【技術實現步驟摘要】
本專利技術實施例涉及顯示，尤其涉及一種疊層oled器件及顯示面板。
技術介紹
1、有機發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)是一種電流驅動的發(fā)光元件，具有響應快、自主發(fā)光、視角寬及工作溫度范圍大等優(yōu)點，從而廣泛的應用于高性能顯示領域。
2、近年來，隨著半導體照明技術的發(fā)展，各種發(fā)光器件結構不斷被提出，疊層oled器件便是其中之一。疊層oled器件是將兩個或以上的單層oled器件通過電荷產生層串聯在一起，由于器件電容增大，因此在低灰階顯示中往往亮度不均而影響顯示效果。
技術實現思路
1、本專利技術提供一種疊層oled器件及顯示面板，提高了電荷產生層的電子注入傳輸效率，有效降低器件電容，進而提高低灰階顯示中的顯示效果。
2、第一方面，本專利技術實施例提供一種疊層oled器件，包括依次層疊設置的第一電極、第一發(fā)光堆疊層、第一電荷產生層、第二電荷產生層、第二發(fā)光堆疊層和第二電極；
3、所述第一發(fā)光堆疊層包括第一電子傳輸層；所述第一電荷產生層與所述第一電子傳輸層相鄰設置；其中，所述第一電荷產生層的電子遷移率大于所述第一電子傳輸層電子遷移率；所述第一電荷產生層的厚度小于所述第一電子傳輸層的厚度。
4、可選的，所述第一電荷產生層的材料包括低功函數金屬或者堿金屬。
5、可選的，所述第一發(fā)光堆疊層還包括第一發(fā)光層、第一電子阻擋層、第一空穴傳輸層和第一空穴注入層；
6、所述第一電荷產生層和
7、可選的，所述第二發(fā)光堆疊層還包括第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子阻擋層、第二空穴傳輸層；
8、所述第二電荷產生層和所述第二電極之間依次層疊設置所述第二空穴傳輸層、所述第二電子阻擋層、所述第二發(fā)光層和所述第二電子傳輸層；所述第二電荷產生層與所述第二空穴傳輸層相鄰設置。
9、可選的，所述第一電荷產生層膜厚范圍為1-10nm。
10、可選的，所述第一電子傳輸層膜厚范圍為30-50nm。
11、可選的，所述第二電子傳輸層膜厚范圍為20-40nm。
12、可選的，所述第一電荷產生層的最高占據分子軌道能級大于第一電子傳輸層的最高占據分子軌道能級之間的能級差大于0.3v。
13、可選的，所述第一電荷產生層的最低未占分子軌道能級與第二電荷產生層的最低未占分子軌道能級之間的能級差小于0.3v。
14、第二方面，本專利技術實施例提供一種顯示面板，包括如本專利技術任意實施例所述的疊層oled器件。
15、本專利技術實施例提供一種疊層oled器件及顯示面板，通過在疊層oled器件中設置第一電荷產生層和第二電荷產生層，第一電荷產生層的電子遷移率大于相鄰的第一電子傳輸層的電子遷移率，從而有效地將第一電荷產生層的電子提供到第一電子傳輸層中。并將第一電荷產生層的厚度設置為小于第一電子傳輸層的厚度，因此電子可以快速通過第一電荷產生層，也避免電荷在第一電子傳輸層表面的堆積，從而避免電荷累積造成器件的電壓升高，第一發(fā)光層中空穴和電子更容易產生復合，在低亮度下電子注入和傳輸更快，提高了電荷產生層的電子注入傳輸效率，有效降低器件電容，進而提高低灰階顯示中的顯示效果。
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1.一種疊層OLED器件，其特征在于，包括依次層疊設置的第一電極、第一發(fā)光堆疊層、第一電荷產生層、第二電荷產生層、第二發(fā)光堆疊層和第二電極；
2.根據權利要求1所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一電荷產生層的材料包括低功函數金屬或者堿金屬。
3.根據權利要求1所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一發(fā)光堆疊層還包括第一發(fā)光層、第一電子阻擋層、第一空穴傳輸層和第一空穴注入層；
4.根據權利要求1所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第二發(fā)光堆疊層還包括第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子阻擋層、第二空穴傳輸層；
5.根據權利要求1-4任一項所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一電荷產生層膜厚范圍為1-10nm。
6.根據權利要求5所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層膜厚范圍為30-50nm。
7.根據權利要求1-4任一項所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第二電子傳輸層膜厚范圍為20-40nm。
8.根據權利要求1所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一
9.根據權利要求1所述的疊層OLED器件，其特征在于，所述第一電荷產生層的最低未占分子軌道能級與第二電荷產生層的最低未占分子軌道能級之間的能級差小于0.3V。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-9中任一項所述的疊層OLED器件。
...【技術特征摘要】
1.一種疊層oled器件，其特征在于，包括依次層疊設置的第一電極、第一發(fā)光堆疊層、第一電荷產生層、第二電荷產生層、第二發(fā)光堆疊層和第二電極；
2.根據權利要求1所述的疊層oled器件，其特征在于，所述第一電荷產生層的材料包括低功函數金屬或者堿金屬。
3.根據權利要求1所述的疊層oled器件，其特征在于，所述第一發(fā)光堆疊層還包括第一發(fā)光層、第一電子阻擋層、第一空穴傳輸層和第一空穴注入層；
4.根據權利要求1所述的疊層oled器件，其特征在于，所述第二發(fā)光堆疊層還包括第二電子傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子阻擋層、第二空穴傳輸層；
5.根據權利要求1-4任一項所述的疊層oled器件，其特征在于，所述第一電荷產生層膜厚范圍為1-10nm...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：劉培，陳建，薛浩，譚銘希，
申請(專利權)人：上海和輝光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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