【技術實現步驟摘要】
本技術涉及多晶硅，具體為一種72對棒還原爐。
技術介紹
1、21世紀伴隨著能源危機和人類環保意識的增強，世界各國對新能源的發展備受關注。2005年全球太陽能行業迅猛發展，我國為鼓勵新能源產業的發展，國家發展和改革委員會文件(發改辦高技【2005】509號)明確要求，組織實施“可再生能源和新能源高技術產業化專項”，明確提出“解決我國太陽能電池用多晶硅原料生產和光伏產業鏈發展不平衡的問題”，作為太陽能行業基礎原料的多晶硅產業在全國各地如雨后春筍般蓬勃發展，規模有100噸，300噸，1000噸等大小不同的生產線，所選用的還原爐以9對棒，12對棒為主，之后10余年的時間，多晶硅行業經歷了殘酷的市場淘汰和產業技術革新，生產設備和工藝路線都完成了跨越式的升級，多晶硅的生產成本也從60美元/千克下降到10美元/千克。
2、截止2015年底，多晶硅裝置的單條生產線規模已經達到1.5wt/a，還原爐爐型以36對棒，40對棒為主，從多晶硅發展技術上看似乎已經進入瓶頸期，行業內的絕大多數從業人員認為多晶硅生產的規模和技術已經十分成熟，沒有繼續優化的可能。
3、為此，提出一種72對棒還原爐。
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種72對棒還原爐，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、為了解決上述技術問題，本技術提供如下技術方案：一種72對棒還原爐，包括爐體和底座，所述爐體固定連接于所述底座的上側，所述爐體的側壁貫穿設有夾套冷卻水進口與夾套冷卻水出口，所述底座的下側壁
3、根據上述技術方案，所述第一圈層包括三對硅棒，所述第二圈層包括六對硅棒，且所述硅棒均與所述底座軸心等距設置。
4、根據上述技術方案，所述第三圈層包括12對硅棒，且12對硅棒平均分為6組，每組硅棒中所相鄰的三個硅棒在底座上的投影位于同一直線，且另一硅棒位于第三圈層與第四圈層之間。
5、根據上述技術方案，所述第四圈層包括12對硅棒，12對硅棒平均分為6組，每組硅棒在底座上的投影位于同一直線上。
6、根據上述技術方案，所述第五圈層包括18對硅棒，且18對硅棒平均分為6組，每組硅棒相鄰的5個硅棒在底座上的投影位于同一直線，且另一硅棒位于第四圈層與第五圈層之間處。
7、根據上述技術方案，所述第六圈層包括21對硅棒，且21對硅棒平均分為3組，每組硅棒在底座上的投影的第1-6個硅棒以及第8-13個硅棒分別位于同一直線上。
8、與現有技術相比，本技術所達到的有益效果是：本技術，通過設置有爐體底座，并分別設置夾套冷卻水進口、夾套冷卻水出口、外圈出氣管中心出氣管、總出氣管進氣總管以及噴氣管，通過噴氣管朝還原爐噴射氫氣氣流形成冷流層；熱氣流層位于還原爐的頂部；底盤硅粉始終處于流化狀態，因此底盤可以始終保持低的黑度系數，而具有銀涂層的底盤可以進一步降低底盤黑度系數，進而大幅提升底盤熱反射效率，降低還原爐熱量損失，實現還原爐的節能目標，同時通過優化硅棒設置，并輔以相應數量的噴氣管,即能有效節約能源、平衡溫場,又能提供良好的氣場,保證硅棒的高質量生產，實現還原爐具備高生產能力、高轉化率、低能耗的性能。
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1.一種72對棒還原爐，包括爐體(1)和底座(2)，其特征在于：所述爐體(1)固定連接于所述底座(2)的上側，所述爐體(1)的側壁貫穿設有夾套冷卻水進口(3)與夾套冷卻水出口(4)，所述底座(2)的下側壁分別貫穿設有外圈出氣管(5)與中心出氣管(6)，所述外圈出氣管(5)與所述中心出氣管(6)遠離底座(2)的一端固定連接有總出氣管(7)，所述底座(2)的下端設有進氣總管(8)，所述進氣總管(8)的側壁貫穿設有若干噴氣管(9)，所述噴氣管(9)貫穿底座(2)的側壁與底座(2)連接，所述爐體(1)內部設有硅棒(10)，硅棒(10)共72對，每對硅棒(10)的數量為兩個，所述硅棒(10)在所述底座(2)上呈環形分布，且硅棒(10)共分為六層，且由內至外分別分為第一圈層(11)、第二圈層(12)、第三圈層(13)、第四圈層(14)、第五圈層(15)、第六圈層(16)。
2.根據權利要求1所述的一種72對棒還原爐，其特征在于：所述第一圈層(11)包括三對硅棒(10)，所述第二圈層(12)包括六對硅棒(10)，且所述硅棒(10)均與所述底座(2)軸心等距設置。
3.根
4.根據權利要求3所述的一種72對棒還原爐，其特征在于：所述第四圈層(14)包括12對硅棒(10)，12對硅棒(10)平均分為6組，每組硅棒(10)在底座(2)上的投影位于同一直線上。
5.根據權利要求4所述的一種72對棒還原爐，其特征在于：所述第五圈層(15)包括18對硅棒(10)，且18對硅棒(10)平均分為6組，每組硅棒(10)相鄰的5個硅棒(10)在底座(2)上的投影位于同一直線，且另一硅棒(10)位于第四圈層(14)與第五圈層(15)之間處。
6.根據權利要求5所述的一種72對棒還原爐，其特征在于：所述第六圈層(16)包括21對硅棒(10)，且21對硅棒(10)平均分為3組，每組硅棒(10)在底座(2)上的投影的第1-6個硅棒(10)以及第8-13個硅棒(10)分別位于同一直線上。
...【技術特征摘要】
1.一種72對棒還原爐，包括爐體(1)和底座(2)，其特征在于：所述爐體(1)固定連接于所述底座(2)的上側，所述爐體(1)的側壁貫穿設有夾套冷卻水進口(3)與夾套冷卻水出口(4)，所述底座(2)的下側壁分別貫穿設有外圈出氣管(5)與中心出氣管(6)，所述外圈出氣管(5)與所述中心出氣管(6)遠離底座(2)的一端固定連接有總出氣管(7)，所述底座(2)的下端設有進氣總管(8)，所述進氣總管(8)的側壁貫穿設有若干噴氣管(9)，所述噴氣管(9)貫穿底座(2)的側壁與底座(2)連接，所述爐體(1)內部設有硅棒(10)，硅棒(10)共72對，每對硅棒(10)的數量為兩個，所述硅棒(10)在所述底座(2)上呈環形分布，且硅棒(10)共分為六層，且由內至外分別分為第一圈層(11)、第二圈層(12)、第三圈層(13)、第四圈層(14)、第五圈層(15)、第六圈層(16)。
2.根據權利要求1所述的一種72對棒還原爐，其特征在于：所述第一圈層(11)包括三對硅棒(10)，所述第二圈層(12)包括六對硅棒(10)，且所述硅棒(10)均與所述底座(2)軸心等距設置。
3.根據權利...
【專利技術屬性】
技術研發人員：童翔，萬仕華，程國璽，
申請(專利權)人：新疆其亞硅業有限公司，
類型：新型
國別省市：
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