【技術實現步驟摘要】
本申請涉及電力電子，特別是涉及一種功率半導體器件的封裝體。
技術介紹
1、功率半導體器件模塊能夠將各種類型的功率半導體器件、傳感器以及驅動電路集成。其中功率半導體器件可以是功率二極管、功率mosfet、igbt等。傳感器可以是溫度傳感器、電流傳感器等。由于能量密度集成度高，絕緣安全性高，電力電子的電路拓撲能夠極大簡化，功率半導體模塊在越來越多的市場中得到了廣泛的應用。隨著新能源汽車的快速普及，對于散熱要求更高、內部寄生電感要求更低、體積要求更加嚴苛、可靠性要求更高的車用功率半導體器件模塊的需求也更加旺盛。由于功率密度高，監測模塊內的功率半導體器件的溫度對于功率半導體器件模塊的長效、穩定、可靠地工作至關重要。一種示例性的方式是在功率半導體器件模塊內部集成一個負溫度系數(negative?temperaturecoefficient，ntc)熱敏電阻，通過測量熱敏電阻兩端的電壓來獲得模塊內部的溫度。
2、然而，ntc熱敏電阻通常與功率半導體器件模塊內部的功率半導體器件分立設置，其反映的溫度與功率半導體器件溫度仍有一定差異。
技術實現思路
1、基于此，有必要提供一種能夠真實有效地監測功率半導體器件溫度的功率半導體器件的封裝體。
2、一種功率半導體器件的封裝體，包括：功率半導體芯片，所述功率半導體芯片集成有傳感器；塑封體，覆蓋各所述功率半導體芯片；至少兩根傳感器引腳，部分傳感器引腳從所述塑封體的第一側穿入所述塑封體以電性連接所述傳感器，部分傳感器引腳從所述塑封體的第
3、上述封裝體，利用功率半導體芯片內部集成的溫度傳感器真實有效地監測功率半導體器件溫度，且傳感器引腳與同電位的功率引腳或控制引腳相鄰設置，由于相同電位的引腳相互之間干擾較小，因此同電位的引腳間距可以設置得較小從而為其他引腳留出空間，方便滿足爬電距離及布線。
4、在其中一個實施例中，各所述功率引腳從所述第一側穿入所述塑封體，各所述控制引腳從所述第二側穿入所述塑封體。
5、在其中一個實施例中，相鄰的功率引腳之間的間距大于所述第一側的邊長的1/6、小于所述第一側的邊長的1/3。
6、在其中一個實施例中，所述功率半導體芯片的數量為至少兩個。
7、在其中一個實施例中，封裝體還包括導電基板，所述功率半導體芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，第二芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，所述封裝體的功率引腳包括第一功率引腳、第二功率引腳、第三功率引腳，所述導電基板包括：第一基島，所述第一芯片設于所述第一基島上，從而使所述第一芯片朝向所述第一基島的第二主面與所述第一基島電性連接；第二基島，所述第二芯片設于所述第二基島上，從而使所述第二芯片朝向所述第二基島的第二主面與所述第二基島電性連接；連接部，與穿過所述塑封體的第三功率引腳電性連接，并與所述第二芯片的第一主面電性連接；其中，所述第一功率引腳電性連接所述第一基島，所述第二功率引腳電性連接所述第二基島，所述第一芯片的第一主面與所述第二基島電性連接。
8、在其中一個實施例中，所述封裝體的控制引腳包括第一柵極引腳、第一源極引腳、第二柵極引腳、第二源極引腳。
9、在其中一個實施例中，所述封裝體的傳感器引腳包括第一芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳一，所述第一芯片傳感腳一通過電性連接所述第一基島從而接至所述第一芯片的傳感器，所述第二芯片傳感腳一通過電性連接所述第二基島從而接至所述第二芯片的傳感器，所述第一芯片傳感腳一與所述第一功率引腳相鄰設置且位于所述第一功率引腳遠離所述第三功率引腳的一側，所述第二芯片傳感腳一與所述第二功率引腳相鄰設置且位于所述第二功率引腳遠離所述第三功率引腳的一側。
10、在其中一個實施例中，所述封裝體的傳感器引腳還包括第二芯片傳感腳二，所述第二芯片傳感腳二通過電性連接所述第二芯片的第一主面從而接至所述第二芯片的傳感器，所述第一芯片的第一主面與所述第二基島電性連接，所述第二芯片的溫度傳感信號通過所述第二芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳二獲取，所述第一芯片的溫度傳感信號通過所述第一芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳一獲取。
11、在其中一個實施例中，還包括被所述塑封體覆蓋的負溫度系數熱敏電阻，所述負溫度系數熱敏電阻的一端連接所述第二基島、另一端連接穿入所述塑封體的第一ntc引腳。
12、還有必要提供另一種功率半導體器件的封裝體。
13、一種功率半導體器件的封裝體，包括：功率半導體芯片；負溫度系數熱敏電阻；塑封體，覆蓋各所述功率半導體芯片和負溫度系數熱敏電阻；至少兩根ntc引腳，部分ntc引腳從所述塑封體的第一側穿入所述塑封體，以電性連接所述負溫度系數熱敏電阻第一端，部分ntc引腳從所述塑封體的第二側穿入所述塑封體，以電性連接所述負溫度系數熱敏電阻的第二端；至少兩根功率引腳，與所述功率半導體芯片電性連接；至少兩根控制引腳，與所述功率半導體芯片電性連接；其中，每根所述ntc引腳在穿入所述塑封體的位置與同電位且位于所述塑封體的同一側的一根功率引腳、或同電位且位于所述塑封體的同一側的一根控制引腳相鄰設置。
14、上述封裝體，ntc引腳與同電位的功率引腳或控制引腳相鄰設置，由于相同電位的引腳相互之間干擾較小，因此同電位的引腳間距可以設置得較小從而為其他引腳留出空間，方便滿足爬電距離及布線。
15、在其中一個實施例中，各所述功率引腳從所述第一側穿入所述塑封體，各所述控制引腳從所述第二側穿入所述塑封體。
16、在其中一個實施例中，相鄰的功率引腳之間的間距大于所述第一側的邊長的1/6、小于所述第一側的邊長的1/3。
17、在其中一個實施例中，所述功率半導體芯片的數量為至少兩個。
18、在其中一個實施例中，封裝體還包括導電基板，所述功率半導體芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，第二芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，所述封裝體的功率引腳包括第一功率引腳、第二功率引腳、第三功率引腳，各所述功率引腳從所述第一側穿入所述塑封體，各所述控制引腳從所述第二側穿入所述塑封體，所述導電基板包括：第一基島，所述第一芯片設于所述第一基島上，從而使所述第一芯片朝向所述第一基島的第二主面與所述第一基島電性連接；第二基島，所述第二芯片設于所述第二基島上，從而使所述第二芯片朝向所述第二基島的第二主面與所述第二基島電性連接；連接部，與穿過所述塑封體的第三功率引腳電性連接，并與所述第二芯片的第一主面電性連接；ntc連接板；其中，所述第一功率引腳電性連接所述第一基島，所述第本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種功率半導體器件的封裝體，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，各所述功率引腳從所述第一側穿入所述塑封體，各所述控制引腳從所述第二側穿入所述塑封體。
3.根據權利要求2所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，相鄰的功率引腳之間的間距大于所述第一側的邊長的1/6、小于所述第一側的邊長的1/3。
4.根據權利要求2所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，所述功率半導體芯片的數量為至少兩個。
5.根據權利要求4所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，還包括導電基板，所述功率半導體芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，第二芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，所述封裝體的功率引腳包括第一功率引腳、第二功率引腳、第三功率引腳，所述導電基板包括：
6.根據權利要求5所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，所述封裝體的傳感器引腳包括第一芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳一，所述第一芯片傳感腳一通過電性連接所述第一基島從而接至所述第一芯片的傳感
7.根據權利要求6所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，所述封裝體的傳感器引腳還包括第二芯片傳感腳二，所述第二芯片傳感腳二通過電性連接所述第二芯片的第一主面從而接至所述第二芯片的傳感器，所述第一芯片的第一主面與所述第二基島電性連接，所述第二芯片的溫度傳感信號通過所述第二芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳二獲取，所述第一芯片的溫度傳感信號通過所述第一芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳一獲取。
8.根據權利要求5-7中任一項所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，還包括被所述塑封體覆蓋的負溫度系數熱敏電阻，所述負溫度系數熱敏電阻的一端連接所述第二基島、另一端連接穿入所述塑封體的第一NTC引腳。
9.一種功率半導體器件的封裝體，其特征在于，包括：
10.一種功率半導體器件的封裝體，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種功率半導體器件的封裝體，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，各所述功率引腳從所述第一側穿入所述塑封體，各所述控制引腳從所述第二側穿入所述塑封體。
3.根據權利要求2所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，相鄰的功率引腳之間的間距大于所述第一側的邊長的1/6、小于所述第一側的邊長的1/3。
4.根據權利要求2所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，所述功率半導體芯片的數量為至少兩個。
5.根據權利要求4所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，還包括導電基板，所述功率半導體芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，第二芯片的第一主面包括源極、第二主面包括漏極，所述封裝體的功率引腳包括第一功率引腳、第二功率引腳、第三功率引腳，所述導電基板包括：
6.根據權利要求5所述的功率半導體器件的封裝體，其特征在于，所述封裝體的傳感器引腳包括第一芯片傳感腳一和第二芯片傳感腳一，所述第一芯片傳感腳一通過電性連接所述第一基島從而接至所述第一芯片的傳感器，所述第二...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李平，馬榮耀，王代利，邵志峰，潘效飛，
申請(專利權)人：華潤微電子重慶有限公司，
類型：新型
國別省市：
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