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    硫摻雜的碳基納米材料及其形成方法技術

    技術編號:42360330 閱讀:14 留言:0更新日期:2024-08-16 14:44
    本公開涉及一種可以由氣體混合物和硫粉形成的碳基納米材料組合物。所述氣體混合物可以包括碳基氣體、氧氣和氫氣。所述碳基納米材料組合物可以包括硫摻雜的納米球。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】

    本公開涉及一種硫摻雜的碳基納米材料組合物及其形成方法。更具體地說,本公開涉及將將氣體混合物轉化為硫摻雜的碳基納米材料組合物的方法、系統和裝置。


    技術介紹

    1、眾所周知,特別是復合在co和co2中但呈可轉化為溫室氣體的任何形式的碳正導致全球氣溫升高。目前正在開發各種技術來捕獲人類活動(主要是工業過程、化石燃料和來自交通工具(例如飛機、汽車和卡車以及商業和住宅用途)的其他燃燒)產生的碳。

    2、碳基材料具有許多理想的特性,例如沿其平面具有較高的熱和電導率、獨特的光學特性和較高的機械強度。由于這些特性,碳基納米材料具有多種應用,包括儲能、電子、半導體、復合材料和膜。

    3、現有的基于燃燒的生產碳基納米材料碳基材料的技術采用氧和碳基氣體混合物。然而,這些技術不能完全、持續地分解碳,從而產生不一致的產物。


    技術實現思路

    1、根據第一方面,碳基納米材料組合物可以由氣體混合物和硫粉形成。氣體混合物可以包括碳基氣體、氧氣和氫氣。碳基納米材料組合物可以包括硫摻雜的納米球。

    2、根據另一個方面,形成碳基納米材料組合物的方法可以包括:供給可以包括氣體混合物和硫粉的形成混合物;以及點燃形成混合物以形成碳基納米材料組合物。氣體混合物可以包括碳基氣體、氧氣和氫氣。碳基納米材料組合物可以包括硫摻雜的納米球。

    3、根據又一方面,碳基納米材料組合物可以包括:硫摻雜的納米球;基于碳基納米材料組合物的元素分析,至少約60%且不大于約99%的碳含量;基于碳基納米材料組合物的元素分析,至少約0.0%且不大于約35%的氧含量;以及至少約1%且不大于50%的硫含量。

    4、根據另一個方面,基于碳基納米材料的陰極可以包括一層碳基納米材料組合物。碳基納米材料組合物可以由氣體混合物和硫粉形成。氣體混合物可以包括碳基氣體、氧氣和氫氣。碳基納米材料組合物可以包括硫摻雜的納米球。

    5、根據另一個方面,形成基于碳基納米材料的陰極的方法可以包括:供應可以包括氣體混合物和硫粉的形成混合物;點燃形成混合物以形成碳基納米材料組合物;以及將碳基納米材料組合物形成為基于一層碳基納米材料的陰極。氣體混合物可以包括碳基氣體、氧氣和氫氣。碳基納米材料組合物可以包括硫摻雜的納米球。

    6、根據又一個方面,基于碳基納米材料的陰極可以包括一層碳基納米材料組合物。碳基納米材料組合物可以包含:硫摻雜的納米球;基于碳基納米材料組合物的元素分析,至少約60%且不大于約99%的碳含量;基于碳基納米材料組合物的元素分析,至少約0.0%且不大于約35%的氧含量;以及至少約1%且不大于50%的硫含量。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種由包含氣體混合物和硫粉的形成混合物形成的碳基納米材料組合物,

    2.一種形成碳基納米材料組合物的方法,其中,所述方法包括:

    3.一種碳基納米材料組合物,其包含:

    4.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述硫摻雜的納米球具有至少約5nm的平均直徑。

    5.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述硫摻雜的納米球具有不大于約500nm的平均直徑。

    6.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,至少約2%的硫含量。

    7.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,不大于約50%的硫含量。

    8.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,至少約60%的碳含量。

    9.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,不大于約99%的碳含量。

    10.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,至少約1%的氧含量。

    11.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,不大于約35%的氧含量。

    12.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含至少約4.0的碳雜化比Psp3/Psp2,其中,Psp3是所述碳基納米材料組合物內具有sp3雜化的碳的百分比,并且,Psp2是所述碳基納米材料組合物內具有sp2雜化的碳的百分比。

    13.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物具有不大于約5.0的碳雜化比Psp3/Psp2,其中,Psp3是所述碳基納米材料組合物內具有sp3雜化的碳的百分比,并且,Psp2是所述碳基納米材料組合物內具有sp2雜化的碳的百分比。

    14.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包括不大于約0.5的D/G比。

    15.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包括至少約2.0的D/G比。

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    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】

    1.一種由包含氣體混合物和硫粉的形成混合物形成的碳基納米材料組合物,

    2.一種形成碳基納米材料組合物的方法,其中,所述方法包括:

    3.一種碳基納米材料組合物,其包含:

    4.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述硫摻雜的納米球具有至少約5nm的平均直徑。

    5.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述硫摻雜的納米球具有不大于約500nm的平均直徑。

    6.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,至少約2%的硫含量。

    7.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,不大于約50%的硫含量。

    8.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,至少約60%的碳含量。

    9.根據權利要求1、2和3中任一項所述的碳基納米材料組合物或方法,其中,所述碳基納米材料組合物包含基于所述碳基納米材料組合物的元素分析,不大于約99%的碳含量。

    10.根據權利要求...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:E·約翰遜,P·約林,D·庫克,
    申請(專利權)人:內搏斯能源轉換解決方案有限責任公司
    類型:發明
    國別省市:

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