【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于線路板顯影蝕刻處理，具體涉及一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置及方法。
技術(shù)介紹
1、隨著現(xiàn)在電子行業(yè)的高速發(fā)展，電子集成元器件越來越細小、輕薄、精密，所以線路板的排布線路越來越細，傳統(tǒng)顯影/蝕刻裝置只能滿足45um/45um以上線寬/線距，45um以下線寬/線距需要使用到二流體精密顯影/蝕刻裝置。
2、在現(xiàn)有技術(shù)中，公告號為cn213876316u的技術(shù)公開了一種顯影蝕刻噴淋裝置，其主分類號為g03f7/30，該裝置包括：二流體噴管組件和搖擺組件，所述二流體噴管組件固定在所述搖擺組件上，由所述搖擺組件帶動搖擺，所述二流體噴管組件在待加工pcb板工件的上下或前后兩側(cè)排布。本申請技術(shù)方案，整個顯影或蝕刻工序采用二流體噴淋的配置，通過壓縮空氣與藥水液體快速混合產(chǎn)生高流速、高打擊力、液滴微小的精細噴霧，進入到線路之間的狹槽及根部，能對線路根部進行蝕刻或顯影，有效提升線路的蝕刻因子或精細線路的顯影，并在水平傳輸方式時，可以在上板面配置吸刀裝置，降低上板面水池效應(yīng)的影響，提升線路均勻性及精細度，而且噴淋系統(tǒng)帶有搖擺功能，可提升線路顯影及蝕刻的均勻性。另一項公告號為cn205067963u的技術(shù)公開了高密度積層板制程中一種酸性蝕刻機顯影段噴淋裝置，其主分類號為g03f7/30，該裝置包括槽體、連接裝置、上噴淋裝置、傳送帶、下噴淋裝置、噴盤，所述傳送帶與槽體連接，所述噴盤以傳送帶為軸通過連接裝置與槽體對稱連接，所述上噴淋裝置和下噴淋裝置與噴盤連接，所述上噴淋裝置和下噴淋裝置均采用扇形噴嘴，所述上噴淋裝置與下噴淋裝置之間的距離
3、然而上述專利提供的蝕刻裝置便是一種二流體精密蝕刻裝置，但是其存在以下問題：一是沒有對供給二流體噴嘴的壓縮空氣進行加熱的加熱機構(gòu)，顯影/蝕刻工序需要在適配的工藝溫度下進行，壓縮空氣與蝕刻液混合后會降低蝕刻液的溫度，影響顯影/蝕刻質(zhì)量；二是二流體噴嘴噴出的蝕刻液和壓縮空氣的混合流體將導(dǎo)致蝕刻處理室內(nèi)部的氣壓升高，而上述專利提供的蝕刻裝置沒有降低蝕刻處理室內(nèi)部氣壓且回收蝕刻處理室內(nèi)部空氣中蝕刻液的機構(gòu)，導(dǎo)致顯影/蝕刻無法正常進行。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置及方法，旨在改善現(xiàn)有的二流體精密蝕刻裝置存在的壓縮空氣與蝕刻液混合后降低蝕刻液的溫度，影響顯影/蝕刻質(zhì)量，以及二流體噴嘴噴出的蝕刻液和壓縮空氣的混合流體將導(dǎo)致蝕刻處理室內(nèi)部的氣壓升高，導(dǎo)致顯影/蝕刻無法正常進行的問題。
2、為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本專利技術(shù)的第一方面，提供一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，包括輸送機構(gòu)、一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段，所述一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段分別設(shè)置有一流體噴嘴和二流體噴嘴，還包括：
3、加熱機構(gòu)，設(shè)置在二流體噴嘴進氣的一側(cè)，用于對輸送給二流體噴嘴的壓縮氣體進行加熱，使得進入二流體噴嘴的壓縮氣體與蝕刻液混合后所得到的氣液混合蝕刻流體的溫度達到所需工藝溫度；
4、冷凝回收機構(gòu)，包括抽風冷凝器，所述抽風冷凝器抽取顯影蝕刻處理段中的氣體，使顯影蝕刻處理段保持氣壓平衡。
5、進一步的，所述冷凝回收機構(gòu)還包括抽風管和冷凝回流管，所述抽風冷凝器具有抽氣口和冷凝液流出口，所述抽風管和冷凝回流管分別與抽氣口和冷凝液流出口相連，所述抽風冷凝器通過抽風管抽氣，同時冷凝回收所抽氣體中蝕刻液，并通過冷凝回流管輸送至蝕刻液存放區(qū)。
6、進一步的，所述加熱機構(gòu)包括加熱模塊、壓縮氣體通過模塊、溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊、加熱功率計算模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊，所述溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊均與加熱功率計算模塊電性相連；所述蝕刻液溫度反饋模塊用于向加熱功率計算模塊反饋輸送給二流體噴嘴的蝕刻液的溫度，所述氣體流量監(jiān)測模塊和液體流量監(jiān)測模塊分別用于向加熱功率計算模塊傳遞輸送給二流體噴嘴的壓縮氣體的流量和蝕刻液的流量；所述壓縮氣體通過模塊按照氣體通過路徑順序分隔成多個壓縮氣體通過單元，所述加熱模塊包括多個與所述壓縮氣體通過單元一一對應(yīng)且相互接觸的加熱單元，各加熱單元均通過加熱功率調(diào)節(jié)模塊與加熱功率計算模塊電性相連；所述溫度檢測模塊包括多個與所述壓縮氣體通過單元一一對應(yīng)且設(shè)置在壓縮氣體通過單元末端的溫度傳感器，所述溫度傳感器用于檢測相應(yīng)壓縮氣體通過單元末端的壓縮空氣溫度，并將其傳遞給加熱功率計算模塊，所述加熱功率計算模塊根據(jù)接收到的數(shù)據(jù)計算出各加熱單元所需的加工功率，并通過加熱功率調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié)各加熱單元至所需加工功率。
7、進一步的，所述一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段分別包括一流體顯影蝕刻處理室和二流體顯影蝕刻處理室，所述一流體顯影蝕刻處理室和二流體顯影蝕刻處理室通過密封的輸送通道連通，所述輸送機構(gòu)由一流體顯影蝕刻處理室、二流體顯影蝕刻處理室和輸送通道中通過；所述一流體顯影蝕刻處理室中設(shè)置有上下兩組一流體噴嘴，上下兩組一流體噴嘴分別位于輸送機構(gòu)的上方和下方，每組所述的一流體噴嘴均包括沿著輸送機構(gòu)輸送蝕刻對象的方向設(shè)置在同一高度位置的多個一流體噴嘴，所述一流體噴嘴向蝕刻對象噴灑蝕刻液；所述二流體顯影蝕刻處理室中設(shè)置有上下兩組二流體噴嘴，上下兩組二流體噴嘴分別位于輸送機構(gòu)的上方和下方，每組所述的二流體噴嘴均包括沿著輸送機構(gòu)輸送蝕刻對象的方向設(shè)置在同一高度位置的多個二流體噴嘴，所述二流體噴嘴向蝕刻對象噴灑氣液混合蝕刻流體，所述二流體噴嘴噴灑的氣液混合蝕刻流體中，顆粒粒徑為30um以下的蝕刻液占比不低于80%。
8、進一步的，另外還包括第一射流吸引機構(gòu)和第二射流吸引機構(gòu)，所述第一射流吸引機構(gòu)包括第一射流泵和多個射流吸引組件，所述第一射流泵與一流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)相連，且第一射流泵的吸入端設(shè)置有過濾器，所述第一射流吸引機構(gòu)的各射流吸引組件與蝕刻對象上方的一流體噴嘴交錯設(shè)置；所述第二射流吸引機構(gòu)包括第二射流泵和多個射流吸引組件，所述第二射流泵與二流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)相連，且第二射流泵的吸入端設(shè)置有過濾器，所述第二射流吸引機構(gòu)的各射流吸引組件與蝕刻對象上方的二流體噴嘴交錯設(shè)置；所述射流吸引組件包括射流器和吸水刀，所述射流器的進液端與相應(yīng)射流泵相連，所述吸水刀的吸水口靠近蝕刻對象的上表面，所述吸水刀與射流器的負壓吸入口相連。
9、進一步的，另外還包括噴淋泵和連通管，所述噴淋泵的吸液端與一流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)或二流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)相連，所述噴淋泵的排液端與各一流體噴嘴和各二流體噴嘴相連；所述一流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)和二流體顯影蝕刻處理室的蝕刻液存放區(qū)通過連通管相連，使得一流體顯影蝕刻處理室和二流體顯影蝕刻處理室具有相同的蝕刻液液位。
10、進一步的，所述壓縮氣體本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，包括輸送機構(gòu)（3）、一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段，所述一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段分別設(shè)置有一流體噴嘴（1）和二流體噴嘴（2），其特征在于：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述冷凝回收機構(gòu)還包括抽風管（7）和冷凝回流管（8），所述抽風冷凝器（6）具有抽氣口和冷凝液流出口，所述抽風管（7）和冷凝回流管（8）分別與抽氣口和冷凝液流出口相連，所述抽風冷凝器（6）通過抽風管（7）抽氣，同時冷凝回收所抽氣體中蝕刻液，并通過冷凝回流管（8）輸送至蝕刻液存放區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述加熱機構(gòu)（19）包括加熱模塊、壓縮氣體通過模塊、溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊、加熱功率計算模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊，所述溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊均與加熱功率計算模塊電性相連；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：另外還包括第一射流吸引機構(gòu)和第二射流吸引機構(gòu)，所述第一射流吸引機構(gòu)包括第一射流泵（12）和多個射流吸引組件，所述第一射流泵（12）與一流體顯影蝕刻處理室（9）的蝕刻液存放區(qū)相連，且第一射流泵（12）的吸入端設(shè)置有過濾器，所述第一射流吸引機構(gòu)的各射流吸引組件與蝕刻對象上方的一流體噴嘴（1）交錯設(shè)置；
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：另外還包括噴淋泵（14）和連通管（15），所述噴淋泵（14）的吸液端與一流體顯影蝕刻處理室（9）的蝕刻液存放區(qū)或二流體顯影蝕刻處理室（10）的蝕刻液存放區(qū)相連，所述噴淋泵（14）的排液端與各一流體噴嘴（1）和各二流體噴嘴（2）相連；
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述壓縮氣體的輸送管上設(shè)置有油霧分離器（16）和空氣過濾器（17），所述油霧分離器（16）和空氣過濾器（17）均設(shè)置在加熱機構(gòu)（19）進氣端的一側(cè)，所述空氣過濾器（17）的濾芯的孔徑小于10um；
8.一種二流體顯影蝕刻方法，包括第一蝕刻工序和第二蝕刻工序，在第一蝕刻工序中，將蝕刻液從一流體噴嘴（1）噴射向蝕刻對象，在第二蝕刻工序中，將蝕刻液和壓縮氣體混合后從二流體噴嘴（2）噴射向蝕刻對象進行進一步蝕刻，其特征在于：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種二流體顯影蝕刻方法，其特征在于：輸送給二流體噴嘴（2）的壓縮氣體的壓強為0.25-0.35MPa，輸送給二流體噴嘴（2）的蝕刻液的壓強為0.04-0.05MPa，所述二流體噴嘴（2）的噴孔流道直徑為0.5-1.8mm，這樣使得所述二流體噴嘴（2）噴灑的氣液混合蝕刻流體中，顆粒粒徑為30um以下的蝕刻液占比不低于80%。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種二流體顯影蝕刻方法，其特征在于：另外包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，包括輸送機構(gòu)（3）、一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段，所述一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段分別設(shè)置有一流體噴嘴（1）和二流體噴嘴（2），其特征在于：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述冷凝回收機構(gòu)還包括抽風管（7）和冷凝回流管（8），所述抽風冷凝器（6）具有抽氣口和冷凝液流出口，所述抽風管（7）和冷凝回流管（8）分別與抽氣口和冷凝液流出口相連，所述抽風冷凝器（6）通過抽風管（7）抽氣，同時冷凝回收所抽氣體中蝕刻液，并通過冷凝回流管（8）輸送至蝕刻液存放區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述加熱機構(gòu)（19）包括加熱模塊、壓縮氣體通過模塊、溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊、加熱功率計算模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊，所述溫度檢測模塊、蝕刻液溫度反饋模塊、氣體流量監(jiān)測模塊、液體流量監(jiān)測模塊、溫度設(shè)置模塊和加熱功率調(diào)節(jié)模塊均與加熱功率計算模塊電性相連；
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：所述一流體顯影蝕刻處理段和二流體顯影蝕刻處理段分別包括一流體顯影蝕刻處理室（9）和二流體顯影蝕刻處理室（10），所述一流體顯影蝕刻處理室（9）和二流體顯影蝕刻處理室（10）通過密封的輸送通道（11）連通，所述輸送機構(gòu)（3）由一流體顯影蝕刻處理室（9）、二流體顯影蝕刻處理室（10）和輸送通道（11）中通過；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種二流體顯影蝕刻噴淋裝置，其特征在于：另外還包括第一射流吸引機構(gòu)和第二射流吸引機構(gòu)，所述第一射流吸引機構(gòu)包括第一射流泵（...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：朱子敬，嚴根栓，楊尚樓，
申請(專利權(quán))人：廣州市巨龍印制板設(shè)備有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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