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    一種TiAlCrZrTa高熵合金及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:45156686 閱讀:5 留言:0更新日期:2025-05-06 18:11
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種TiAlCrZrTa高熵合金及其制備方法,所述TiAlCrZrTa高熵合金由基體相和彌散顆粒組成;其中,基體相為TiAlCrZrTa,彌散顆粒包括富Ti?Ta枝晶、富Ta?Cr枝晶以及Zr單質(zhì);富Ti?Ta枝晶、富Ta?Cr枝晶彌散分布在基體中,阻礙位錯運動,起強化合金作用;Zr單質(zhì)偏聚在晶界處,釘扎晶界,抑制晶粒長大,用于強化合金;TiAlCrZrTa高熵合金內(nèi)部顆粒晶粒尺寸為5?10um。本發(fā)明專利技術(shù)有效解決了現(xiàn)有的高熵合金制備工藝復(fù)雜、晶粒粗大、成分不均勻的問題。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及高熵合金,具體涉及一種tialcrzrta高熵合金及其制備方法。


    技術(shù)介紹

    1、高熵合金(high-entropy?alloys,heas)是由5種或5種以上主要元素組成的合金,且每種主要元素的摩爾分?jǐn)?shù)在5%-35%之間,在有其它次要元素時,每種次要元素的含量需小于5%。高熵合金因其獨特的成分設(shè)計和復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu),展現(xiàn)出比傳統(tǒng)合金更優(yōu)異的性能,如高強度、高硬度、良好的耐磨性和耐腐蝕性等優(yōu)點,在多個領(lǐng)域中都能找到其優(yōu)越的應(yīng)用價值。

    2、在高熵合金的研究中,元素的選擇和配比是關(guān)鍵。ti、al、cr、zr、ta五種元素大多具有體心立方(bcc)或面心立方(fcc)結(jié)構(gòu),相似的晶體結(jié)構(gòu)有助于在合金中形成均勻的相結(jié)構(gòu),進(jìn)一步提升合金的性能。同時它們的原子半徑和熔點相近,有助于在混合過程中減少晶格畸變和應(yīng)力集中,在熔化和凝固過程中形成均勻的混合物,提高合金的穩(wěn)定性、強度以及減少成分偏析。然而,如何精確控制這些元素的配比和分布,以及采用何種制備技術(shù)以獲得性能優(yōu)異的高熵合金,仍是當(dāng)前研究的難點。

    3、傳統(tǒng)的高熵合金制備技術(shù)包括真空電弧熔煉法和粉末冶金法。其中,真空電弧熔煉法存在成分偏析、組織不均勻、致密度低、產(chǎn)品尺寸限制等問題。粉末冶金法通常采用機(jī)械合金化+熱壓燒結(jié)技術(shù),如專利文獻(xiàn)“一種nbmotawcu高熵合金及其制備方法”(授權(quán)公告號:cn115011827b),其使用的熱壓燒結(jié)技術(shù)存在制備工藝較為復(fù)雜、燒結(jié)時間較長、成本較高等問題。

    4、綜上所述,現(xiàn)有高熵合金技術(shù)存在的缺陷是制備工藝復(fù)雜、晶粒粗大、成分不均勻的問題。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、為了克服以上現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,本專利技術(shù)的目的在于提供一種tialcrzrta高熵合金及其制備方法,該方法結(jié)合機(jī)械合金化和放電等離子燒結(jié)技術(shù),有效解決了現(xiàn)有的高熵合金制備工藝復(fù)雜、晶粒粗大、成分不均勻的問題。

    2、為了實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案是:

    3、一種tialcrzrta高熵合金,包括基體相和彌散顆粒;

    4、其中,基體相為tialcrzrta,彌散顆粒包括富ti-ta枝晶、富ta-cr枝晶以及zr單質(zhì);

    5、富ti-ta枝晶、富ta-cr枝晶彌散分布在基體中,阻礙位錯運動,起強化合金作用;

    6、zr單質(zhì)偏聚在晶界處,釘扎晶界,抑制晶粒長大,用于強化合金;

    7、tialcrzrta高熵合金內(nèi)部顆粒晶粒尺寸為5-10um。

    8、一種tialcrzrta高熵合金的制備方法,將tialcrzrta高熵合金粉末放置于石墨模具中,在真空狀態(tài)下進(jìn)行放電等離子燒結(jié),利用脈沖電流通過粉末顆粒間隙時產(chǎn)生局部高溫,使顆粒表面物質(zhì)被激活形成等離子體;燒結(jié)結(jié)束后模具隨爐冷卻至室溫,卸模后獲得tialcrzrta高熵合金。

    9、所述燒結(jié)工藝參數(shù)為:燒結(jié)溫度1000~1600℃,燒結(jié)時間20-60min;保溫時間10~30min,燒結(jié)壓力40~100mpa。

    10、所述真空狀態(tài)的真空度為1×10-3~1×10-4pa。這樣設(shè)定的目的是避免材料發(fā)生氧化,同時去除爐內(nèi)雜質(zhì)氣體,方便精準(zhǔn)控溫。

    11、所述tialcrzrta高熵合金粉末的制備方法為:

    12、s1:稱取ti粉、al粉、cr粉、zr粉和ta粉作為原材料,按照等原子比例進(jìn)行稱量并均勻混合,得到tialcrzrta高熵合金混合粉末;

    13、s2:將所述tialcrzrta高熵合金混合粉末和不銹鋼球磨珠、分散劑放置于不銹鋼球磨罐中進(jìn)行球磨,得到混合均勻的tialcrzrta高熵合金粉末;

    14、s3:將球磨后的所述tialcrzrta高熵合金混合粉末放置于真空干燥箱中,在真空狀態(tài)下進(jìn)行干燥,將干燥后的混合粉末過篩。

    15、所述步驟s1中,按照ti:al:cr:zr:ta=1:1:1:1:1at.%的等原子比例進(jìn)行稱量并均勻混合。

    16、所述步驟s1中,所述ti、al、cr、zr、ta五種金屬粉末分別過80-200目篩。

    17、所述步驟s2中,在行星式高能球磨機(jī)中進(jìn)行球磨,球磨工藝參數(shù)為:球磨時間為1~24h,球料體積比為球(1~10):料(1),其中,料指的是tialcrzrta高熵合金混合粉末,球磨轉(zhuǎn)速為100~400rpm,采用分散劑輔助分散,以避免粉末團(tuán)聚,其中,tialcrzrta高熵合金混合粉末和分散劑的固液質(zhì)量比為1:1;所述分散劑為酒精。

    18、進(jìn)一步的,為防止過冷焊,球磨運行方式為:正轉(zhuǎn)運行5min,反轉(zhuǎn)運行5min,間歇時間1min。

    19、所述步驟s3中,真空干燥的限定條件是真空度1×10-2~1×10-3pa,溫度60~100℃;干燥時間8-12h。

    20、所述步驟s3中,將干燥后的混合粉末過80-200目篩。

    21、進(jìn)一步的,將所述tialcrzrta高熵合金進(jìn)行機(jī)械加工,得到所需形狀和尺寸的tialcrzrta高熵合金。

    22、所述tialcrzrta高熵合金用于制造發(fā)動機(jī)部件、飛行器結(jié)構(gòu)件、切削刀具、模具、人體植入物。

    23、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)具有以下的有益效果:

    24、本專利技術(shù)的tialcrzrta高熵合金,細(xì)小且相對規(guī)則的晶粒,平均晶粒尺寸約為5-10um。由于細(xì)小晶粒的晶界占比大,可以限制位錯運動。同時枝晶相尺寸彌散分布在基體中,阻礙位錯運動,起強化合金作用。部分zr單質(zhì)偏聚在晶界處,能夠釘扎晶界,抑制晶粒長大,進(jìn)一步強化合金。。

    25、本專利技術(shù)步驟s1確保各元素等原子比例,為形成高熵合金奠定基礎(chǔ)。

    26、本專利技術(shù)步驟s2通過球磨使高熵合金混合粉末進(jìn)一步細(xì)化與均勻分散,為后續(xù)成型及性能優(yōu)化奠定基礎(chǔ)。

    27、本專利技術(shù)步驟s3通過真空干燥去除高熵合金粉末中的水分與揮發(fā)性雜質(zhì),確保材料純凈度。

    28、本專利技術(shù)步驟s3通過過篩篩選出合適粒徑的粉末,保證粉末粒度均勻,利于后續(xù)成型工藝中粉末的均勻填充與燒結(jié)致密化,提升產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性。

    29、本專利技術(shù)的放電等離子燒結(jié)技術(shù),有效避免傳統(tǒng)熔煉法中的成分偏析問題,獲得成分均勻的高熵合金,平均晶粒尺寸約為5-10um。

    30、本專利技術(shù)的放電等離子燒結(jié)技術(shù)具有升溫速度快、燒結(jié)時間短、燒結(jié)壓力高等特點,有利于獲得致密度高、孔隙率低的高熵合金,其致密度高達(dá)99.9%以上。

    31、tialcrzrta高熵合金結(jié)合了多種元素的優(yōu)點,具有較高硬度,所述的硬度最高可達(dá)908hv0.5,超過目前大多數(shù)的鑄態(tài)高熵合金硬度。高致密度得益于等離子體對孔隙的高效排除,使得燒結(jié)合金的硬度顯著提升。

    32、本專利技術(shù)提供的方法工藝流程簡單,易于工業(yè)化生產(chǎn),且可通過調(diào)整燒結(jié)參數(shù)來優(yōu)化高熵合金性能。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點】

    1.一種TiAlCrZrTa高熵合金,其特征在于,包括基體相和彌散顆粒;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,將TiAlCrZrTa高熵合金粉末放置于石墨模具中,在真空狀態(tài)下進(jìn)行放電等離子燒結(jié),利用脈沖電流通過粉末顆粒間隙時產(chǎn)生局部高溫,使顆粒表面物質(zhì)被激活形成等離子體;燒結(jié)結(jié)束后模具隨爐冷卻至室溫,卸模后獲得TiAlCrZrTa高熵合金。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述燒結(jié)工藝參數(shù)為:燒結(jié)溫度1000~1600℃,燒結(jié)時間20-60min;保溫時間10~30min,燒結(jié)壓力40~100MPa;

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述TiAlCrZrTa高熵合金粉末的制備方法為:

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,按照Ti:Al:Cr:Zr:Ta=1:1:1:1:1at.%的等原子比例進(jìn)行稱量并均勻混合;所述Ti、Al、Cr、Zr、Ta五種金屬粉末分別過80-200目篩。

    6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述步驟S2中,在行星式高能球磨機(jī)中進(jìn)行球磨,球磨工藝參數(shù)為:球磨時間為1~24h,球料體積比為球(1~10):料(1),其中,料指的是TiAlCrZrTa高熵合金混合粉末,球磨轉(zhuǎn)速為100~400rpm,采用分散劑輔助分散,其中,TiAlCrZrTa高熵合金混合粉末和分散劑的固液質(zhì)量比為1:1;所述分散劑為酒精;

    7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述步驟S3中,真空干燥的限定條件是真空度1×10-2~1×10-3Pa,溫度60~100℃;干燥時間8-12h。

    8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,所述步驟S3中,將干燥后的混合粉末過80-200目篩。

    9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種TiAlCrZrTa高熵合金的制備方法,其特征在于,

    10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的TiAlCrZrTa高熵合金,其特征在于,所述TiAlCrZrTa高熵合金用于制造發(fā)動機(jī)部件、飛行器結(jié)構(gòu)件、切削刀具、模具、人體植入物。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種tialcrzrta高熵合金,其特征在于,包括基體相和彌散顆粒;

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種tialcrzrta高熵合金的制備方法,其特征在于,將tialcrzrta高熵合金粉末放置于石墨模具中,在真空狀態(tài)下進(jìn)行放電等離子燒結(jié),利用脈沖電流通過粉末顆粒間隙時產(chǎn)生局部高溫,使顆粒表面物質(zhì)被激活形成等離子體;燒結(jié)結(jié)束后模具隨爐冷卻至室溫,卸模后獲得tialcrzrta高熵合金。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種tialcrzrta高熵合金的制備方法,其特征在于,所述燒結(jié)工藝參數(shù)為:燒結(jié)溫度1000~1600℃,燒結(jié)時間20-60min;保溫時間10~30min,燒結(jié)壓力40~100mpa;

    4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種tialcrzrta高熵合金的制備方法,其特征在于,所述tialcrzrta高熵合金粉末的制備方法為:

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種tialcrzrta高熵合金的制備方法,其特征在于,所述步驟s1中,按照ti:al:cr:zr:ta=1:1:1:1:1at.%的等原子比例進(jìn)行稱量并均勻混合;所述ti、al、cr、zr、ta五種金屬粉末分別過80-200目篩。

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:董瀟婉柴作強郝小軍張文嬌馮慶賈波呂龍飛張思雨李博張鵬洲趙宇澤
    申請(專利權(quán))人:西安泰金新能科技股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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