【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及l(fā)ed封裝，具體涉及一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件。
技術介紹
1、發(fā)光二極管(led)是一種半導體照明裝置，與常規(guī)照明裝置相比，具有多種優(yōu)點。例如，led具有較長的使用壽命、體積小巧、功率消耗少以及無汞污染。因此，led代替了常規(guī)照明裝置而被頻繁用作新型照明裝置和背光產(chǎn)品。
2、現(xiàn)有的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構中，有的封裝結(jié)構在芯片側(cè)面直接設置反射層，如中國專利cn202110965678.3，專利名稱：新型微型led封裝結(jié)構及其封裝方法，該封裝結(jié)構僅能實現(xiàn)芯片的單面出光，出光角度約110~120°，在應用到背光源應道顯示器件上時，如果實現(xiàn)模組出光的均勻性，勢必減少led之間的間距，這就增加器件成本，且其中的光轉(zhuǎn)換層裸露在空氣中，因此不能使用易受潮的ksf熒光粉，只能使用常規(guī)的非氟化物的熒光粉，導致無法實現(xiàn)器件的高色域。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術的目的在于：提供一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，能夠增大芯片的出光角度，減少背光應用led使用顆粒數(shù)，降低成本，能夠?qū)晒饽みM行保護，實現(xiàn)器件的高色域。
2、為實現(xiàn)上述目的，本技術所采取的技術方案是：一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，包括：
3、led芯片，具有一頂表面，與頂面相對設置的底面，以及連接頂面和底面的側(cè)面；
4、熒光膜，覆蓋所述led芯片的頂面；
5、第一反射層，至少圍設于所述led芯片的側(cè)面四周，并暴露出led
6、透光層，設置在所述熒光膜上方；
7、以及遮光層，設置在所述透光層上方；
8、所述發(fā)光二極管封裝件的主要出光面為頂面和側(cè)面。
9、本技術更進一步改進方案是，所述透光層的底面至少覆蓋所述熒光膜的頂面、所述第一反射層的頂面和/或側(cè)面，所述遮光層的底面覆蓋所述透光層的頂面。
10、本技術更進一步改進方案是，所述熒光膜的寬度不小于led芯片寬度，所述第一反射層包覆所述led芯片的側(cè)面四周和部分底面以及所述熒光膜的側(cè)面四周，且所述第一反射層的頂面與所述熒光膜的頂面齊平。
11、本技術更進一步改進方案是，所述熒光膜的寬度大于led芯片寬度20~50um，且熒光膜的邊緣到第一反射層外側(cè)的距離＞50um，所述第一反射層包覆所述熒光膜的側(cè)面四周和部分底面。熒光膜的寬度大于led芯片的寬度是因為需切割道要求，較難齊平，離第一反射層外側(cè)的距離＞50um便于對ksf熒光粉做保護。
12、本技術更進一步改進方案是，所述熒光膜的寬度大于led芯片的寬度，所述第一反射層的頂面與所述led芯片的頂面齊平，所述熒光膜覆蓋所述led芯片的頂面以及所述第一反射層的頂面；所述透光層至少包裹熒光膜的整個頂面及其側(cè)面。
13、本技術更進一步改進方案是，還包括第二反射層，第二反射層設置在所述透光層的底面且圍設于所述第一反射層四周。
14、本技術更進一步改進方案是，所述熒光膜的寬度大于led芯片的寬度，所述熒光膜覆蓋所述led芯片的頂面并包裹led芯片的部分側(cè)面，所述透光層包裹熒光膜的整個頂面及側(cè)面，所述第一反射層的頂面與所述透光層的底面以及所述熒光膜的側(cè)面底部齊平。
15、本技術更進一步改進方案是，所述第一反射層的側(cè)面與所述熒光膜的側(cè)面齊平，所述第一反射層的側(cè)面圍設有第二反射層，所述第二反射層的側(cè)面與透光層的側(cè)面齊平。
16、本技術更進一步改進方案是，所述遮光層為透明硅膠制成，所述透明硅膠中摻雜有反射顆粒。
17、本技術更進一步改進方案是，所述反射顆粒為tio2和/或sio2。
18、本技術更進一步改進方案是，所述熒光膜的頂面距離遮光層底面的垂直距離為d1，1000um＞d1＞100um。
19、本技術更進一步改進方案是，500um＞d1＞300um。透明硅膠的厚度d1依據(jù)器件整體高度及光型，產(chǎn)品出光效率設計，d1太小的光易在遮光層與熒光膜之間往復反射，造成光損，d1太大會影響整個器件的高度，不合適應用。
20、本技術更進一步改進方案是，所述第二反射層厚度的厚度為h1，所述熒光膜的厚度為h4，所述led芯片的高度為h2，h2+h4≥h1≥0。
21、本技術更進一步改進方案是，所述遮光層的厚度為h3，1000um＞h3＞10um。遮光層的厚度h3依據(jù)器件整體高度及光型要求設計，通過調(diào)整遮光層厚度及摻雜濃度，可以實現(xiàn)“m”型的發(fā)光形貌，減少中心光強，改善視效；通過改變遮光層的厚度及摻雜粒子溶度，可以改變中心光強的相對強度，從而來適應不同應用端設計的要求，達到良好視覺效果的作用。
22、本技術更進一步改進方案是，所述透光層的外側(cè)壁與所述第一反射層的外側(cè)壁的間距為d2，d2＞50um。d2太薄，會導致熒光膜側(cè)壁的保護效果不佳，濕氣易滲入導致ksf失效。
23、本技術更進一步改進方案是，所述第一反射層和led芯片之間設有碗杯結(jié)構，所述碗杯結(jié)構覆蓋所述led芯片的四周側(cè)壁。
24、本技術的有益效果在于：
25、本技術通過在熒光膜上設置透光層和遮光層，使led芯片更多地從側(cè)面出光，能夠增大芯片的出光角度，實現(xiàn)封裝結(jié)構的“五”面出光。遮光層主要起到反射及阻擋正面光透射的作用，側(cè)面光的強度要高于正面，出光角度大，可有效減少背光應用led使用顆粒數(shù)，降低成本。
26、現(xiàn)有的led存在正面亮度高于側(cè)面區(qū)域的問題，導致存在視效上的“亮點”，本技術通過調(diào)整透光層和遮光層的厚度及位置、遮光層中反射顆粒的濃度等調(diào)整封裝件的光型，使得封裝件的光強從中心區(qū)域向周圍先逐漸增強后降低，消除視覺上的“亮點”。
27、本技術相較于現(xiàn)有技術中的暴露出熒光膜，通過設置透光層將熒光粉完全包裹在封裝體內(nèi)部，可以有效隔絕水汽，實現(xiàn)高可靠性，進而能夠使用易受潮的ksf熒光粉膜片來實現(xiàn)高色域。通過激發(fā)ksf熒光粉膜片實現(xiàn)高色域。在不使用qd膜的情況下，實現(xiàn)背光產(chǎn)品的高色域（ntsc＞85%）。
28、本技術中通過碗杯結(jié)構提高了led芯片側(cè)面光的反射效率，對led芯片側(cè)面發(fā)出的光進行有效利用，提高led芯片的出光率，進一步提高了出光角度。
29、本技術在led芯片底部設置由高反射白膠制成的反射層，可以提升亮度。
30、本技術中，ksf熒光膜在led芯片上方，主要用于led激發(fā)出射需要的白光；且包裹在高反射白膠和透光層中間，起到對ksf熒光粉的保護作用，防止受潮而產(chǎn)品失效。
31、本技術中，高反白膠層可以設置于整個結(jié)構四周，包裹ksf熒光膜/透明硅膠反色腔/led芯片及l(fā)ed電極gap，且頂面與ksf熒光膜頂面齊平，主要起到結(jié)構支撐作用及反射led側(cè)面光，保護ksf熒光膜側(cè)面作用。
32、本實用本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
1.一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述透光層（5）的底面至少覆蓋所述熒光膜（1）的頂面、所述第一反射層（3）的頂面和/或側(cè)面，所述遮光層（6）的底面覆蓋所述透光層（5）的頂面。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度不小于LED芯片（2）寬度，所述第一反射層（3）包覆所述LED芯片（2）的側(cè)面四周和部分底面以及所述熒光膜（1）的側(cè)面四周，且所述第一反射層（3）的頂面與所述熒光膜（1）的頂面齊平。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度大于LED芯片（2）寬度20~50um，且熒光膜（1）的邊緣到第一反射層（3）外側(cè)的距離＞50um，所述第一反射層（3）包覆所述熒光膜（1）的側(cè)面四周和部分底面。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特
6.根據(jù)權利要求1或5所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：還包括第二反射層（7），第二反射層（7）設置在所述透光層（5）的底面且圍設于所述第一反射層（3）四周。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度大于LED芯片（2）的寬度，所述熒光膜（1）覆蓋所述LED芯片（2）的頂面并包裹LED芯片（2）的部分側(cè)面，所述透光層（5）包裹熒光膜（1）的整個頂面及側(cè)面，所述第一反射層（3）的頂面與所述透光層（5）的底面以及所述熒光膜（1）的側(cè)面底部齊平。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述第一反射層（3）的側(cè)面與所述熒光膜（1）的側(cè)面齊平，所述第一反射層（3）的側(cè)面圍設有第二反射層（7），所述第二反射層（7）的側(cè)面與透光層（5）的側(cè)面齊平。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述遮光層（6）為透明硅膠制成，所述透明硅膠中摻雜有反射顆粒。
10.根據(jù)權利要求9所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述反射顆粒為TiO2和/或SiO2。
11.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的頂面距離遮光層（6）底面的垂直距離為D1，1000um＞D1＞100um。
12.根據(jù)權利要求11所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：500um＞D1＞300um。
13.根據(jù)權利要求6所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述第二反射層（7）厚度的厚度為H1，所述熒光膜（1）的厚度為H4，所述LED芯片（2）的高度為H2，H2+H4≥H1≥0。
14.根據(jù)權利要求11所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述遮光層（6）的厚度為H3，1000um＞H3＞10um。
15.根據(jù)權利要求14所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述透光層（5）的外側(cè)壁與所述第一反射層（3）的外側(cè)壁的間距為D2，D2＞50um。
16.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述第一反射層（3）和LED芯片（2）之間設有碗杯結(jié)構（8），所述碗杯結(jié)構（8）覆蓋所述LED芯片（2）的四周側(cè)壁。
...【技術特征摘要】
1.一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述透光層（5）的底面至少覆蓋所述熒光膜（1）的頂面、所述第一反射層（3）的頂面和/或側(cè)面，所述遮光層（6）的底面覆蓋所述透光層（5）的頂面。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度不小于led芯片（2）寬度，所述第一反射層（3）包覆所述led芯片（2）的側(cè)面四周和部分底面以及所述熒光膜（1）的側(cè)面四周，且所述第一反射層（3）的頂面與所述熒光膜（1）的頂面齊平。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度大于led芯片（2）寬度20~50um，且熒光膜（1）的邊緣到第一反射層（3）外側(cè)的距離＞50um，所述第一反射層（3）包覆所述熒光膜（1）的側(cè)面四周和部分底面。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度大于led芯片（2）的寬度，所述第一反射層（3）的頂面與所述led芯片（2）的頂面齊平，所述熒光膜（1）覆蓋所述led芯片（2）的頂面以及所述第一反射層（3）的頂面；所述透光層（5）至少包裹熒光膜（1）的整個頂面及其側(cè)面。
6.根據(jù)權利要求1或5所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：還包括第二反射層（7），第二反射層（7）設置在所述透光層（5）的底面且圍設于所述第一反射層（3）四周。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種具有180°出光角度的芯片級發(fā)光二極管封裝件，其特征在于：所述熒光膜（1）的寬度大于led芯片（2）的寬度，所述熒光膜（1）覆蓋所述led芯片（2）的頂面并包裹led芯片（2）的部分側(cè)面，所述透光層（5）包裹熒光膜（1）的整個頂面及側(cè)面，所述第一反射層（3）的頂面...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：蘆玲，黃靜，陳鍇，
申請(專利權)人：淮安澳洋順昌光電技術有限公司，
類型：新型
國別省市：
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