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    顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):43126501 閱讀:16 留言:0更新日期:2024-10-29 17:35
    提供了顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括:襯底;第一電極,設(shè)置在襯底的一個(gè)表面上;接觸電極,設(shè)置在第一電極上并且與第一電極接觸;緩沖層,設(shè)置在接觸電極上;薄膜晶體管的有源層,設(shè)置在緩沖層上;柵極絕緣層,設(shè)置在薄膜晶體管的有源層上;薄膜晶體管的柵電極,設(shè)置在柵極絕緣層上;以及發(fā)光元件,在穿透接觸電極、緩沖層和柵極絕緣層的元件接觸孔中設(shè)置在第一電極上。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本公開涉及顯示設(shè)備和包括多個(gè)顯示設(shè)備的拼接顯示設(shè)備。


    技術(shù)介紹

    1、隨著面向信息的社會(huì)的發(fā)展,對(duì)用于以各種方式顯示圖像的顯示設(shè)備提出了越來越多的需求。顯示設(shè)備可以是諸如液晶顯示器、場(chǎng)發(fā)射顯示器和發(fā)光顯示器的平板顯示設(shè)備。發(fā)光顯示設(shè)備可以包括包含有機(jī)發(fā)光二極管元件作為發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備或包含無機(jī)發(fā)光二極管元件(諸如發(fā)光二極管(led))作為發(fā)光元件的無機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

    2、顯示設(shè)備包括其中設(shè)置有顯示圖像的像素的顯示區(qū)域、以及設(shè)置在顯示區(qū)域周圍并且其中設(shè)置有用于驅(qū)動(dòng)像素的線的非顯示區(qū)域(或邊框區(qū)域)。近來,為了使顯示區(qū)域的面積最大化,已經(jīng)發(fā)布了無邊框的顯示設(shè)備。

    3、因此,已經(jīng)開發(fā)了一種顯示設(shè)備,在該顯示設(shè)備中,通過在襯底的后表面上設(shè)置電路板和顯示驅(qū)動(dòng)電路并在襯底的側(cè)表面上形成布線以連接發(fā)光元件和電路板,可以減小非顯示區(qū)域的面積或者完全消除非顯示區(qū)域的面積。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本公開的方面提供了顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備,其中通過僅執(zhí)行襯底的一個(gè)表面工藝提高了工藝效率和成品率。

    2、本公開的方面還提供了顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備,其中通過將發(fā)光元件設(shè)置成與襯底相鄰來最小化顯示面板的厚度。

    3、然而,本公開的方面不限于本文中闡述的方面。通過參考以下給出的本公開的詳細(xì)描述,本公開的以上和其它方面對(duì)于本公開所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將變得更加顯而易見。

    4、根據(jù)本公開的方面,顯示設(shè)備包括:襯底;第一電極,設(shè)置在襯底的一個(gè)表面上;接觸電極,設(shè)置在第一電極上并且與第一電極接觸;緩沖層,設(shè)置在接觸電極上;薄膜晶體管的有源層,設(shè)置在緩沖層上;柵極絕緣層,設(shè)置在薄膜晶體管的有源層上;薄膜晶體管的柵電極,設(shè)置在柵極絕緣層上;以及發(fā)光元件,在穿透接觸電極、緩沖層和柵極絕緣層的元件接觸孔中設(shè)置在第一電極上。

    5、在實(shí)施方式中,顯示設(shè)備還包括:第一層間絕緣層,設(shè)置在柵電極上;以及第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層,設(shè)置在第一層間絕緣層上,其中,元件接觸孔還穿透第一層間絕緣層,第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層包括第一連接電極,第一連接電極通過穿透第一層間絕緣層和柵極絕緣層的第一接觸孔連接到有源層,并且第一連接電極通過穿透第一層間絕緣層、柵極絕緣層和緩沖層的第二接觸孔連接到接觸電極。

    6、在實(shí)施方式中,顯示設(shè)備還包括:第一平坦化層,設(shè)置在第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層上;以及第二數(shù)據(jù)導(dǎo)電層,設(shè)置在第一平坦化層上,其中,第二數(shù)據(jù)導(dǎo)電層包括第二電極,并且發(fā)光元件在一端處與第一電極接觸并且在另一端處與第二電極接觸。

    7、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件包括設(shè)置在第一電極上的第一類型半導(dǎo)體、設(shè)置在第一類型半導(dǎo)體上的有源層、以及設(shè)置在有源層上的第二類型半導(dǎo)體,第二類型半導(dǎo)體與第二電極接觸。

    8、在實(shí)施方式中,有源層和襯底之間在襯底的厚度方向上的最小距離小于第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層和襯底之間在襯底的厚度方向上的最小距離。

    9、在實(shí)施方式中,第二電極的寬度大于發(fā)光元件和元件接觸孔的寬度。

    10、在實(shí)施方式中,顯示設(shè)備還包括:第二平坦化層,設(shè)置在第二數(shù)據(jù)導(dǎo)電層上;第三數(shù)據(jù)導(dǎo)電層,設(shè)置在第二平坦化層上;以及電路板,設(shè)置在襯底的一個(gè)表面上,其中,第三數(shù)據(jù)導(dǎo)電層包括穿透第二平坦化層的第一焊盤電極,并且電路板通過第一焊盤電極電連接到第二電極。

    11、在實(shí)施方式中,第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層還包括穿透第一層間絕緣層和柵極絕緣層的第二連接電極,第二數(shù)據(jù)導(dǎo)電層還包括穿透第一平坦化層的第三連接電極,第三數(shù)據(jù)導(dǎo)電層還包括穿透第二平坦化層的第二焊盤電極,并且電路板通過第二連接電極、第三連接電極和第二焊盤電極電連接到有源層。

    12、在實(shí)施方式中,第一焊盤電極從電路板接收低電位電壓,并且第二焊盤電極從電路板接收高電位電壓。

    13、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件的頂表面與襯底之間在襯底的厚度方向上的最小距離大于第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層的頂表面與襯底之間在襯底的厚度方向上的最小距離。

    14、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件的至少一部分在水平方向上與第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層、柵電極和有源層中的至少一個(gè)重疊。

    15、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件的整個(gè)底表面與第一電極接觸。

    16、在實(shí)施方式中,第一電極包含透明導(dǎo)電材料,并且接觸電極包含不透明導(dǎo)電材料。

    17、在實(shí)施方式中,接觸電極的厚度大于第一電極的厚度。

    18、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件配置成將光發(fā)射到襯底的另一表面上,并且襯底的另一表面是顯示表面。

    19、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件是豎直微型發(fā)光二極管。

    20、根據(jù)本公開的方面,拼接顯示設(shè)備包括:多個(gè)顯示設(shè)備;以及接縫,設(shè)置在多個(gè)顯示設(shè)備之間,其中,多個(gè)顯示設(shè)備中的第一顯示設(shè)備包括:襯底;第一電極,設(shè)置在襯底的一個(gè)表面上;接觸電極,設(shè)置在第一電極上并且與第一電極接觸;緩沖層,設(shè)置在接觸電極上;薄膜晶體管的有源層,設(shè)置在緩沖層上;柵極絕緣層,設(shè)置在薄膜晶體管的有源層上;薄膜晶體管的柵電極,設(shè)置在柵極絕緣層上;以及發(fā)光元件,在穿透接觸電極、緩沖層和柵極絕緣層的元件接觸孔中設(shè)置在第一電極上。

    21、在實(shí)施方式中,第一顯示設(shè)備還包括設(shè)置在襯底的另一表面上的光學(xué)構(gòu)件。

    22、在實(shí)施方式中,發(fā)光元件是豎直微型發(fā)光二極管。

    23、在實(shí)施方式中,多個(gè)顯示設(shè)備以矩陣形式布置成m(m是正整數(shù))行和n(n是正整數(shù))列。

    24、依據(jù)根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備,通過僅執(zhí)行襯底的一個(gè)表面工藝,可以提高工藝效率和成品率。

    25、依據(jù)根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的顯示設(shè)備和拼接顯示設(shè)備,通過將發(fā)光元件設(shè)置成與襯底相鄰,可以最小化顯示面板的厚度。

    26、然而,根據(jù)本公開的實(shí)施方式的效果不限于以上示例的效果,并且各種其它效果包括在本文中。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種顯示設(shè)備,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述第二電極的寬度大于所述元件接觸孔的寬度。

    6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層還包括穿透所述第一層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第二連接電極,

    8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述發(fā)光元件的至少一部分與所述第一數(shù)據(jù)導(dǎo)電層、所述柵電極和所述有源層中的至少一個(gè)處于相同水平處。

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述發(fā)光元件配置成將光發(fā)射到所述襯底的作為顯示表面的另一表面上。

    10.一種拼接顯示設(shè)備,其特征在于,包括:

    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種顯示設(shè)備,其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,所述第二電極的寬度大于所述元件接觸孔的寬度。

    6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其特征在于,還包括:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:李禎安梁熙元孫慶洛李炚瑾
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:三星顯示有限公司
    類型:新型
    國(guó)別省市:

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