【技術實現步驟摘要】
本專利技術構思涉及一種半導體器件以及該半導體器件的制造方法，更具體地，涉及一種包括電容器的半導體器件以及該半導體器件的制造方法。
技術介紹
1、隨著半導體器件尺寸的縮小，用于實現半導體器件的各個精細電路圖案的尺寸已經進一步減小。隨著各個精細電路圖案的尺寸增加，單元電容器和外圍電路接觸部的高度增加。因此，在形成外圍電路接觸部的工藝中可能會出現未對準缺陷。
技術實現思路
1、本專利技術構思提供了一種具有改善的可靠性的半導體器件。
2、本技術思想所要解決的目的并不局限于上述目的，其他未提及的目的本領域技術人員將從以下描述中清楚地理解。
3、根據本專利技術構思的實施例，可以提供一種半導體器件。一種半導體器件，包括：襯底，包括第一區域和平面地圍繞第一區域的第二區域；下電極，設置在襯底的第一區域上并且沿豎直方向延伸；支撐部，圍繞下電極的側壁并且支撐下電極；第一上電極，在下電極上覆蓋下電極，第一上電極包括設置在第一區域內的第一部分和設置在第二區域內的第二部分；介電層，布置在下電極與第一上電極之間；以及第二上電極，設置在第一上電極的第一部分上，其中，第二上電極不設置在第一上電極的第二部分上。
4、根據本專利技術構思的實施例，可以提供一種半導體器件。半導體器件包括：襯底，包括單元區域和連接區域，單元區域包括第一區域和第二區域，第二區域布置在第一區域與連接區域之間；多個導電圖案，設置在襯底的單元區域上；多個下電極，分別連接到多個導電圖案并且每個下電極沿豎直方向延伸；
5、根據本專利技術構思的實施例，可以提供一種半導體器件。半導體器件包括：襯底，包括單元區域、連接區域和外圍電路區域，單元區域包括第一區域和第二區域，第二區域布置在第一區域與連接區域之間；單元晶體管，設置在襯底的單元區域內；外圍電路，設置在襯底的外圍電路區域內；電容器，設置在襯底的單元區域內并且電連接到單元晶體管；以及外圍電路接觸部，設置在襯底的外圍電路區域內并且電連接到外圍電路，其中，電容器包括下電極，設置在襯底的第一區域上并且沿豎直方向延伸；多個支撐部，圍繞下電極的側壁并且支撐下電極；第一上電極，在下電極上覆蓋下電極，第一上電極包括設置在第一區域內的第一部分和設置在第二區域內的第二部分；介電層，布置在下電極與第一上電極之間；以及第二上電極，設置在第一上電極的第一部分上，其中，第二上電極不設置在第一上電極的第二部分上。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極包括選自硅-鍺SiGe和硅Si中的一種或多種，以及
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括與所述第二上電極的材料實質上不同的材料。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述第二上電極上的保護層，所述保護層包括絕緣材料。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述保護層不設置在所述第一上電極的所述第二部分上。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分具有L形截面。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括沿與所述豎直方向交叉的水平方向突出的一個或多個突出部，以及
8.一種半導體器件，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極包括選自硅-鍺SiGe和硅Si中的一種或多種，以及
10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括沿與所述豎直
11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括朝向所述連接區域突出的尾部。
12.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分的上表面的豎直高度包括豎直高度與所述第一上電極的所述第一部分的上表面的豎直高度不同的部分。
13.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括設置在所述第二上電極上的保護層，所述保護層包括絕緣層。
14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述保護層不設置在所述第一上電極的所述第二部分上。
15.一種半導體器件，包括：
16.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一上電極包括選自硅-鍺SiGe和硅Si中的一種或多種，以及
17.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分不包括與所述第二上電極的材料相同的材料。
18.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分不包括鎢W、氮化鈦TiN及其組合。
19.根據權利要求15所述的半導體器件，還包括設置在所述第二上電極上的保護層，所述保護層包括絕緣材料，
20.根據權利要求15所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括選自沿與所述豎直方向交叉的水平方向朝向所述連接區域突出的一個或多個突出部和沿所述水平方向朝向所述連接區域突出的尾部中的一個或多個，
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極包括選自硅-鍺sige和硅si中的一種或多種，以及
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括與所述第二上電極的材料實質上不同的材料。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述第二上電極上的保護層，所述保護層包括絕緣材料。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述保護層不設置在所述第一上電極的所述第二部分上。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分具有l形截面。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括沿與所述豎直方向交叉的水平方向突出的一個或多個突出部，以及
8.一種半導體器件，包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極包括選自硅-鍺sige和硅si中的一種或多種，以及
10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括沿與所述豎直方向交叉的水平方向突出的一個或多個突出部，以及
11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一上電極的所述第二部分包括朝向所述連接區域突出的尾部...
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