一種雙通大面積TiO2納米管陣列膜的制備方法技術

本發明專利技術公開了一種雙通大面積ＴｉＯ↓［２］納米管陣列膜的制備方法，包括以下步驟：對經預處理的純鈦片進行陽極氧化，制得一級初步產品；用去離子水清洗后放入盛有無水乙醇的器皿中，再將器皿置于超聲波清洗器內進行超聲震蕩，使ＴｉＯ↓［２］納米管陣列膜與純鈦基體分離，獲得二級初步產品；用無水乙醇清洗干凈后，放入臨界ＣＯ↓［２］氣氛干燥箱中進行干燥，獲得底部帶有阻擋層的三級初步產品；放入混合酸溶液中酸洗去掉底部的阻擋層后獲得成品；將所述成品放入無水乙醇進行清洗并晾干或烘干。本發明專利技術制備工藝操作簡便且設計合理，所制備的雙通且大面積平整的ＴｉＯ↓［２］納米管陣列膜具有較高的光電裝換效率，可有效應用于氣體分離、藥物傳輸和骨頭固定等領域。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種雙通大面積ＴｉＯ↓［２］納米管陣列膜的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟：　步驟一、對經預處理的純鈦片進行陽極氧化，其包括以下步驟：　（１）預處理純鈦片：采用常規機械加工方式去除待處理純鈦片表面的氧化層，所述純鈦片為一平 整且厚度為０．１～０．５ｍｍ的片材；　（２）配制電解液：將含鹵原子的離子化合物作為溶質溶于無水有機溶劑，且加入適量水均勻混合后制得電解液，所述無水有機溶劑與水的體積比為９５～９９∶１～５，所述溶質與電解液的質量比為０．２～１．３∶１０ ０；　（３）將經預處理的純鈦片置于所述電解液中進行陽極氧化反應后，制得ＴｉＯ↓［２］納米管陣列膜的一級初步產品：以經預處理的純鈦片作為陽極，不銹鋼箔電極或銅箔電極作為陰極，且利用電壓為２０～１１０Ｖ的直流電源對預處理的純鈦片進行陽極氧 化，氧化溫度為１０～７０℃，氧化時間為１７～１２８ｈ；　步驟二、將所述一級初步產品從所述電解液中立即取出且用去離子水清洗后，放入盛有無水乙醇的器皿中，再將所述器皿置于超聲波清洗器內進行超聲震蕩，震蕩時間為０．２～１．５ｈ，使ＴｉＯ↓［ ２］納米管陣列膜與純鈦片基體分離，獲得二級初步產品；　步驟三、將所述二級初步產品用無水乙醇清洗干凈后，放入臨界ＣＯ↓［２］氣氛干燥箱中進行干燥，獲得底部帶有阻擋層的三級初步產品；　步驟四、將所述三級初步產品放入混合酸溶液中進行酸 洗，去掉其底部的阻擋層后獲得成品，所述混合酸溶液由氫氟酸和濃度為０．１～０．５ｍｏｌ／Ｌ的硫酸混合而成，所述氫氟酸與所述混合酸溶液的體積比為０．３～２∶１００，酸化時間為０．１～０．５ｈ；　步驟五、將所述成品放入無水乙醇進行清洗并晾干 或烘干。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李廣忠，張健，張文彥，康新婷，李亞寧，
申請(專利權)人：西北有色金屬研究院，
類型：發明
國別省市：87[中國|西安]