【技術實現步驟摘要】
本申請涉及觸摸屏，特別是涉及一種金屬顆粒、金屬網格觸控膜、觸摸屏、金屬顆粒的制備方法、金屬網格觸控膜的制備方法。
技術介紹
1、現有技術中，通常采用氧化銦錫(indium?tin?oxide，ito)、網絡銀線(ag?nanowire，agnw)這兩類整面導電材料進行激光鐳射或黃光蝕刻制備觸摸屏的觸控電極，但是由于這兩種導電材料的導電性并不好，因此近年來發展出一種新的導電材料：金屬網格，此種導電材料可做到方塊電阻5ω以內，并且具有柔性可彎折特性，因此可大量應用于大尺寸觸摸屏或小尺寸的曲面觸摸屏或可彎折的移動設備等。
2、金屬網格采用金屬漿作為導電材料，但因為金屬顆粒非常活躍，不耐酸堿，并且電容式觸控屏等需要在電極通道中通入高電壓(大尺寸通常在20v以上)，而在電場環境下銀容易發生離子遷移導致導電通道之間發生短路或導電通道本身開路，此問題在高溫高濕的環境中更加顯著。
技術實現思路
1、本申請提供一種金屬顆粒、金屬網格觸控膜、觸摸屏、金屬顆粒的制備方法、金屬網格觸控膜的制備方法，以提高金屬顆粒、金屬網格觸控膜及觸摸屏的環境適應性。
2、為解決上述技術問題，本申請提出一種金屬顆粒。該金屬顆粒用于金屬網格觸控膜，該金屬顆粒包括：金屬單質及包覆在金屬單質的外壁上的外被層，以提高所述金屬顆粒的環境適應性。
3、在一實施例中，外被層包括：絕緣層，絕緣層的厚度小于1000nm。
4、在一實施例中，絕緣層的材料包括樹脂、橡膠中的至少一種。
6、在一實施例中，導體層的材料包：鋁、銅、金、鉻、石墨烯中的至少一種；半導體的材料包括氧化鋁、二氧化鈦、硅質材料中的至少一種。
7、在一實施例中，金屬單質包括銀單質。
8、在一實施例中，銀單質包括：銀顆粒和/或納米銀絲。
9、為解決上述技術問題，本申請提出一種金屬網格觸控膜。該金屬網格觸控膜包括上述金屬顆粒。
10、為解決上述技術問題，本申請提出一種觸摸屏。該觸摸屏包括：蓋板；第一導電層，設置在蓋板的入光面；第二導電層，設置在第一導電層背離蓋板的一側，且與第一導電層間隔絕緣設置；顯示層，設置在第二導電層背離第一導電層的一側；其中，第一導電層和/或第二導電層包括上述金屬網格觸控膜。
11、為解決上述技術問題，本申請提出一種金屬顆粒的制備方法。該制備方法用于制備上述金屬顆粒，該制備方法包括：提供金屬單質；對金屬單質進行濺鍍、浸潤、沉積、電鍍、噴涂或氧化處理覆蓋外被層。
12、為解決上述技術問題，本申請提出一種金屬網格觸控膜的制備方法。該制備方法包括：利用上述制備方法制備金屬顆粒；形成包含金屬顆粒的涂漿；提供基材，并在基材表面壓印形成網格凹槽；將涂漿刮入網格凹槽中；將網格凹槽中的涂漿烘干，形成金屬網格觸控膜。
13、區別于現有技術：本申請提供的用于金屬網格觸控膜的金屬顆粒包括金屬單質及包覆在金屬單質的外壁上的外被層。外被層能夠極大提高金屬顆粒的環境適應性，例如保障內部活潑的金屬單質對電場耐受力以及環境溫濕度變化和酸堿的耐受能力等，因此能夠提高金屬顆粒、金屬網格觸控膜及觸摸屏的環境適應性，能夠促進觸摸屏的發展。且由于金屬網格觸控膜的金屬顆粒之間的間距很小，因此能夠保證金屬網格導觸控膜的電極通道的導通，提高觸摸屏的可靠性。
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1.一種金屬顆粒，其特征在于，用于金屬網格觸控膜，所述金屬顆粒包括：金屬單質及包覆在所述金屬單質的外壁上的外被層，以提高所述金屬顆粒的環境適應性。
2.根據權利要求1所述的金屬顆粒，其特征在于，所述外被層包括：絕緣層，所述絕緣層的厚度小于1000nm。
3.根據權利要求2所述的金屬顆粒，其特征在于，所述絕緣層的材料包括樹脂、橡膠中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的金屬顆粒，其特征在于，所述外被層包括：導體層或半導體層。
5.根據權利要求4所述的金屬顆粒，其特征在于，所述導體層的材料包：鋁、銅、金、鉻、石墨烯中的至少一種；
6.根據權利要求1所述的金屬顆粒，其特征在于，所述金屬單質包括銀單質。
7.根據權利要求6所述的金屬顆粒，其特征在于，所述銀單質包括：銀顆粒和/或納米銀絲。
8.一種金屬網格觸控膜，其特征在于，包括：
9.一種觸摸屏，其特征在于，包括：
10.一種金屬顆粒的制備方法，其特征在于，用于制備權利要求1至7任一項所述的金屬顆粒，所述制備方法包括：
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