MEMS傳感器和電子霧化裝置制造方法及圖紙

本申請公開了一種MEMS傳感器和電子霧化裝置，MEMS傳感器包括襯底、基板、測溫元件和導電觸點；襯底具有相對的第一表面和第二表面；第一表面具有凹槽，第二表面具有惠斯通電橋電路，惠斯通電橋電路的橋臂包括壓敏電阻；基板覆蓋凹槽形成密封腔體；測溫元件設置于密封腔體的內表面上；導電觸點設置于襯底和/或基板上，且與測溫元件電連接；其中，測溫元件具有電阻溫度系數。通過這樣的方式，能夠大幅消除上述的溫度漂移現象，從而提高了實施例MEMS傳感器的檢測精度。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及傳感器，具體涉及一種mems傳感器和電子霧化裝置。

技術介紹

1、近年來，隨著mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統)技術的快速發展，mems技術被廣泛應用到傳感器領域。傳統的mems壓阻式壓力傳感器是基于單晶硅壓阻效應通常采用惠斯通電橋結構將外界壓力信號轉化成相應的電信號，通過測量該電信號的數值從而可知外界壓力信號的大小。然而，該類mems壓阻式壓力傳感器存在檢測不精準的問題。

技術實現思路

1、本申請提供了一種mems傳感器和電子霧化裝置，用于解決mems傳感器檢測不準的問題。

2、根據本申請的第一個方面，本申請一些實施例提供一種mems傳感器，包括襯底、基板、測溫元件和導電觸點；所述襯底具有相對的第一表面和第二表面；所述第一表面具有凹槽，所述第二表面具有惠斯通電橋電路，所述惠斯通電橋電路的橋臂包括壓敏電阻；所述基板覆蓋所述凹槽形成密封腔體；所述測溫元件設置于所述密封腔體的內表面上；所述導電觸點設置于所述襯底和/或所述基板上，且與所述測溫元件電連接；其中，所述測溫元件具有電阻溫度系數。

3、在其中一些實施例中，所述mems傳感器還包括施力元件，所述施力元件至少部分設置于所述凹槽的底壁上；所述施力元件被配置為能夠在通電情況下，向所述凹槽的底壁施加靠近或遠離所述基板的作用力。

4、在其中一些實施例中，所述施力元件至少部分配置成所述測溫元件；所述施力元件包括第一極板和第二極板；所述第一極板設置于所述凹槽的底壁上；所述第二極板設置于所述基板上，且與所述第一極板間隔設置；所述導電觸點與所述第一極板和所述第二極板中的至少一個電連接；其中，所述第一極板和所述第二極板被配置為在通電情況下能夠相互排斥或相互吸引；所述第一極板為具有電阻溫度系數的金屬層且作為所述測溫元件；所述導電觸點包括分別與所述第一極板電連接的第一導電觸點和第二導電觸點。

5、在其中一些實施例中，所述第一極板和所述第二極板形成平行極板電容器，所述導電觸點還包括與所述第二極板電連接的第三導電觸點。

6、在其中一些實施例中，所述第一極板設置于所述凹槽的底面；所述第二極板設置于所述基板暴露于所述密封腔體的表面；所述基板具有第一導電孔、第二導電孔和第三導電孔；所述第一導電觸點設置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第一導電孔與所述第一極板的一端電連接，所述第二導電觸點設置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第二導電孔與所述第一極板的另一端電連接，所述第三導電觸點設置于所述基板背離所述襯底的表面且通過所述第三導電孔與所述第二極板電連接。

7、在其中一些實施例中，所述第一極板和所述第二極板中的一個包括永磁材料，另一個為電磁鐵；所述導電觸點與所述電磁鐵電連接，用于改變所述電磁鐵的極性；或所述第一極板和所述第二極板均為電磁鐵；所述導電觸點分別與所述第一極板和所述第二極板電連接，用于改變所述電磁鐵的極性。

8、在其中一些實施例中，所述施力元件包括設置于所述凹槽的底壁上的熱形變材料層和導電發熱層；所述熱形變材料層被配置為能夠在加熱情況下發生形變，從而向所述凹槽的底壁施加靠近或遠離所述基板的作用力；其中，所述導電發熱層為具有電阻溫度系數的金屬層且作為所述測溫元件；所述導電觸點包括分別與所述導電發熱層電連接的第一導電觸點和第二導電觸點。

9、在其中一些實施例中，所述導電發熱層設置于所述熱形變材料層和所述凹槽的底壁之間。

10、在其中一些實施例中，所述導電發熱層環繞所述熱形變材料層且設置于所述凹槽的底壁。

11、根據本申請的第二個方面，本申請一些實施例提供一種電子霧化裝置，包括儲液單元、霧化組件、mems傳感器和控制電路；所述儲液單元用于存儲氣溶膠生成基質；所述霧化組件用于霧化所述氣溶膠生成基質；所述mems傳感器為上述任一實施例提供的所述mems傳感器，設置于所述電子霧化裝置的氣流通道上，用于檢測所述氣流通道內的氣壓變化；所述控制電路分別與所述霧化組件和所述mems傳感器電連接；所述控制電路用于根據所述mems傳感器檢測到的氣壓變化控制所述霧化組件工作；其中，所述控制電路還用于根據所述測溫元件檢測到的所述mems傳感器的溫度，對所述mems傳感器的溫度漂移進行補償。

12、依據上述實施例的mems傳感器，在本實施例的mems傳感器100中，測溫元件設置于密封腔體的內表面上，可以實時監測mems傳感器的當前工作溫度，并能夠根據mems傳感器的當前工作溫度對mems傳感器的溫度漂移進行補償，由此能夠大幅消除上述的溫度漂移現象，從而提高了實施例mems傳感器的檢測精度。

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【技術保護點】

1.一種MEMS傳感器，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的MEMS傳感器，其特征在于，

4.根據權利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于，

5.根據權利要求4所述的MEMS傳感器，其特征在于，

6.根據權利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于，

7.根據權利要求2所述的MEMS傳感器，其特征在于，

8.根據權利要求7所述的MEMS傳感器，其特征在于，

9.根據權利要求7所述的MEMS傳感器，其特征在于，

10.一種電子霧化裝置，其特征在于，包括：

【技術特征摘要】

1.一種mems傳感器，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的mems傳感器，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的mems傳感器，其特征在于，

4.根據權利要求3所述的mems傳感器，其特征在于，

5.根據權利要求4所述的mems傳感器，其特征在于，

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【專利技術屬性】
技術研發人員：付堯，黃鷹，
申請(專利權)人：愛奇跡創造有限公司，
類型：發明
國別省市：