【技術實現步驟摘要】
本申請主要涉及半導體設備領域，尤其涉及一種氣體傳輸組件和半導體處理裝置。
技術介紹
1、原子層沉積(atomic?layer?deposition,ald)是通過將氣相前驅體以交替脈沖通入反應室并在基體表面發生氣固相化學吸附反應形成薄膜的一種方法。等離子增強原子層沉積((plasma?enhanced?atomic?layer?deposition，peald))是在ald的基礎上引入等離子體的一種沉積成膜方法。由于等離子體是具有高能量和活性的物質，技術人員在引入等離子體之后解決了較低溫度下反應物分子難以在表面上發生化學反應形成一層均勻、致密的薄膜的問題。一般的，peald成膜會采用將反應氣體(一種氣相前驅體和一種等離子氣體源)以交替脈沖通入的形式，形成原子層沉積(ald)模式的成膜。現有技術中，為了讓電容耦合等離子體(capacitively?coupled?plasma，ccp)腔體內的環境(氣流、壓力、熱場等)處于一個相對穩定的狀態，通常不會用閥門的通斷去控制反應氣體的流入與停止，而是會讓反應氣體保持恒定的流量通入腔體，而后在ccp電極上加載射頻電壓，用控制射頻電壓的通斷去控制等離子氣體源激發或不激發成等離子體以達到控制反應的目的。但是，在實際的生產過程中，有可能需要使用多種反應氣體(包括多種氣相前驅體)進行沉積成膜，例如需要沉積多元膜，或者需要進行原位摻雜。這時，這些通入氣體的濃度和速度往往都難以控制，不利于反應的進行。現有技術無法在維持反應環境的穩定性前提下，實現多種反應氣體的快速切換并滿足多種氣體通入時對氣體的流量、
技術實現思路
1、本申請要解決的技術問題是一種用于半導體處理的氣體傳輸組件，可以在反應時控制多種反應氣體的協同傳輸并保持反應環境的穩定性。
2、為解決上述技術問題，本申請提供了一種用于半導體處理的氣體傳輸組件，包括加熱基座、第一進氣模塊、第二進氣模塊、第一閥塊組、第二閥塊組和出氣模塊，所述第一進氣模塊嵌設在所述加熱基座中，所述第一進氣模塊的內部具有多個第一進氣通道；所述第二進氣模塊設置在所述第一進氣模塊的上方，所述第二進氣模塊的內部具有多個第二進氣通道；所述出氣模塊嵌設在所述加熱基座中，所述出氣模塊的內部具有出氣通道；所述第一閥塊組和所述第二閥塊組設置在所述加熱基座的上方，所述第一閥塊組包括多個第一閥塊，所述多個第一閥塊分別用于控制所述多個第一進氣通道的通斷；所述第二閥塊組中包括多個第二閥塊，所述多個第二閥塊分別用于控制所述多個第二進氣通道的通斷；其中，所述多個第一進氣通道用于通入反應氣體，所述多個第二進氣通道用于通入吹掃氣體。
3、在本申請的一實施例中，每個所述第一進氣通道分別具有第一進口，所述第一進口暴露于所述第一進氣模塊的上表面。
4、在本申請的一實施例中，每個所述第二進氣通道分別具有第二進口，所述第二進口暴露于所述第二進氣模塊的上表面。
5、在本申請的一實施例中，所述第一進氣模塊位于所述加熱基座的第一端，所述第二進口位于所述第二進氣模塊的第一端，其中，所述第二進氣模塊的第一端靠近所述加熱基座的第一端。
6、在本申請的一實施例中，所述第一進氣通道在入口端包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之間具有第一夾角，所述第一進口位于所述第一段的第一端口。
7、在本申請的一實施例中，所述第一進氣模塊的上表面與所述加熱基座的上表面平齊。
8、在本申請的一實施例中，所述出氣模塊的上表面與所述加熱基座的上表面平齊。
9、在本申請的一實施例中，所述出氣通道在出口端包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之間具有第二夾角。
10、在本申請的一實施例中，還包括導流通道，所述出氣通道的第二段在所述加熱基座的上表面具有第二出口，所述導流通道與所述第二出口相連接，所述導流通道用于與半導體處理裝置的進氣歧管連通。
11、在本申請的一實施例中，所述導流通道包括相互連通的第一導流通道和第二導流通道，所述第一導流通道設置在所述加熱基座的上方，所述第二導流通道設置在所述加熱基座的內部，所述第一導流通道的第一端與所述第二出口相連接。
12、本申請為解決上述技術問題還提出一種半導體處理裝置，包括反應腔、進氣歧管和如前所述的氣體傳輸組件，所述進氣歧管具有一歧管進口，所述氣體傳輸組件設置在所述進氣歧管上，所述出氣通道與所述歧管進口連通，所述進氣歧管用于向所述反應腔提供來自所述出氣通道的氣體。
13、本申請提供了一種用于半導體處理的氣體傳輸組件和半導體處理裝置。該氣體傳輸組件包括加熱基座、第一進氣模塊、第二進氣模塊、第一閥塊組、第二閥塊組和出氣模塊。其中，第一進氣模塊的內部具有多個第一進氣通道，第二進氣模塊的內部具有多個第二進氣通道，第一閥塊組中的多個第一閥塊與多個第一進氣通道一一對應，第二閥塊組中的多個第二閥塊與多個第二進氣通道一一對應，這樣的設置可以實現多種反應氣體和吹掃氣體的快速切換實現協同進氣；同時，根據加熱基座、第一進氣模塊、第一閥塊組、第二閥塊組和出氣模塊的結合設計，結構緊湊，便于安裝；由加熱基座統一加熱，保持溫場，能保持氣流的平穩，從而使半導體反應腔的壓力不受影響。
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1.一種用于半導體處理的氣體傳輸組件，其特征在于，包括加熱基座(110)、第一進氣模塊(120)、第二進氣模塊(130)、第一閥塊組(140)、第二閥塊組(150)和出氣模塊(160)，
2.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，每個所述第一進氣通道(121a、121b)分別具有第一進口(1211a、1211b)，所述第一進口(1211a、1211b)暴露于所述第一進氣模塊(120)的上表面。
3.如權利要求2所述的氣體傳輸組件，其特征在于，每個所述第二進氣通道(131a、131b)分別具有第二進口(1311a、1311b)，所述第二進口(1311a、1311b)暴露于所述第二進氣模塊(130)的上表面。
4.如權利要求3所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述第一進氣模塊(120)位于所述加熱基座(110)的第一端(1101)，所述第二進口(1311a、1311b)位于所述第二進氣模塊(130)的第一端(1301)，其中，所述第二進氣模塊(130)的第一端(1301)靠近所述加熱基座(110)的第一端(1101)。
5.如權利要
6.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述第一進氣模塊(120)的上表面與所述加熱基座(110)的上表面平齊。
7.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述出氣模塊(160)的上表面與所述加熱基座(110)的上表面平齊。
8.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述出氣通道(161)在出口端包括第一段(1611)和第二段(1612)，所述第一段(1611)和所述第二段(1612)之間具有第二夾角(θ2)。
9.如權利要求8所述的氣體傳輸組件，其特征在于，還包括導流通道(170)，所述出氣通道(161)的第二段(1612)在所述加熱基座(110)的上表面具有第二出口(1613)，所述導流通道(170)與所述第二出口(1613)相連接，所述導流通道(170)用于與半導體處理裝置(200)的進氣歧管(240)連通。
10.如權利要求9所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述導流通道(170)包括相互連通的第一導流通道(171)和第二導流通道(172)，所述第一導流通道(171)設置在所述加熱基座(110)的上方，所述第二導流通道(172)設置在所述加熱基座(110)的內部，所述第一導流通道(171)的第一端(1711)與所述第二出口(1613)相連接。
11.一種半導體處理裝置，其特征在于，包括反應腔(230)、進氣歧管(240)和如權利要求1-10任一項所述的氣體傳輸組件(100)，所述進氣歧管(240)具有一歧管進口(241)，所述氣體傳輸組件(100)設置在所述進氣歧管(240)上，所述出氣通道(161)與所述歧管進口(241)連通，所述進氣歧管(240)用于向所述反應腔(230)提供來自所述出氣通道(161)的氣體。
...【技術特征摘要】
1.一種用于半導體處理的氣體傳輸組件，其特征在于，包括加熱基座(110)、第一進氣模塊(120)、第二進氣模塊(130)、第一閥塊組(140)、第二閥塊組(150)和出氣模塊(160)，
2.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，每個所述第一進氣通道(121a、121b)分別具有第一進口(1211a、1211b)，所述第一進口(1211a、1211b)暴露于所述第一進氣模塊(120)的上表面。
3.如權利要求2所述的氣體傳輸組件，其特征在于，每個所述第二進氣通道(131a、131b)分別具有第二進口(1311a、1311b)，所述第二進口(1311a、1311b)暴露于所述第二進氣模塊(130)的上表面。
4.如權利要求3所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述第一進氣模塊(120)位于所述加熱基座(110)的第一端(1101)，所述第二進口(1311a、1311b)位于所述第二進氣模塊(130)的第一端(1301)，其中，所述第二進氣模塊(130)的第一端(1301)靠近所述加熱基座(110)的第一端(1101)。
5.如權利要求2所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述第一進氣通道(121a、121b)在入口端包括第一段(1212a、1212b)和第二段(1213a、1213b)，所述第一段(1212a、1212b)和所述第二段(1213a、1213b)之間具有第一夾角(θ1)，所述第一進口(1211a、1211b)位于所述第一段(1212a、1212b)的第一端口。
6.如權利要求1所述的氣體傳輸組件，其特征在于，所述第一進氣模塊(120)的上表面與所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：許正昱，蘇揚揚，韓萍，胡克咸，
申請(專利權)人：研微江蘇半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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