【技術實現步驟摘要】
本技術涉及真空鍍膜設備,具體涉及一種插板閥及真空鍍膜設備。
技術介紹
1、等離子體增強化學氣相沉積法(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,pecvd)真空鍍膜設備通過微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,利用等離子體化學活性很強,很容易發生反應的原理,從而在待鍍工件上沉積出所需要的薄膜。其中,用于真空鍍膜工藝的真空鍍膜設備中,插板閥是相鄰兩個真空腔室之間或單個真空腔室密封必不可少的組成部件,其作用是,當需要對單個真空腔室進行工藝處理時,需要利用插板閥將真空腔室封閉,使真空腔室內的真空環境不被破壞。
2、現有技術中,真空鍍膜設備用的插板閥通常包括設有閥腔的閥體,閥體的側壁設置有與閥腔連通的兩個閥口,閥腔內設置有分別與兩個閥口一一對應的兩個插板,利用液壓缸驅動連桿機構帶動兩個插板同時打開或關閉兩個閥口,實現真空腔室的打開或密封。但是,由于液壓缸使用成本高,且后期維修保養成本高,導致插板閥生產和維修保養成本高;而且,液壓缸直接利用連桿機構帶動兩個插板運動實現兩個閥口打開或關閉,閥口打開或關閉可靠性差。
技術實現思路
1、本技術提供一種插板閥,旨在解決現有技術真空鍍膜設備的插板閥存在生產和維修保養成本高,且閥口打開或關閉可靠性差的問題。
2、本技術是這樣實現的,提供一種插板閥,用于真空鍍膜設備,包括:
3、內設有閥腔的閥體,所述閥體的側壁開設有與所述閥腔連通并相對設置的兩個閥口;
...【技術保護點】
1.一種插板閥,用于真空鍍膜設備,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,兩個所述插板中的一個所述插板貫穿設置有與所述閥腔相連通的通氣孔。
3.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,所述驅動組件還包括:
4.根據權利要求3所述的插板閥,其特征在于,所述驅動組件還包括:
5.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,兩個所述閥口的底部分別設有用于供工件進出所述閥腔的導向輪。
6.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,沿每個所述插板的長度方向上,每個所述插板的兩端位置均對應設置有至少兩個所述連桿機構。
7.根據權利要求2所述的插板閥,其特征在于,所述通氣孔的數量為沿所述插板的長度方向布置的至少兩個。
8.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,每個所述插板靠近對應所述閥口的一面設有用于密封所述閥口的密封墊。
9.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,所述閥腔內還設置有用于檢測兩個所述插板向上運動到位時觸發所述旋轉電機停止轉動信號的第一感應器、及用于檢測兩個所述插
10.一種真空鍍膜設備,其特征在于,包括如權利要求1~9任意一項所述的插板閥。
...【技術特征摘要】
1.一種插板閥,用于真空鍍膜設備,其特征在于,包括:
2.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,兩個所述插板中的一個所述插板貫穿設置有與所述閥腔相連通的通氣孔。
3.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,所述驅動組件還包括:
4.根據權利要求3所述的插板閥,其特征在于,所述驅動組件還包括:
5.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,兩個所述閥口的底部分別設有用于供工件進出所述閥腔的導向輪。
6.根據權利要求1所述的插板閥,其特征在于,沿每個所述插板的長度方向上,每個所述插板的兩端位置均對應設置有至少兩...
【專利技術屬性】
技術研發人員:金世成,云洋,蘇建華,
申請(專利權)人:深圳奧攔科技有限責任公司,
類型:新型
國別省市:
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