【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
技術介紹
1、轉移制品通常包括剝離層和可與剝離層分離的功能層。功能層可由一個或多個單獨的層構成，并且通常施加到制品的表面以賦予該制品附加的和/或增強的特性。然后，剝離層可以被丟棄或再利用，這取決于工藝。例如，許多電子設備對環境因素敏感，并且在暴露在環境氣體和液體時易于降解。轉移制品可用于將包括無機或混合無機/有機阻隔層的功能層施加到電子設備的表面，以保護敏感的電子部件免于暴露在氧氣和水蒸氣中。然后，剝離層可從功能層移除并且被丟棄。另選地，剝離層可從功能層移除并且被再利用。
2、轉移制品在例如美國專利11,117,358號(gotrik等人)中公開，并且包括剝離層、覆蓋剝離層的第一丙烯酸酯層和覆蓋第一丙烯酸酯層的功能層，其中剝離層與第一丙烯酸酯層之間的剝離值為2克/英寸至50克/英寸。剝離層包括金屬層或摻雜半導體層，并且通常是通過蒸發、反應蒸發、濺射、反應濺射、化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積和原子層沉積到基底上而制備的。
技術實現思路
1、就在美國專利11,117,358號(gotrik等人)中公開的轉移制品而言，已經發現沉積的剝離層的厚度優選大于基底上的任何表面不規則部分的尺寸，諸如由于表面碎屑或制造缺陷而導致的不規則部分。如果剝離層的厚度不足以形成在其上施加丙烯酸酯層的平滑表面，那么轉移制品的功能性和穩定性都會受到影響。
2、減小剝離層的厚度可提供多重有益效果。例如，較薄的剝離層可轉化為較低材料成本和/或與剝離材料的沉積相關的較少處理時間。另外，
3、已經發現，當在施加剝離層之前通過丙烯酸酯層平坦化基底時，可以減少形成剝離層所需的金屬或摻雜半導體的量。這可導致成本更低的轉移制品、減少的金屬或摻雜半導體沉積的處理時間、相當或更大的總體轉移制品穩定性和/或更高的通過剝離層的uv透射率。
4、本公開提供一種平坦化的無機薄膜轉移制品。
5、在一個實施方案中，本公開提供了一種轉移制品，該轉移制品包括：基底；第一丙烯酸酯層，該第一丙烯酸酯層覆蓋基底層，第一丙烯酸酯層具有至少200nm的厚度；剝離層，該剝離層覆蓋第一丙烯酸酯層，剝離層包括金屬層或摻雜半導體層并且具有至多50nm的厚度；第二丙烯酸酯層，該第二丙烯酸酯層覆蓋剝離層；和功能層，該功能層覆蓋第二丙烯酸酯層。
6、在另一個實施方案中，本公開提供了一種方法，該方法包括：將轉移制品施加到接收制品的表面，功能層位于剝離層與接收制品的表面之間；以及從第二丙烯酸酯層移除剝離層，其中在移除剝離層之后，第二丙烯酸酯層和功能層留在接收制品的表面上。
7、本公開的上述概述并非旨在描述本公開的每個公開實施方案或每種實現方式。以下描述更具體地舉例說明了例示性實施方案。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種轉移制品，所述轉移制品包括：
2.根據權利要求1所述的轉移制品，其中所述基底具有1mil(25.4μm)至5(127μm)的厚度。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的轉移制品，其中所述基底包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚丙烯(PP)或環狀烯烴共聚物(COC)。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的轉移制品，其中所述基底包含聚對苯二甲酸乙二醇酯。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的轉移制品，其中所述第一丙烯酸酯層的厚度為300nm至1,000nm。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層的厚度小于10nm。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層包括金屬層。
8.根據權利要求7所述的轉移制品，其中所述金屬層包含Al、AlOX、Zr、Cu、CuOx、Fe、NiCr、NiFe、SiAlOx、Ti或Nb。
9.根據權利要求7或權利要求8所述的轉移制品，其中所述金屬層包含TiO2。
10.根據權利要求9所
11.根據權利要求1至6中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層包括摻雜半導體層。
12.根據權利要求11所述的轉移制品，其中所述摻雜半導體層包含硅、硼摻雜硅、鋁摻雜硅或磷摻雜硅。
13.根據權利要求1至12中的任一項所述的轉移制品，其中所述功能層包括阻隔層。
14.根據權利要求1至13中的任一項所述的轉移制品，其中所述功能層包括光學層。
15.根據權利要求1至14中的任一項所述的轉移制品，其中所述功能層包括導電層。
16.根據權利要求1至15中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層與所述第二丙烯酸酯層之間的剝離值為2克/英寸至60克/英寸。
17.根據權利要求1至16中的任一項所述的轉移制品，其中將所述第二丙烯酸酯層與所述剝離層分離所需的力小于將所述剝離層與所述第一丙烯酸酯層分離所需的力和將所述第一丙烯酸酯層與所述基底分離所需的力中的每一者。
18.根據權利要求1至17中的任一項所述的轉移制品，其中所述第一丙烯酸酯層、所述第二丙烯酸酯層或它們的組合不含光引發劑。
19.根據權利要求1至18中的任一項所述的轉移制品，其中在250nm至400nm范圍內的至少一個波長的垂直入射輻射穿過所述基底、所述第一丙烯酸酯層和所述剝離層的透射百分比為至少50％。
20.一種方法，所述方法包括：
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種轉移制品，所述轉移制品包括：
2.根據權利要求1所述的轉移制品，其中所述基底具有1mil(25.4μm)至5(127μm)的厚度。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的轉移制品，其中所述基底包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚丙烯(pp)或環狀烯烴共聚物(coc)。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的轉移制品，其中所述基底包含聚對苯二甲酸乙二醇酯。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的轉移制品，其中所述第一丙烯酸酯層的厚度為300nm至1,000nm。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層的厚度小于10nm。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝離層包括金屬層。
8.根據權利要求7所述的轉移制品，其中所述金屬層包含al、alox、zr、cu、cuox、fe、nicr、nife、sialox、ti或nb。
9.根據權利要求7或權利要求8所述的轉移制品，其中所述金屬層包含tio2。
10.根據權利要求9所述的轉移制品，還包括位于所述金屬層與所述第一丙烯酸酯層之間的sialox層。
11.根據權利要求1至6中的任一項所述的轉移制品，其中所述剝...
【專利技術屬性】
技術研發人員：凱文·W·戈特里克，斯科特·J·瓊斯，克里斯托夫·S·里昂，塞德里克·貝多亞，
申請(專利權)人：三M創新有限公司，
類型：發明
國別省市：
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