【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及孤石爆破試驗(yàn)，具體涉及一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置。
技術(shù)介紹
1、盾構(gòu)機(jī)是目前開掘軟土隧道最常用的大型工程裝備，具有施工速度快、環(huán)境擾動(dòng)小、成洞質(zhì)量高的顯著優(yōu)點(diǎn)。然而，在某些特殊地層中，盾構(gòu)機(jī)刀盤前方會(huì)遇到嵌于軟土中的大塊孤石，如不將其移除，將嚴(yán)重影響盾構(gòu)機(jī)掘進(jìn)，甚至損壞刀具。由于盾構(gòu)機(jī)刀盤前方空間狹小，且要保持土壓防止掌子面坍塌，因此目前在工程中，通常采用人工裝填炸藥的方法破除孤石，但此方法危險(xiǎn)程度高、施工效率低、污染物排放嚴(yán)重、強(qiáng)爆破會(huì)損壞盾構(gòu)機(jī)刀盤。
2、等離子體是一種破碎孤石的有效手段，相較于傳統(tǒng)的炸藥爆破，具有安全、高效、環(huán)保等特點(diǎn)。但在實(shí)踐過程中，由于孤石屬性的變化以及結(jié)構(gòu)裂隙的存在，導(dǎo)致使用等離子體定向爆破盾構(gòu)隧道孤石的參數(shù)設(shè)置不能準(zhǔn)確確定，而目前缺少針對實(shí)驗(yàn)室內(nèi)模擬研究等離子體爆破盾構(gòu)隧道孤石的條件設(shè)備，因此亟待開展相關(guān)試驗(yàn)研究來揭示等離子體參數(shù)對不同孤石爆破狀態(tài)的影響規(guī)律。
3、由鑒于此，本專利技術(shù)人提供一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，用于開展等離子體破除孤石的試驗(yàn)研究，以解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，通過在爆破室內(nèi)采用等離子爆破孤石，在爆破室內(nèi)進(jìn)行若干次的爆破試驗(yàn)數(shù)據(jù)記載，從大量的數(shù)據(jù)中分析孤石爆破后損傷和破裂程度及方向，這對孤石爆破進(jìn)一步發(fā)展提供了新的技術(shù)。
2、本技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案來解決的：
3、本技術(shù)提供一種
4、其中，所述爆破室內(nèi)放置有等離子體爆破設(shè)備，所述控制箱與等離子體爆破設(shè)備連接，用于向等離子體爆破設(shè)備進(jìn)行供電。
5、進(jìn)一步地，所述控制箱內(nèi)設(shè)置有zvs放大電路，所述等離子體爆破設(shè)備包括放電電極，所述放電電極與zvs放大電路相連，在zvs放大電路通電后向放電電極輸送電力。
6、進(jìn)一步地，所述控制箱上還設(shè)置有用于控制zvs放大電路的開啟或關(guān)閉的開關(guān)。
7、進(jìn)一步地，所述控制臺(tái)的頂部開設(shè)有凹槽，所述控制箱放置在凹槽內(nèi)。
8、進(jìn)一步地，所述控制臺(tái)上設(shè)置有第一防護(hù)擋板。
9、進(jìn)一步地，所述爆破室的頂部開設(shè)有通風(fēng)孔，所述通風(fēng)孔的頂部安裝有風(fēng)機(jī)，所述控制箱與風(fēng)機(jī)相連，用于向風(fēng)機(jī)供電。
10、進(jìn)一步地，所述爆破室的頂部、位于通風(fēng)孔的一側(cè)設(shè)置為開口結(jié)構(gòu)，所述開口結(jié)構(gòu)相比于通風(fēng)孔遠(yuǎn)離控制機(jī)構(gòu)，且所述開口結(jié)構(gòu)上設(shè)置有可拆卸連接的蓋板。
11、進(jìn)一步具體的，所述蓋板與爆破室之間采用螺釘或螺栓進(jìn)行可拆卸連接。
12、進(jìn)一步地，所述爆破室的側(cè)面、位于控制機(jī)構(gòu)的方向上對應(yīng)設(shè)置有觀察窗，所述觀察窗用于觀察爆破室內(nèi)部的操作過程，所述爆破室的側(cè)面、位于控制機(jī)構(gòu)的垂直方向上對應(yīng)設(shè)置有能夠打開或者關(guān)閉的透氣窗。
13、進(jìn)一步地，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)的外邊沿上、且靠近控制機(jī)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置有第二防護(hù)擋板。
14、需要說明的是，本技術(shù)的試驗(yàn)裝置還能應(yīng)用在對巖石的爆破試驗(yàn)分析中，對爆破對象不做限定，應(yīng)用范圍廣。
15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)提供的技術(shù)方案具有以下有益效果：
16、本技術(shù)提供的一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，通過在爆破室內(nèi)采用等離子爆破孤石，其相較于傳統(tǒng)破巖方法，安全性得以提高且爆破成本降低，可代替炸藥，不會(huì)產(chǎn)生有毒污染氣體，同時(shí)，在爆破室內(nèi)進(jìn)行若干次的爆破孤石試驗(yàn)數(shù)據(jù)記載，從大量的數(shù)據(jù)中分析孤石爆破后損傷和破裂程度以及破裂方向，這對孤石爆破進(jìn)一步發(fā)展提供了新的技術(shù)，能夠解決等離子體定向爆破盾構(gòu)隧道孤石的參數(shù)設(shè)置不準(zhǔn)確的問題，本技術(shù)使用簡單，操作安全，適宜大力推廣。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，包括試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)包括布設(shè)有砂土的爆破室(11)和設(shè)置于爆破室(11)底部的第一儲(chǔ)物架(12)，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)的一側(cè)連接有控制機(jī)構(gòu)(2)，且所述控制機(jī)構(gòu)(2)遠(yuǎn)離第一儲(chǔ)物架(12)的一側(cè)設(shè)置，所述控制機(jī)構(gòu)(2)包括供控制箱放置的控制臺(tái)(21)，所述控制臺(tái)(21)的底部設(shè)置有第二儲(chǔ)物架(22)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制箱內(nèi)設(shè)置有ZVS放大電路，所述等離子體爆破設(shè)備包括放電電極，所述放電電極與ZVS放大電路相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制箱上還設(shè)置有用于控制ZVS放大電路的開啟或關(guān)閉的開關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制臺(tái)(21)的頂部開設(shè)有凹槽(211)，所述控制箱放置在凹槽(211)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制臺(tái)(21)上設(shè)置有第一防護(hù)擋板(212)。
6.根
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述爆破室(11)的頂部、位于通風(fēng)孔(111)的一側(cè)設(shè)置為開口結(jié)構(gòu)，所述開口結(jié)構(gòu)相比于通風(fēng)孔(111)遠(yuǎn)離控制機(jī)構(gòu)(2)，且所述開口結(jié)構(gòu)上設(shè)置有可拆卸連接的蓋板(14)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述爆破室(11)的側(cè)面、位于控制機(jī)構(gòu)(2)的方向上對應(yīng)設(shè)置有觀察窗(112)，所述觀察窗(112)用于觀察爆破室(11)內(nèi)部的操作過程，所述爆破室(11)的側(cè)面、位于控制機(jī)構(gòu)(2)的垂直方向上對應(yīng)設(shè)置有能夠打開或者關(guān)閉的透氣窗(113)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)的外邊沿上、且靠近控制機(jī)構(gòu)(2)的一側(cè)設(shè)置有第二防護(hù)擋板(13)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，包括試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)包括布設(shè)有砂土的爆破室(11)和設(shè)置于爆破室(11)底部的第一儲(chǔ)物架(12)，所述試驗(yàn)操作機(jī)構(gòu)(1)的一側(cè)連接有控制機(jī)構(gòu)(2)，且所述控制機(jī)構(gòu)(2)遠(yuǎn)離第一儲(chǔ)物架(12)的一側(cè)設(shè)置，所述控制機(jī)構(gòu)(2)包括供控制箱放置的控制臺(tái)(21)，所述控制臺(tái)(21)的底部設(shè)置有第二儲(chǔ)物架(22)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制箱內(nèi)設(shè)置有zvs放大電路，所述等離子體爆破設(shè)備包括放電電極，所述放電電極與zvs放大電路相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制箱上還設(shè)置有用于控制zvs放大電路的開啟或關(guān)閉的開關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制臺(tái)(21)的頂部開設(shè)有凹槽(211)，所述控制箱放置在凹槽(211)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體爆破孤石試驗(yàn)裝置，其特征在于，所述控制臺(tái)(21)上設(shè)置有...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：雷宇軒，耿麒，張澤宇，楊沐霖，李曉斌，李志彪，
申請(專利權(quán))人：長安大學(xué)，
類型：新型
國別省市：
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