【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體封裝，特別是涉及一種內絕緣封裝結構的制備方法及內絕緣封裝結構。
技術介紹
1、功率器件產品在實際應用中，在散熱要求高的場合，會要求分立器件背面貼裝散熱器，然后，為了保證高壓環境中的功率器件的絕緣性能，需要在制造過程中采用絕緣措施將引線框架與散熱器隔開?，F有技術中采用三明治內絕緣結構，即塑封材料采用兩層銅框架，一層用于芯片焊接，一層用于背面散熱，兩層銅框架內用雙面覆銅陶瓷片進行絕緣隔離。該方案可靠性高，容易實現量產，但該方案對焊接的要求高，特別是對焊料的放置位置和用量，使得加工效率低，制備難度大。
技術實現思路
1、本申請的一目的在于提供一種內絕緣封裝結構的制備方法及內絕緣封裝結構，能提高加工效率，降低制備難度。
2、本申請采用的技術方案為：一種內絕緣封裝結構的制備方法，包括以下步驟：
3、s1、將上框架和下框架送入印刷機印刷焊料；
4、s2、將印刷完的下框架、絕緣件和印刷完的上框架依次貼合組裝；
5、s3、組裝后的產品放入機臺固晶；
6、s4、固晶后的產品送入焊接爐焊接；
7、s5、焊接后的成品進行清洗。
8、與現有技術相比，本申請的優點在于上框架和下框架的焊料采用印刷機印刷，使得焊料在上框架和下框架上的覆蓋范圍準確、厚度均勻，送入焊接爐焊接后，絕緣件與上框架和下框架之間的結合牢固，不易脫離，且提高了成品率。
9、在本申請的一些實施例中，所述步驟s1中包括步驟s11：
10、在本申請的一些實施例中，所述步驟s1中采用絲網印刷；所述步驟s1中的焊料為錫膏；所述步驟s1中的絲網印刷包括：在上框架上印刷與晶片尺寸相同的印孔，在下框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔，在上框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔。
11、在本申請的一些實施例中，所述步驟s2中包括步驟s21：在印刷完的下框架和絕緣件貼合組裝之前，將印刷完的下框架放置在石墨焊接盤上；在步驟s2中還包括步驟s22：在絕緣件貼合組裝之前，將絕緣件整列。
12、進一步的，所述步驟s22中的絕緣件整列為：將絕緣件放置到搖盤上，通過搖晃使得絕緣件進入搖盤上的固定槽；在步驟s2中絕緣件和印刷完的下框架貼合組裝為：用吸盤吸附整列后的絕緣件并通過吸盤將絕緣件放置到印刷完的下框架上。
13、在本申請的一些實施例中，所述步驟s3中，將晶片放置到上框架上并固定。
14、在本申請的一些實施例中，所述步驟s4中包括步驟s41：在固晶后的產品送入焊接爐之前，對其進行第一次質檢；在步驟s4中還包括步驟s42：在焊接后，成品送出焊接爐進行第二次質檢。
15、在本申請的一些實施例中，所述步驟s4中焊接爐為真空燒結爐；焊接溫度為360℃-380℃；焊接時間為60s；真空度為20mpa。
16、在本申請的一些實施例中，所述步驟s5中清洗采用超聲波清洗機。
17、本專利技術得到的一種內絕緣封裝結構，采用上述的一種內絕緣封裝結構的制備方法制得，包括下框架、上框架和晶片，下框架和上框架之間設有用于隔絕兩者的絕緣件，上框架的一側與絕緣件的一側連接，上框架的另一側與晶片連接，絕緣件的另一側與下框架連接。
18、在本申請的一些實施例中，所述絕緣件的正反兩面均設有焊接加強區。
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1.一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S1中包括步驟S11：在印刷之前，將上框架和下框架擺放在定位盤上，通過定位盤將上框架和下框架送入印刷機。
3.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S1中采用絲網印刷；所述步驟S1中的焊料為錫膏；所述步驟S1中的絲網印刷包括：在上框架上印刷與晶片尺寸相同的印孔，在下框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔，在上框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔。
4.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S2中包括步驟S21：在印刷完的下框架和絕緣件貼合組裝之前，將印刷完的下框架放置在石墨焊接盤上；在步驟S2中還包括步驟S22：在絕緣件貼合組裝之前，將絕緣件整列。
5.根據權利要求4所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S22中的絕緣件整列為：將絕緣件放置到搖盤上，通過搖晃使得絕緣件進入搖盤上的固定槽；在步驟S2中絕緣件和印刷完的下框架貼合組裝為：用吸
6.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S3中，將晶片放置到上框架上并固定。
7.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S4中包括步驟S41：在固晶后的產品送入焊接爐之前，對其進行第一次質檢；在步驟S4中還包括步驟S42：在焊接后，成品送出焊接爐進行第二次質檢。
8.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟S4中焊接爐為真空燒結爐；焊接溫度為360℃-380℃；焊接時間為60S；真空度為20MPa。
9.一種內絕緣封裝結構，其特征在于，采用如權利要求1-8中任一項所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法制得，包括下框架、上框架和晶片，下框架和上框架之間設有用于隔絕兩者的絕緣件，上框架的一側與絕緣件的一側連接，上框架的另一側與晶片連接，絕緣件的另一側與下框架連接。
10.根據權利要求9所述的一種內絕緣封裝結構，其特征是：所述絕緣件的正反兩面均設有焊接加強區。
...【技術特征摘要】
1.一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟s1中包括步驟s11：在印刷之前，將上框架和下框架擺放在定位盤上，通過定位盤將上框架和下框架送入印刷機。
3.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟s1中采用絲網印刷；所述步驟s1中的焊料為錫膏；所述步驟s1中的絲網印刷包括：在上框架上印刷與晶片尺寸相同的印孔，在下框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔，在上框架上印刷與絕緣件尺寸相同的印孔。
4.根據權利要求1所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟s2中包括步驟s21：在印刷完的下框架和絕緣件貼合組裝之前，將印刷完的下框架放置在石墨焊接盤上；在步驟s2中還包括步驟s22：在絕緣件貼合組裝之前，將絕緣件整列。
5.根據權利要求4所述的一種內絕緣封裝結構的制備方法，其特征是：所述步驟s22中的絕緣件整列為：將絕緣件放置到搖盤上，通過搖晃使得絕緣件進入搖盤上的固定槽；在步驟s2中絕緣件和印刷完的下框架貼合組...
【專利技術屬性】
技術研發人員：肖傳興，
申請(專利權)人：寧波港波電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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