【技術實現步驟摘要】
本公開內容的實施方式一般涉及形成半導體結構的薄層的方法。更具體地說，本公開內容的一些實施方式針對選擇性沉積以減小膜厚度和粗糙度的方法。
技術介紹
1、一般來說，集成電路(ic)指電子裝置集合，例如，在小晶片的半導體材料(通常為硅)上形成的晶體管。通常，ic包括一層或多層鍍金屬，所述鍍金屬具有用于使ic的電子裝置彼此連接并連接到外部連接的金屬線。通常，將層間介電材料的層放置在ic的鍍金屬層之間用于絕緣。
2、隨著ic的尺寸減小，金屬線之前的間隔減小。通常，為了制造互連結構，使用涉及通過金屬通孔將一層鍍金屬對準并連接到另一層鍍金屬的平面工藝。
3、減小這些通孔的電阻對于改進電子裝置的性能至關重要。通過使阻擋層/襯墊材料的厚度最小化，借此使金屬體積最大化，可以控制通孔電阻的減小。
4、然而，在減小阻擋層/襯墊厚度方面存在固有的困難，因為這些膜需要連續以保持適當的性能。由此，需要超薄層。
技術實現思路
1、本公開內容的一個或多個實施方式涉及一種膜沉積方法，包含：在基板表面上沉積膜的非連續第一部分，將基板表面和第一部分暴露于鈍化劑以選擇性地鈍化第一部分，以及相對于膜的第一部分將膜的第二部分選擇性地沉積在基板表面上。
2、本公開內容的額外實施方式涉及一種形成互連結構的方法。方法包含在其中形成有特征的基板表面上沉積中間層的第一部分。特征從頂部到金屬底部延伸一深度，并且由介電側壁限定。第一部分在介電側壁上沉積并且是非連續的?；灞砻婧偷谝徊糠直┞队阝g
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種膜沉積方法，包含：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征從頂部到底部延伸一深度且由側壁限定，并且所述膜在所述側壁上沉積。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述底部包含金屬材料。
4.根據權利要求3所述的方法，其中所述金屬材料包含Cu、Co、W、Mo或Ru。
5.根據權利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻擋層、襯墊層或金屬成核層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是阻擋層并且基本上由TaN、摻雜的TaN、WN、MoN或TiN組成。
7.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是襯墊層并且基本上由Ti、W、WN、MoN、Co或Ru組成。
8.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是金屬成核層并且基本上由W、Mo、Co或Cu組成。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化劑包含具有至少反應性頭部基團和碳質尾部基團的阻擋化合物。
10.根據權利要求1所述的方法，進一步包含從所述第一部分移除所述鈍化。
11.根據權利要求1所
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述連續膜具有小于2nm的厚度。
13.一種形成互連結構的方法，所述方法包含：
14.根據權利要求13所述的方法，其中所述金屬底部包含Cu、Co、W、Mo或Ru。
15.根據權利要求13所述的方法，其中所述中間層是包含氮化鈦、氮化鉭或氮化鉬的阻擋層。
16.根據權利要求13所述的方法，其中所述中間層是包含鈷、釕或鉬的襯墊層。
17.根據權利要求13所述的方法，進一步包含從所述第一部分移除所述鈍化。
18.根據權利要求13所述的方法，進一步包含重復暴露于所述鈍化劑并且選擇性沉積以生長連續膜。
19.根據權利要求18所述的方法，其中所述連續膜具有小于2nm的厚度。
20.根據權利要求18所述的方法，進一步包含在所述連續膜上的所述特征內沉積金屬填充材料。
...【技術特征摘要】
1.一種膜沉積方法，包含：
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基板表面其中形成有特征，所述特征從頂部到底部延伸一深度且由側壁限定，并且所述膜在所述側壁上沉積。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述底部包含金屬材料。
4.根據權利要求3所述的方法，其中所述金屬材料包含cu、co、w、mo或ru。
5.根據權利要求2所述的方法，其中所述膜包含阻擋層、襯墊層或金屬成核層。
6.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是阻擋層并且基本上由tan、摻雜的tan、wn、mon或tin組成。
7.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是襯墊層并且基本上由ti、w、wn、mon、co或ru組成。
8.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜是金屬成核層并且基本上由w、mo、co或cu組成。
9.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化劑包含具有至少反應性頭部基團和碳質尾部基團的阻擋化合物。
10.根據權利要求1所述的方法，進一步包含從所...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。