加的重疊(tendem)型有機電致發光器件的研究。在重疊(tendem)型有機發光器件中，在陽極和陰極之間，包含發光層的發光單元堆疊。
[0003]在鄰近的發光部之間有電荷生成層，用于電荷的生成和移動。
[0004]電荷生成層需要低驅動電壓和高效率。

技術實現思路

[0005]本專利技術的目的是提供一種鄰菲啰啉衍生物，包含該衍生物的有機電致發光器件具有優異的效率和低的驅動電壓。為了實現本專利技術的目的，本專利技術的技術方案如下：
[0006]本專利技術提供了一種鄰菲啰啉衍生物，其結構式如式1所示：
[0007][0008]其中，Ar1和Ar2各自獨立地選自取代或未取代的C12～C30鄰菲啰啉衍生物，
[0009]其中所述鄰菲啰啉衍生物由下式1
?
1至1
?
6中的任一者表示：
[0010][0011]其中，R1至R
16
各自獨立地選自取代或未取代的氫、氘、鹵素、烷基、C6～C30芳基和C5～C30雜芳基；
[0012]L選自單鍵、取代或未取代的C5～C30吡啶基。
[0013]優選地，其中所述鄰菲啰啉衍生物為以下各項中任一者：
[0014][0015][0016]本專利技術進一步提供了一種有機電致發光器件，其包括：
[0017]第一電極；
[0018]第二電極；及
[0019]有機物層，其位于所述第一電極和所述第二電極之間；其中，
[0020]所述有機物層包括上述鄰菲啰啉衍生物。
[0021]更優選地，其中所述有機物層為電荷生成層或電子傳輸層。
[0022]更優選地，其中所述電荷生成層為N型電荷生成層。
[0023]更優選地，其中所述N型電荷生成層可由金屬或摻雜有n型的有機材料構成。
[0024]更優選地，其中所述金屬選自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy或Yb。
[0025]本專利技術又提供了一種有機電致發光器件，其包括：
[0026]第一電極；
[0027]第二電極；
[0028]第一發光層的第一發光部，其位于所述第一電極與所述第二電極之間；
[0029]第二發光層的第二發光部，其位于所述第二電極與所述第一發光部之間；及
[0030]第一電荷生成層，其位于所述第一發光部和所述第二發光部之間；
[0031]所述第一發光部、所述第二發光部或所述第一電荷生成層中至少一者包含上述鄰
菲啰啉化合物。
[0032]本專利技術又提供了一種顯示或照明裝置，其包括上述有機電致發光器件。
[0033][0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042][0043][0044]附圖說明
[0045]圖1是本專利技術實施例的有機電致發光器件的結構層圖。
具體實施方式
[0046]本專利技術的另一個目的是將n型電荷生成層和p型電荷生成層之間的能量等級差異最小化為發光部提供能夠提高電子注入 量的一種鄰菲啰啉衍生物及包含該化合物有機發光器件。本專利技術的另一個目的是，即使n型電荷生成層被堿性金屬摻雜時，提供了能將堿金屬擴散到p型電荷生成層的現象最小 化的一種鄰菲啰啉衍生物及包含其的有機電致發光器件。根據本專利技術提供了一種包含鄰菲啰啉衍生物的有機電致發光器件，將n型電荷生成層和p型電荷生成層之間的能量等級 差異最小化，提高發光部的電子注入量，從而降低驅動電壓和提高效率。根據本專利技術，n型電荷生成層被堿性金屬摻雜情況下，堿金屬為了牢牢地滲透到主化合物鄰菲啰啉化合物中，將堿金屬 向p型電荷生成層擴散的現象最小化，從而使有機發光素的器件。在式1中，鄰菲啰啉衍生物包含四個氮原子，并在R1
?
R16引入芳香族化合物和雜芳基，使氮原子的電子更加 豐富，因此更快的電子遷移率促進電子傳輸。此外，N型電荷生成層(N
?
CGL)中包含sp2雜化軌道的氮，該 氮與作為N型電荷生成層摻雜的金屬結合形成間隙狀態(Gap state)。因此，電子可以通過間隙狀態從P型電 荷生成層(P
?
CGL)平滑地轉移到N型電荷生成層(N
?
CGL)。此外，通過在上述核心結構中引入各種取代基，可以合成具有引入的取代基的固有性質的化合物。例如， 制造有機電致發光器件使用的空穴注入層材料和空穴傳輸層材料沿著最高能級軌道軌道(HOMO)輸送空穴的化 合物和阻擋從發光層沿最低能級軌道(LUMO)越過的電子的化合物。
特別是，該化合物的核心結構對電子具有穩定的特性，可以對提高器件壽命?？梢灾苽渚哂羞m當的能量帶 隙的用于電子傳輸層和空穴阻擋物質。此外，通過在核心結構中引入各種取代基，可以微調能帶隙，同時改善有機材料之間的界面性質，使材料 的用途多樣化。其中，電荷生成層(CG)包括P型電荷生成層(CGP)和N型電荷生成層(CGN)位于包括第一空穴傳輸層、第一發光層、第一 電子傳輸層的第一發光部和依次包括第二空穴傳輸層、第二發光層和第二電子傳輸層的第二發光部之間，由PN連接結構組 成，連接上述第一發光部和第二發光部。即，上述第一電子傳輸層上面PN接合結構，并提供包括P型電荷生成層(CGP)和N型電荷生成層(CGN)的電荷生成層， 上述N型電荷提供生成層材料可以使用根據本專利技術的由式1表示的菲咯啉的化合物。這里，N型電荷生成層向第一發光部的 第一電子傳輸層提供電子，第一電子傳輸層向第一發光層提供電子，P型電荷生成層為第二發光層是第二發光部的第二第二 空穴傳輸層提供空穴，第二空穴傳輸層是第二發光部提供空穴。這里，第一發光部的第一發光層；以及第二發光部分的第二發光層；每個可以包括相同或不同的主體和相同或不同的摻 雜劑。另外，在根據本專利技術實施例的有機電致發光器件中，空穴注入層(30)位于在陽極(20)和第一空穴傳輸層(40
?
1)之間， 第二電子傳輸層(60
?
2)位于電子注入層(70)和陰極(80)之間。所述的有機電致發光器件可以有多種變化。一些有機層可能被省略或增加，可能不是重疊結構，也可能是2個或4個以 上發光層的重疊。另外，有機電致發光器件可以包含電子傳輸和電子注入同時進行有機層，在這種情況下也可以使用本專利技術 的鄰菲啰啉衍生物。實施例
[0047]本專利技術的有機電致發光器件的制備方法沒有特殊的限制，除了使用式1所示的鄰菲啰啉衍生物之外，其它采用本領域技術人員公知的發光器件的制備方法和材料制備得到即可。
[0048]實施例1：化本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.鄰菲啰啉衍生物，其結構式如式1所示：其中，Ar1和Ar2各自獨立地選自取代或未取代的C12～C30鄰菲啰啉衍生物，其中所述鄰菲啰啉衍生物由下式1
?
1至1
?
6中的任一者表示：其中，R1至R
16
各自獨立地選自取代或未取代的氫、氘、鹵素、烷基、C6～C30芳基和C5～C30雜芳基；L選自單鍵、取代或未取代的C5～C30吡啶基。2.根據權利要求1所述的鄰菲啰啉衍生物，其中所述鄰菲啰啉衍生物為以下各項中任一者：
3.有機電致發光器件，其包括：第一電極；第二電極；及有機物層，其位于所述第一電極和所述第二電極之間；其中，所述有機物層包括權利要求1或2所述的鄰菲啰啉衍生物。4.根據權利要求3所述的有機電致發光器件，其中所述有機物層為電荷生成層或電子傳輸層。5....

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙曉宇，高春吉，
申請(專利權)人：浙江華顯光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：