【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示器，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法。
技術介紹
1、對于顯示器件來說，色域及發光效率是非常重要的性能指標。
2、現有的有機發光顯示器件，像素限定層覆蓋了部分第一電極，影響發光效率。且像素限定層的高度低，發光元件散發的大角度光線在像素限定層上方會發生串擾，降低顯示效果。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種顯示面板及其制備方法，以解決像素限定層覆蓋了部分第一電極，影響發光效率；以及像素限定層的高度低，發光元件散發的大角度光線在像素限定層上方發生串擾，降低顯示效果的技術問題。
2、根據本專利技術的一方面，提供了一種顯示面板，包括基板以及設置于所述基板一側的多個發光元件和多個像素限定結構：
3、所述發光元件包括第一電極，所述像素限定結構位于相鄰兩個所述第一電極之間，且沿所述顯示面板的厚度方向，所述像素限定結構與所述第一電極無交疊；
4、所述第一電極遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第一距離，所述像素限定結構遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第二距離；所述第二距離大于所述第一距離。
5、可選地，所述第一距離為l1，所述第二距離為l2；
6、其中，l2/l1≥2。
7、可選地，80nm≤l1≤100nm；170nm≤l2≤300nm。
8、可選地，所述像素限定結構包括朝向所述第一電極一側的側壁，所述側壁的至少部分區域設置有凹槽；
9、所述發光元
10、可選地，所述像素限定結構包括疊層設置的第一像素限定子結構和第二像素限定子結構，所述第二像素限定子結構位于所述第一像素限定子結構遠離所述基板的一側；
11、所述第一像素限定子結構與所述第二像素限定子結構的材料不同，所述第一像素限定子結構的所述側壁的至少部分區域設置有所述凹槽。
12、根據本專利技術的另一方面，提供了一種顯示面板的制備方法，所述制備方法包括：
13、提供基板；
14、在所述基板一側制備發光元件的第一電極；
15、在所述基板一側，且在相鄰兩個所述第一電極之間制備像素限定結構；沿所述顯示面板的厚度方向，所述像素限定結構與所述第一電極無交疊；并且，所述第一電極遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第一距離，所述像素限定結構遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第二距離；所述第二距離大于所述第一距離。
16、可選地，在所述基板一側，且在相鄰兩個所述第一電極之間制備像素限定結構，包括：
17、在所述基板一側以及所述第一電極遠離所述基板的一側制備第一像素限定層；所述第一像素限定層包括位于所述基板一側的第一限定分部以及位于所述第一電極遠離所述基板一側的第二限定分部；所述第一限定分部遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第三距離，所述第二限定分部遠離所述基板一側的表面與所述基板之間的距離為第四距離；所述第三距離為l3，所述第四距離為l4；其中，|l4-l3|/l3≤20％；
18、在所述第一像素限定層遠離所述基板的一側制備第二像素限定層；
19、圖案化所述第一像素限定層和所述第二像素限定層制備得到所述像素限定結構。
20、可選地，在所述基板一側以及所述第一電極遠離所述基板的一側制備第一像素限定層，包括：
21、在所述基板一側以及所述第一電極遠離所述基板的一側制備第一像素限定材料層；
22、在所述第一像素限定材料層遠離所述基板的一側制備有機層；
23、采用混合刻蝕氣體刻蝕所述有機層和所述第一像素限定材料層制備得到所述第一像素限定層；所述混合刻蝕氣體對所述有機層的刻蝕速率為v1，對所述第一像素限定材料層的刻蝕速率為v2；其中，0.8≤v1：v2≤1.2。
24、可選地，所述混合刻蝕氣體包括四氟化碳、三氟甲烷、二氟甲烷以及氧氣。
25、可選地，圖案化所述第一像素限定層和所述第二像素限定層制備得到所述像素限定結構，包括：
26、光刻并采用同一刻蝕氣體刻蝕所述第一像素限定層和所述第二像素限定層，所述刻蝕氣體對所述第一像素限定層的刻蝕速率大于對所述第二像素限定層的刻蝕速率，以在所述第一像素限定層的至少部分側壁形成凹槽；
27、所述制備方法還包括：
28、在所述第一電極遠離所述基板的一側制備發光層，所述發光層包括公共發光層，至少部分所述公共發光層在所述凹槽處斷開。
29、本專利技術實施例通過設置像素限定結構與第一電極無交疊，相比于現有技術最大化利用第一電極，可在第一電極遠離基板一側的表面鋪滿發光層，有效增大發光面積，提升發光效率。并且設置相鄰兩個第一電極之間的像素限定結構高于第一電極，使得像素限定結構可對發光元件發散的大角度光線進行反射，避免發光元件的光發散至像素限定結構上方，造成相鄰兩個發光元件之間的光學串擾，以提升顯示面板的顯示效果。
30、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本專利技術的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本專利技術的范圍。本專利技術的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種顯示面板，其特征在于，包括基板以及設置于所述基板一側的多個發光元件和多個像素限定結構：
2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一距離為L1，所述第二距離為L2；
3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，80nm≤L1≤100nm；170nm≤L2≤300nm。
4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素限定結構包括朝向所述第一電極一側的側壁，所述側壁的至少部分區域設置有凹槽；
5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述像素限定結構包括疊層設置的第一像素限定子結構和第二像素限定子結構，所述第二像素限定子結構位于所述第一像素限定子結構遠離所述基板的一側；
6.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述基板一側，且在相鄰兩個所述第一電極之間制備像素限定結構，包括：
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述基板一側以及所述第一電極遠離所述基板的一側制備第一像素限定層，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種顯示面板，其特征在于，包括基板以及設置于所述基板一側的多個發光元件和多個像素限定結構：
2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一距離為l1，所述第二距離為l2；
3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，80nm≤l1≤100nm；170nm≤l2≤300nm。
4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素限定結構包括朝向所述第一電極一側的側壁，所述側壁的至少部分區域設置有凹槽；
5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述像素限定結構包括疊層設置的第一像素限定子結構和第二像素限定子結構，所述第二像素限定子結構位于所述第一像素...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張雨，鄒成，季淵，
申請(專利權)人：南京昀光科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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