【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術是有關于一種半導體裝置的操作方法，且特別是有關于一種對存儲器進行編程的方法。
技術介紹
1、在對存儲器進行包括多次編程觸發(fā)的編程操作時，可先在編程觸發(fā)的預充電階段對公共源極線施加特定的公共源極線電壓，以增加未選擇的存儲單元的通道電平而使其可處于足夠大的電壓電平，用于避免未選擇的存儲單元產(chǎn)生fn隧穿效應(fowler-nordheimtunneling?effect)。然而，過大的公共源極線電壓容易在特定的字線(例如選擇的字線)上產(chǎn)生相對大的水平電場而誘發(fā)熱載流子干擾，使得未選擇的存儲單元的閾值電壓上升而增加后續(xù)進行讀取操作時產(chǎn)生讀取干擾的可能性。
2、若為改善上述問題而降低在預充電階段對公共源極線施加的公共源極線電壓，則未選擇的存儲單元將因通道電平下降而降低防止編程干擾的能力，使得未選擇的存儲單元受到編程干擾的可能性增加。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術提供一種對存儲器進行編程的方法，其可避免誘發(fā)熱載流子干擾，且減少存儲器產(chǎn)生編程干擾的可能性。
2、本專利技術的對存儲器進行編程的方法包括執(zhí)行多次編程觸發(fā)，其中每個編程觸發(fā)包括預充電階段以及編程階段，且包括以下步驟：首先，在預充電階段時，對公共源極線施加公共源極線電壓，其中通過在多個預充電階段中使用增量步進脈沖編程(ispp)來施加公共源極線電壓。接著，在編程階段將編程電壓施加到選擇的字線，其中通過在多個編程階段中使用ispp來施加編程電壓。
3、本專利技術的對存儲器進行編程的方法包括進行多
4、基于上述，本專利技術的對存儲器進行編程的方法通過在多個預充電階段中使用增量步進脈沖編程(ispp)來施加公共源極線電壓或者位線電壓，其可避免在特定的字線(例如選擇的字線)上產(chǎn)生相對大的水平電場而誘發(fā)熱載流子干擾。再者，本專利技術的對存儲器進行編程的方法通過在多個預充電階段中使用增量步進脈沖編程(ispp)來施加公共源極線電壓或者位線電壓，其以此可減少本專利技術的存儲器產(chǎn)生編程干擾的可能性。
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1.一種對存儲器進行編程的方法，包括執(zhí)行多次編程觸發(fā)，其中每個編程觸發(fā)包括預充電階段以及編程階段，且包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加，且所述公共源極線電壓在每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括第一期間以及第二期間，在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在所述第一期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間不變，且在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在所述第二期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的一個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述公共源極線電壓在所述第二期間中的每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括多個所述第一期間以及多個所述第
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的兩個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述一個第二期間安排于所述兩個第一期間之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加預充電電壓至接地選擇線以及多條下偽字線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加接地電壓至串行選擇線，以使耦接至所述串行選擇線的串行選擇柵極處于關閉的狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述多次編程觸發(fā)中進行快速通過編程操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述存儲器包括單層存儲單元(single-level?cell；SLC)、雙層存儲單元(multi-level?cell；MLC)、三層存儲單元(triple-level?cell；TLC)或四層存儲單元(quad-level?cell；QLC)的存儲單元。
11.一種對存儲器進行編程的方法，包括執(zhí)行多次編程觸發(fā)，其中每個編程觸發(fā)包括預充電階段以及編程階段，且包括以下步驟：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其中在所述預充電階段中施加的所述位線電壓在一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加，且所述位線電壓在每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括第一期間以及第二期間，在所述預充電階段中施加的所述位線電壓在所述第一期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間不變，且在所述預充電階段中施加的所述位線電壓在所述第二期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的一個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述位線電壓在所述第二期間中的每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括多個所述第一期間以及多個所述第二期間，且所述多個第二期間中的一者安排于相鄰的所述多個第一期間中的二者之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的兩個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述一個第二期間安排于所述兩個第一期間之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加預充電電壓至串行選擇線以及多條上偽字線。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加接地電壓至接地選擇線，以使耦接至所述接地選擇線的接地選擇柵極處于關閉的狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述多次編程觸發(fā)中進行快速通過編程操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述存儲器包括單層存儲單元(single-level?cell；SLC)、雙層存儲單元(multi-level?cell；MLC)、三層存儲單元(triple-level?cell；TLC)或四層存儲單元(quad-level?cell；QLC)的存儲單元...
【技術特征摘要】
1.一種對存儲器進行編程的方法，包括執(zhí)行多次編程觸發(fā)，其中每個編程觸發(fā)包括預充電階段以及編程階段，且包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加，且所述公共源極線電壓在每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括第一期間以及第二期間，在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在所述第一期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間不變，且在所述預充電階段中施加的所述公共源極線電壓在所述第二期間中的一次編程觸發(fā)與隨后的編程觸發(fā)之間增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的一個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述公共源極線電壓在所述第二期間中的每次所述一次編程觸發(fā)與所述隨后的編程觸發(fā)之間增加的值相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括多個所述第一期間以及多個所述第二期間，且所述多個第二期間中的一者安排于相鄰的所述多個第一期間中的二者之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述多次編程觸發(fā)包括依序安排的兩個所述第一期間以及一個所述第二期間，且所述一個第二期間安排于所述兩個第一期間之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加預充電電壓至接地選擇線以及多條下偽字線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述預充電階段時施加接地電壓至串行選擇線，以使耦接至所述串行選擇線的串行選擇柵極處于關閉的狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其還包括在所述多次編程觸發(fā)中進行快速通過編程操作。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對存儲器進行編程的方法，其中所述存儲器包括單層存儲單元(single-level?cell；slc)、雙層存儲單元(multi-level?cell；mlc)、三層存儲單元(triple-level?cell；tlc)或四層存儲單元(quad-level?cell；qlc)的存儲單元。
<...【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李亞叡，
申請(專利權(quán))人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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