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    一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法技術

    技術編號:44996876 閱讀:19 留言:0更新日期:2025-04-15 17:10
    本發明專利技術提供一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法,該表貼晶振包括:底板、蓋板和晶圓,晶圓設置在底板和蓋板之間,其中,底板、蓋板和晶圓均由石英材料制成并且晶圓的正反兩面的電極區通過側面電極相互連接;表貼晶振的形成方法包括:用石英材料制作底板、蓋板和晶圓,將晶圓設置在底板和蓋板之間,將晶圓與底板鍵合,以及將晶圓與蓋板鍵合。根據本發明專利技術的表貼晶振熱穩定性更強、適用范圍更廣,能夠降低產品不良率、提高加工效率,并且可以進一步縮小元器件的尺寸,降低成本。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電子元器件領域,具體而言,涉及一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法


    技術介紹

    1、表貼晶振是一種表貼式的石英晶體諧振器,憑借其高性能、抗震性強以及精度穩定等優勢被廣泛應用于消費電子、汽車工業、航空航天等領域。目前,表貼晶振的封裝方式主要有陶瓷封裝、塑料封裝等,但這類異質封裝方案由于所選用的封裝材料與中間層材料不同,進而引發了熱膨脹系數不一致的問題,導致產品的熱穩定性明顯降低,極大地限制了產品的應用范圍。

    2、采用傳統技術進行封裝的表貼晶振所使用的封裝材料成本較高,且厚度較厚、體積已很難再縮小,只能作為獨立器件使用,無法應用于系統級封裝(system?in?package)產品之中,這對電子元器件向小型化方向發展形成了阻礙。

    3、此外,現有的表貼晶振的振動主體所在的晶圓層的正反兩面電極區的互聯方式為通孔互聯,然而通孔區域與振動主體區域的面積往往不一致,因此在進行通孔區域與振動主體的同時加工時很難保證二者能夠被全部通透,結果是部分通孔不完全通透,無法形成有效電連接,最終影響器件性能,導致產品不良率升高、成本增加。


    技術實現思路

    1、針對相關技術中存在的改進需求,本專利技術實施例提供一種全石英封裝的表貼晶振及其形成方法。

    2、本專利技術提供一種全石英封裝的表貼晶振,包括:

    3、底板,蓋板和晶圓,設置在所述底板和所述蓋板之間;

    4、所述底板、所述蓋板和所述晶圓均由石英材料制成,并且

    5、所述晶圓的正反兩面的電極區通過側面電極相互連接。

    6、根據本專利技術公開的表貼晶振,所述底板的正反兩面分別設有第一薄膜電極和第二薄膜電極,所述底板還設有第一石英通孔,并且所述底板經由所述第一石英通孔與所述第一薄膜電極和所述第二薄膜電極相連。

    7、根據本專利技術公開的表貼晶振,所述蓋板的正反兩面分別設有第三薄膜電極和第四薄膜電極,所述蓋板還設有第二石英通孔,并且所述蓋板經由所述第二石英通孔與所述第三薄膜電極和所述第四薄膜電極相連。

    8、根據本專利技術公開的表貼晶振,所述晶圓的正反兩面分別設有第一金屬鍵合區和第二金屬鍵合區,所述晶圓還包括振動主體,所述振動主體與所述第一金屬鍵合區和所述第二金屬鍵合區連接。

    9、根據本專利技術公開的表貼晶振,所述第一金屬鍵合區包括第一金屬鍵合區第一電極區、第一金屬鍵合區第二電極區和第一金屬鍵合區接地區,所述第二金屬鍵合區包括第二金屬鍵合區第一電極區、第二金屬鍵合區第二電極區和第二金屬鍵合區接地區,并且所述第一金屬鍵合區第一電極區通過第一側面電極與所述第二金屬鍵合區第一電極區連接,所述第一金屬鍵合區第二電極區通過第二側面電極與所述第二金屬鍵合區第二電極區連接。

    10、本專利技術公開一種全石英封裝的表貼晶振的形成方法,包括:

    11、制作底板、蓋板和晶圓;其中,所述底板、所述蓋板和所述晶圓均由石英材料制成,并且所述晶圓的正反兩面的電極區通過側面電極相互連接;

    12、將所述晶圓設置在所述底板和所述蓋板之間;

    13、將所述晶圓與所述底板鍵合;

    14、將所述晶圓與所述蓋板鍵合。

    15、根據本專利技術公開的形成方法,所述底板通過以下步驟制作而成:

    16、在所述底板的正反兩面分別設置第一薄膜電極和第二薄膜電極,在所述底板中形成第一石英通孔,并且將所述底板經由所述第一石英通孔與所述第一薄膜電極和所述第二薄膜電極相連。

    17、根據本專利技術公開的形成方法,所述蓋板通過以下步驟制作而成:

    18、在所述蓋板的正反兩面分別設置第三薄膜電極和第四薄膜電極,在所述蓋板中形成第二石英通孔,并且將所述蓋板經由所述第二石英通孔與所述第三薄膜電極和所述第四薄膜電極相連。

    19、根據本專利技術公開的形成方法,所述晶圓通過以下步驟制作而成:

    20、在所述晶圓的正反兩面分別設置第一金屬鍵合區和第二金屬鍵合區,在所述晶圓上設置振動主體,將所述振動主體與所述第一金屬鍵合區和所述第二金屬鍵合區連接。

    21、根據本專利技術公開的形成方法,所述第一金屬鍵合區包括第一金屬鍵合區第一電極區、第一金屬鍵合區第二電極區和第一金屬鍵合區接地區,所述第二金屬鍵合區包括第二金屬鍵合區第一電極區、第二金屬鍵合區第二電極區和第二金屬鍵合區接地區,并且所述第一金屬鍵合區第一電極區通過第一側面電極與所述第二金屬鍵合區第一電極區連接,所述第一金屬鍵合區第二電極區通過第二側面電極與所述第二金屬鍵合區第二電極區連接。

    22、本專利技術提供的全石英封裝的表貼晶振及其形成方法,表貼晶振使用全石英封裝材料并采用晶圓級封裝方法,可以進一步縮小元器件的尺寸,更利于系統級封裝,并且適于大批量生產,有助于進一步降低成本。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種全石英封裝的表貼晶振,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述底板的正反兩面分別設有第一薄膜電極和第二薄膜電極,所述底板還設有第一石英通孔,并且所述底板經由所述第一石英通孔與所述第一薄膜電極和所述第二薄膜電極相連。

    3.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述蓋板的正反兩面分別設有第三薄膜電極和第四薄膜電極,所述蓋板還設有第二石英通孔,并且所述蓋板經由所述第二石英通孔與所述第三薄膜電極和所述第四薄膜電極相連。

    4.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述晶圓的正反兩面分別設有第一金屬鍵合區和第二金屬鍵合區,所述晶圓還包括振動主體,所述振動主體與所述第一金屬鍵合區和所述第二金屬鍵合區連接。

    5.根據權利要求4所述的表貼晶振,其特征在于,所述第一金屬鍵合區包括第一金屬鍵合區第一電極區、第一金屬鍵合區第二電極區和第一金屬鍵合區接地區,所述第二金屬鍵合區包括第二金屬鍵合區第一電極區、第二金屬鍵合區第二電極區和第二金屬鍵合區接地區,并且所述第一金屬鍵合區第一電極區通過第一側面電極與所述第二金屬鍵合區第一電極區連接,所述第一金屬鍵合區第二電極區通過第二側面電極與所述第二金屬鍵合區第二電極區連接。

    6.一種全石英封裝的表貼晶振的形成方法,其特征在于,包括:

    7.根據權利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述底板通過以下步驟制作而成:

    8.根據權利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述蓋板通過以下步驟制作而成:

    9.根據權利要求6所述的形成方法,其特征在于,所述晶圓通過以下步驟制作而成:

    10.根據權利要求9所述的形成方法,其特征在于,所述第一金屬鍵合區包括第一金屬鍵合區第一電極區、第一金屬鍵合區第二電極區和第一金屬鍵合區接地區,所述第二金屬鍵合區包括第二金屬鍵合區第一電極區、第二金屬鍵合區第二電極區和第二金屬鍵合區接地區,并且所述第一金屬鍵合區第一電極區通過第一側面電極與所述第二金屬鍵合區第一電極區連接,所述第一金屬鍵合區第二電極區通過第二側面電極與所述第二金屬鍵合區第二電極區連接。

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    【技術特征摘要】

    1.一種全石英封裝的表貼晶振,其特征在于,包括:

    2.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述底板的正反兩面分別設有第一薄膜電極和第二薄膜電極,所述底板還設有第一石英通孔,并且所述底板經由所述第一石英通孔與所述第一薄膜電極和所述第二薄膜電極相連。

    3.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述蓋板的正反兩面分別設有第三薄膜電極和第四薄膜電極,所述蓋板還設有第二石英通孔,并且所述蓋板經由所述第二石英通孔與所述第三薄膜電極和所述第四薄膜電極相連。

    4.根據權利要求1所述的表貼晶振,其特征在于,所述晶圓的正反兩面分別設有第一金屬鍵合區和第二金屬鍵合區,所述晶圓還包括振動主體,所述振動主體與所述第一金屬鍵合區和所述第二金屬鍵合區連接。

    5.根據權利要求4所述的表貼晶振,其特征在于,所述第一金屬鍵合區包括第一金屬鍵合區第一電極區、第一金屬鍵合區第二電極區和第一金屬鍵合區接地區,所述第二金屬鍵合區包括第二金屬鍵合區第一電極區、第二金屬鍵合區第二電極區和第二金屬鍵合區接地...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:石帥王穎白憶楠張曉昱谷華鋒裴志強張琳琳尚帥
    申請(專利權)人:北京晨晶電子有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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