【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及聚合物及其利用。
技術介紹
1、在有機電致發光(以下稱為有機el)元件中，作為發光層、電荷注入層，使用包含有機化合物的有機功能膜。特別地，空穴注入層承擔陽極與空穴傳輸層或發光層的電荷的授受，為了實現有機el元件的低電壓驅動和高亮度而發揮重要的功能。
2、空穴注入層的形成方法大致分為以蒸鍍法為代表的干法和以旋涂法、噴墨法為代表的濕法，如果將這些各方法進行比較，則濕法能夠大面積地高效率地制造平坦性高的薄膜。因此，在進行著有機el顯示器的大面積化的現在，希望有能夠采用濕法形成的空穴注入層，報道了與能夠采用濕法成膜的空穴注入材料有關的技術(專利文獻1)。
3、另外，近年來，隨著顯示器技術的發展，以量子點材料作為發光層的量子點電致發光(以下稱為量子點el)元件登場，顯示廣闊的應用前景。該量子點el元件能夠采用濕法以低成本制造，另一方面，由于發光波長的控制、色純度高、發光效率高、應用于柔性用途等特性，在顯示器技術、照明等領域中集中了眾多的關注。
4、鑒于這樣的實際情況，本申請人已開發了能夠在各種濕法中應用、同時形成在應用于有機el元件的空穴注入層時能夠實現優異的el元件特性的薄膜的電荷傳輸性材料、對于其中使用的有機溶劑顯示溶解性的電荷傳輸性物質、適合作為摻雜劑的化合物(參照專利文獻2～8、非專利文獻1)。
5、另外，在形成的薄膜上進一步將其他功能膜層疊時，從保持該薄膜的功能的觀點出發，需要使薄膜不被在其上涂布的功能膜形成用組合物侵入，因此需要高的耐溶劑性。
6、現有技
7、專利文獻
8、專利文獻1：國際公開第2008/032616號
9、專利文獻2：國際公開第2008/129947號
10、專利文獻3：國際公開第2006/025342號
11、專利文獻4：國際公開第2010/058777號
12、專利文獻5：國際公開第2005/000832號
13、專利文獻6：國際公開第2009/096352號
14、專利文獻7：國際公開第2020/218316號
15、專利文獻8：國際公開第2017/217455號
16、非專利文獻
17、非專利文獻1：chem.commun.,2768-2769(2003).
技術實現思路
1、專利技術要解決的課題
2、本專利技術也與目前為止開發的上述專利文獻的技術同樣地，目的在于提供在用于有機el元件等的電荷傳輸性薄膜的形成中可適合使用的聚合物。
3、用于解決課題的手段
4、本專利技術人為了解決上述課題，反復深入研究，結果發現：包含在側鏈具有三芳基胺結構、二芳基醚結構或二芳基硫醚結構和二烷基芴結構的重復單元、和、在側鏈具有氟代亞芳基和包含至少一個磺酸酯基的芳基的重復單元的聚合物在有機溶劑中的溶解性高，作為電荷傳輸性物質具有優異的功能，能夠實現電荷傳輸性和耐溶劑性優異的薄膜，完成了本專利技術。
5、即，本專利技術提供下述聚合物及其利用。
6、1.聚合物，其特征在于，包含由下述式(a1)表示的重復單元和由下述式(b1)表示的重復單元，
7、[化1]
8、
9、[{式(a1)中，rm為氫原子或甲基，r1a和r2a各自獨立地為單鍵或亞苯基，該亞苯基的氫原子的一部分或全部可被氰基、硝基、鹵素原子、乙烯基、三氟乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧雜環丁基、環氧基、碳原子數1～20的烷基或碳原子數1～20的鹵代烷基取代，
10、x1a為-n(ar3a)-、-s-或-o-，
11、ar1a為碳原子數6～20的亞芳基、碳原子數3～20的亞雜芳基或將由下述式(a2)表示的二烷基芴的芳環上的氫原子去除2個而得到的2價的基團，這些基團的芳環上的氫原子的一部分或全部可被氰基、硝基、鹵素原子、乙烯基、三氟乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧雜環丁基、環氧基、碳原子數1～20的烷基或碳原子數1～20的鹵代烷基取代，
12、ar2a和ar3a各自獨立地為碳原子數6～20的芳基或將由下述式(a2)表示的二烷基芴的芳環上的氫原子去除1個所得到的一價的基團，這些基團的芳環上的氫原子的一部分或全部可被氰基、硝基、鹵素原子、乙烯基、三氟乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧雜環丁基、環氧基、碳原子數1～20的烷基或碳原子數1～20的鹵代烷基取代，
13、x1a為-n(ar3a)-時，ar2a與ar3a可相互鍵合以與它們鍵合的氮原子一起形成環，
14、r2a為亞苯基時，r2a與ar2a可相互鍵合以與它們鍵合的氮原子、硫原子或氧原子一起形成環，
15、其中，ar1a～ar3a的至少一個為將由下述式(a2)表示的二烷基芴的芳環上的氫原子去除得到的基團，
16、[化2]
17、
18、(式中，r3a和r4a各自獨立地為碳原子數1～20的烷基、碳原子數1～20的烷氧基、或包含至少一個醚結構的碳原子數2～20的烷基，)}
19、(式(b1)中，arf表示氟代亞芳基，x1b表示o、s、nh、conh或nhco，ars表示在環上具有至少一個so3d1d2d3基的芳基，d1表示取代或未取代的二價烴基，d2表示單鍵、o、s、或取代或未取代的二價氨基，d3表示取代或未取代的一價烴基，但在d2為單鍵的情況下，可為氫原子。)]
20、2.根據1所述的聚合物，其中，由所述式(a1)表示的重復單元為由下述式(a1-1)表示的重復單元，
21、[化3]
22、
23、(式中，rm、r1a、r2a和ar1a～ar3a表示與上述相同的含義。)
24、3.根據1或2所述的聚合物，其中，所述r1a為單鍵。
25、4.根據1～3中任一項所述的聚合物，其中，所述r2a為亞苯基。
26、5.根據1～4中任一項所述的聚合物，其中，所述ar1a為9，9-二甲基-9h-芴-2，7-二基。
27、6.根據1～5中任一項所述的聚合物，其中，所述arf為全氟亞芳基。
28、7.根據6所述的聚合物，其中，所述arf為四氟亞苯基。
29、8.根據1～7中任一項所述的聚合物，其中，所述ars為在環上具有2個以上的所述so3d1d2d3基的芳基。
30、9.根據8所述的聚合物，其中，所述芳基為萘基。
31、10.根據1～9中任一項所述的聚合物，其中，所述x1b為o。
32、11.電荷傳輸性物質，其包含根據1～10中任一項所述的聚合物。
33、12.電荷傳輸性清漆，其包含根據1～11中任一項所述的聚合物、和溶劑。
34、13.根據12所述的電荷傳輸性清漆，其還包含根據1～11中任一項所述的聚合物以外的其他電荷傳輸性物質。
35、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.聚合物，其特征在于，包含由下述式(A1)表示的重復單元和由下述式(B1)表示的重復單元，
2.根據權利要求1所述的聚合物，其中，由所述式(A1)表示的重復單元為由下述式(A1-1)表示的重復單元，
3.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述R1a為單鍵。
4.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述R2a為亞苯基。
5.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述Ar1a為9，9-二甲基-9H-芴-2，7-二基。
6.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述ArF為全氟亞芳基。
7.根據權利要求6所述的聚合物，其中，所述ArF為四氟亞苯基。
8.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述ArS為在環上具有2個以上的所述SO3D1D2D3基的芳基。
9.根據權利要求8所述的聚合物，其中，所述芳基為萘基。
10.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述X1b為O。
11.電荷傳輸性物質，其包含根據權利要求1～10中任一項所述的聚合物。
12.電荷傳輸性清漆，其包含根
13.根據權利要求12所述的電荷傳輸性清漆，其還包含根據權利要求1所述的聚合物以外的其他電荷傳輸性物質。
14.根據權利要求13所述的電荷傳輸性清漆，其中，所述其他電荷傳輸性物質為芳基胺衍生物或噻吩衍生物，其中，芳基胺衍生物不包括所述聚合物。
15.由根據權利要求12～14中任一項所述的電荷傳輸性清漆得到的電荷傳輸性薄膜。
16.電子元件，其包括根據權利要求15所述的電荷傳輸性薄膜。
17.有機電致發光元件，其包括根據權利要求15所述的電荷傳輸性薄膜。
18.根據權利要求17所述的有機電致發光元件，其中，所述電荷傳輸性薄膜為空穴注入層或空穴傳輸層。
19.量子點電致發光元件，其包括根據權利要求15所述的電荷傳輸性薄膜。
20.根據權利要求19所述的量子點電致發光元件，其中，所述電荷傳輸性薄膜為空穴注入層或空穴傳輸層。
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.聚合物，其特征在于，包含由下述式(a1)表示的重復單元和由下述式(b1)表示的重復單元，
2.根據權利要求1所述的聚合物，其中，由所述式(a1)表示的重復單元為由下述式(a1-1)表示的重復單元，
3.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述r1a為單鍵。
4.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述r2a為亞苯基。
5.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述ar1a為9，9-二甲基-9h-芴-2，7-二基。
6.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述arf為全氟亞芳基。
7.根據權利要求6所述的聚合物，其中，所述arf為四氟亞苯基。
8.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述ars為在環上具有2個以上的所述so3d1d2d3基的芳基。
9.根據權利要求8所述的聚合物，其中，所述芳基為萘基。
10.根據權利要求1所述的聚合物，其中，所述x1b為o。
11.電荷傳輸性物質，其包含根據權利要求1～1...
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