【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及金屬粉末，特別是涉及銀粉及其制備方法和應用。
技術介紹
1、電磁波屏蔽薄片通過添加一定的單金屬成分材料或多金屬成分復合材料制成薄片，以抑制電磁波穿透設備表面或進入設備內部，從而達到屏蔽電磁輻射的作用。因此，電磁波屏蔽薄片被廣泛應用于各類電子產品的生產制造中，如太陽能底板、智能手機、平板電腦、電視和電腦顯示器等。
2、超細銀粉由于其本身獨特的導電性與抗氧化性，可以有效地抑制電磁波的傳播，達到屏蔽信號的目的，因此，被廣泛應用于電磁波屏蔽薄片的制備中。然而，現有制備方法制備的超細銀粉存在粒徑大，粒度分布窄、分散性和穩定性差等諸多問題，使得超細銀粉在基體中分布不均勻時，會造成導電路徑受阻，從而導致電磁波屏蔽薄片的導電性能和電磁波屏蔽性能較差。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種銀粉及其制備方法和應用，該銀粉具有表面光滑、粒徑小、粒徑分布范圍寬、分散性良好的特點，能夠使其制備電磁波屏蔽薄片具有優異的導電性能和電磁波屏蔽性能。
2、一種銀粉，所述銀粉為球形，所述銀粉由大顆粒單晶銀粉和小顆粒單晶銀粉堆積而成，其中，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.8μm-1.2μm，小顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.3μm-0.6μm，且所述銀粉的span為6.45-8.3，均方根粗糙度為2.36nm-3.97nm。
3、在其中一個實施例中，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的質量分數為30.4％-45.3％，小顆粒單晶銀粉的質量分數為54.7％-6
4、本專利技術的銀粉，為由不同粒徑的大顆粒單晶銀粉和小顆粒單晶銀粉堆積而成的球形顆粒，并控制大顆粒單晶銀粉和小顆粒單晶銀粉的平均粒徑，不僅使得小顆粒單晶銀粉可填充在大顆粒單晶銀粉之間形成的孔隙中，提高銀粉的整體導電回路，而且銀粉具有較小的粒徑，具有良好的分散性；同時，通過控制銀粉的均方根粗糙度，使得銀粉具有光滑的表面，可進一步提高銀粉的分散性；此外，通過控制銀粉的span值，使得銀粉的粒徑分布范圍寬。因此，本專利技術的銀粉具有表面光滑、粒徑小、粒徑分布范圍寬、分散性良好的特點，能夠使其制備電磁波屏蔽薄片具有優異的導電性能和電磁波屏蔽性能。
5、一種如上述所述的銀粉的制備方法，包括如下步驟：
6、在攪拌條件下，將第一還原劑溶液和第二還原劑溶液混合，然后加入調節劑溶液調節ph至8-10后，依次加入硝酸銀溶液和分散劑溶液，得到反應液，其中，所述第一還原劑溶液中第一還原劑的還原性大于所述第二還原劑溶液中第二還原劑的還原性；
7、將所述反應液經固液分離和加熱處理，得到銀粉，其中，加熱處理條件包括：以2℃/min-15℃/min的速度升溫至100℃-600℃，保溫處理1h-6h。
8、在其中一個實施例中，硝酸銀、第一還原劑、第二還原劑和調節劑的質量比為(2-30):(1.5-3):(0.5-2):(0.3-1)；
9、及/或，硝酸銀和分散劑的質量比為1:0.01-1。
10、在其中一個實施例中，所述硝酸銀溶液的質量濃度為200g/l-350g/l；
11、及/或，所述第一還原劑溶液和所述第二還原劑溶液的質量濃度分別獨立的選自10g/l-100g/l；
12、及/或，所述調節劑溶液中調節劑的質量分數為2.3％-12％；
13、及/或，所述分散劑溶液的質量濃度為1g/l-5g/l。
14、在其中一個實施例中，所述第一還原劑溶液和所述第二還原劑溶液分別獨立的選自抗壞血酸溶液、水合肼溶液、對苯二酚溶液、有機胺溶液、葡萄糖溶液、甲醛溶液、乙醛溶液、鐵溶液、硼氫化鈉溶液中的至少一種；
15、及/或，所述調節劑溶液選自氫氧化鈉溶液、碳酸鈉溶液、氨水溶液、硝酸溶液、硫酸溶液中的至少一種；
16、及/或，所述分散劑選自聚乙烯醇、聚丙烯酸、明膠、聚乙二醇、阿拉伯膠、聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基硫酸鈉、卵磷脂、硬脂酸中的至少一種。
17、在其中一個實施例中，依次加入硝酸銀溶液和分散劑溶液的步驟中，加入硝酸銀溶液反應3min-10min后，加入分散劑溶液繼續反應2h-5h，其中，所述分散劑溶液在2min-5min內勻速滴加完成。
18、本專利技術的銀粉的制備方法，通過控制各組分的加入順序和反應體系的ph值，并控制加入第一還原劑和第二還原劑的還原性的大小，可有效調控氧化還原反應的速率，控制銀粉的形貌和尺寸，同時利用加入的分散劑對銀粉的封端與包覆作用，可進一步控制銀粉的形貌和尺寸，并提高銀粉顆粒之間的分散性；此外，通過協同控制熱處理的條件，可進一步控制銀粉的形貌和尺寸，最終獲得大小顆粒摻雜、表面光滑、粒徑分布范圍寬和分散性良好的球狀銀粉。
19、一種電磁波屏蔽薄片的制備方法，包括如下步驟：
20、將如上述所述的銀粉、有機基體材料、固化劑以及稀釋劑混合，得到銀粉漿料；然后將所述銀粉漿料通過流延工藝制成電磁波屏蔽薄片。
21、本專利技術的電磁波屏蔽薄片的制備方法，通過采用本專利技術的銀粉，可使得制備電磁波屏蔽薄片具有優異的導電性能和電磁波屏蔽性能；同時，相比于傳統的靜電紡絲技術，該制備方法采用流延法，不僅工藝簡單、操作方便，且成本低。
22、一種采用如上述所述的電磁波屏蔽薄片的制備方法制備得到的電磁波屏蔽薄片。
23、一種采用如上述所述的電磁波屏蔽薄片制備得到的電子產品。
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1.一種銀粉，其特征在于，所述銀粉為球形，所述銀粉由大顆粒單晶銀粉和小顆粒單晶銀粉堆積而成，其中，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.8μm-1.2μm，小顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.3μm-0.6μm，且所述銀粉的SPAN為6.45-8.3，均方根粗糙度為2.36nm-3.97nm。
2.根據權利要求1所述的銀粉，其特征在于，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的質量分數為30.4％-45.3％，小顆粒單晶銀粉的質量分數為54.7％-69.6％。
3.一種如權利要求1或2所述的銀粉的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
4.根據權利要求3所述的銀粉的制備方法，其特征在于，硝酸銀、第一還原劑、第二還原劑和調節劑的質量比為(2-30):(1.5-3):(0.5-2):(0.3-1)；
5.根據權利要求3或4所述的銀粉的制備方法，其特征在于，所述硝酸銀溶液的質量濃度為200g/L-350g/L；
6.根據權利要求3或4所述的銀粉的制備方法，其特征在于，所述第一還原劑溶液和所述第二還原劑溶液分別獨立的選自抗壞血酸溶液、水合肼溶液、對苯
7.根據權利要求3或4所述的銀粉的制備方法，其特征在于，依次加入硝酸銀溶液和分散劑溶液的步驟中，加入硝酸銀溶液反應3min-10min后，加入分散劑溶液繼續反應2h-5h，其中，所述分散劑溶液在2min-5min內勻速滴加完成。
8.一種電磁波屏蔽薄片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
9.一種采用如權利要求8所述的電磁波屏蔽薄片的制備方法制備得到的電磁波屏蔽薄片。
10.一種采用如權利要求9所述的電磁波屏蔽薄片制備得到的電子產品。
...【技術特征摘要】
1.一種銀粉，其特征在于，所述銀粉為球形，所述銀粉由大顆粒單晶銀粉和小顆粒單晶銀粉堆積而成，其中，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.8μm-1.2μm，小顆粒單晶銀粉的平均粒徑為0.3μm-0.6μm，且所述銀粉的span為6.45-8.3，均方根粗糙度為2.36nm-3.97nm。
2.根據權利要求1所述的銀粉，其特征在于，所述銀粉中大顆粒單晶銀粉的質量分數為30.4％-45.3％，小顆粒單晶銀粉的質量分數為54.7％-69.6％。
3.一種如權利要求1或2所述的銀粉的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
4.根據權利要求3所述的銀粉的制備方法，其特征在于，硝酸銀、第一還原劑、第二還原劑和調節劑的質量比為(2-30):(1.5-3):(0.5-2):(0.3-1)；
5.根據權利要求3或4所述的銀粉的制備方法，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張雪峰，楊潔，趙榮志，阮佳昌，張鑒，李逸興，戎華威，
申請(專利權)人：杭州電子科技大學，
類型：發明
國別省市：
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