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    一種用于核微孔膜生產過程的防護結構以及核微孔膜的生產方法技術

    技術編號:5432826 閱讀:198 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
    本發明專利技術涉及一種用于核微孔膜生產過程的防護結構。本發明專利技術的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構包括一個用于形成第一核微孔膜的第一膜層,在該第一膜層一面上認為不需要微孔的位置涂布有第一防護層,在該第一膜層的另一面復合保護膜層,其特征在于:在保護膜層上相對與第一膜層復合面的另一面復合有一個用于形成第二核微孔膜的第二膜層,在該第二膜層相對與保護膜層復合面的另一面上認為不需要微孔的位置涂布有第二防護層。本發明專利技術的優點在于:提高核微孔膜生產效率。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種用于核微孔膜生產過程的防護結構。
    技術介紹
    核微孔膜作為防偽和過濾用途,受到市場歡迎,特別是用于防偽,其不可仿制和容 易被消費者識別,更是高端客戶的選擇,所以市場需求快速增長。核微孔膜的生產過程是 通過核反應堆產生的裂變粒子或者串列式重離子加速器產生的高能粒子去轟擊(輻照)高 分子材料膜,損傷其分子鏈,被損傷分子鏈的部分會形成不同于原材料的酸堿特性,將這種 輻照轟擊后的被損傷的高分子鏈置于堿液(或者酸液)中會被溶解(蝕刻),從而形成密度 為每平方厘米數十萬至數千萬個、孔徑為微米級的微孔膜。目前在生產中,為保證指定位置出現微孔,而某些地方不出現微孔,且不受堿液 (或者酸液)的侵蝕,需要在生產過程中制作一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,即在 輻照前對不需要微孔部分的高分子材料膜11涂布防護層12 (稱為成像),而由于防護涂層 為無色透明,所以,無法雙面對位涂布,只能單面涂布防護涂層,另一面復合保護材料層13, 即單面蝕刻。由于蝕刻過程較為緩慢,走膜每分鐘僅為1-2米。所以,此種防護結構下的生 產效率低,不能滿足市場需求。
    技術實現思路
    本專利技術的目的在于提供能提高核微孔膜生產效率的一種用于核微孔膜生產過程 的防護結構。本專利技術的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構包括一個用于形成第一核微孔 膜的第一膜層,在該第一膜層一面上認為不需要微孔的位置涂布有第一防護層,在該第一 膜層的另一面復合保護膜層,其特征在于在保護膜層上相對與第一膜層復合面的另一面 復合有一個用于形成第二核微孔膜的第二膜層,在該第二膜層相對與保護膜層復合面的另 一面上認為不需要微孔的位置涂布有第二防護層。進一步地,所述的第一膜層、第二膜層是在涂布離型層后通過黏合劑與保護膜層結合。進一步地,所述的第一膜層、第二膜層和保護膜層為PET膜。進一步地,所述的第一膜層、第二膜層等厚進一步地,所述的第一膜層、第二膜層和保護膜層的厚度分別為15微米、15微米 和12微米。一種使用本專利技術防護結構的核微孔膜生產方法之一,其特征在于步驟如下(一)涂布防護層(成像)在第一膜層和第二膜層的一面認為不需要微孔的位置 分別涂布防護層(成像),烘干。(二)涂布離型層和黏合劑在第一膜層和第二膜層的沒有涂布防護層的一面(非成像面)分別依次涂布離型層和黏合劑。(三)兩次復合將保護膜層的兩面分別與第一和第二膜層上的離型層通過黏合 劑黏合。(四)輻照(轟擊)調整輻照能量強度,達到可以分別穿透第一和第二膜層的強 度,將復合后的防護結構兩面各輻照一次。(五)蝕刻將防護結構的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。(六)剝離將第一膜層和第二膜層剝離出來,即得到兩層微孔膜。本方法所使用的防護層采用抗酸堿蝕刻和防輻照材料制作,是在抗酸堿蝕刻材料 中添加有能衰減高能粒子能量的金屬或者非金屬材料。一種使用本專利技術防護結構的核微孔膜生產方法之二,其特征在于步驟如下(一)涂布防護層(成像)在第一膜層和第二膜層的一面認為不需要微孔的位置 分別涂布防護層(成像),烘干,收卷備用。(二)涂布離型層和黏合劑在第一膜層和第二膜層的沒有涂布防護層的一面 (非成像面)分別依次涂布離型層和黏合劑。(三)兩次復合將保護膜層的兩面分別與第一和第二膜層上的離型層通過黏合 劑黏合。(四)輻照(轟擊)調整輻照能量強度,達到可以穿透整個防護結構厚度的強度, 輻照一次。(五)蝕刻將防護結構的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。(六)剝離將第一膜層和第二膜層剝離出來,即得到兩層微孔膜。本方法所使用的防護層采用抗酸堿蝕刻材料。本專利技術的優點在于(—)在本專利技術防護結構下使用方法一,實現經過兩次輻照,一次蝕刻,可以生產 出兩層有效的微孔膜,使得蝕刻速度提高一倍,工序減少一倍,且節約一半保護膜;(二)在本專利技術防護結構下使用方法二,則實現一次輻照,一次蝕刻,可以生產出 兩層有效的微孔膜,使得蝕刻速度提高1倍,工序減少一倍,且節約一半保護膜。整個新工 藝生產速度是傳統方法4-5倍。附圖說明圖1是現有一種用于核微孔膜生產過程的防護結構;圖2是本專利技術防護結構實施例一的結構示意圖;圖3是本專利技術防護結構實施例二的結構示意圖。實施例一參考圖2,本專利技術的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構包括一個厚度為15微 米用于形成第一核微孔膜的第一膜層1,在該第一膜層一面上認為不需要微孔的位置涂布 有第一防護層2,在該第一膜層的另一面復合厚度為12微米保護膜層3,在保護膜層上相對 與第一膜層復合面的另一面復合有一個厚度為15微米用于形成第二核微孔膜的第二膜層 4,在該第二膜層4相對與保護膜層復合面的另一面上認為不需要微孔的位置涂布有第二 防護層5。實施例二參考圖3,本實施例與實施例一不同的是所述的第一膜層1、第二膜層4是在涂布 離型層6后通過黏合劑與保護膜層結合。實施例三—種使用實施例二防護結構的核微孔膜生產方法之一,其特征在于步驟如下(一 )涂布防護層(成像)在第一膜層1和第二膜層4的一面認為不需要微孔的 位置分別涂布防護層2 (5),烘干。( 二)涂布離型層6和黏合劑在第一膜層1和第二膜層4的沒有涂布防護層的 一面分別依次涂布離型層6和黏合劑。(三)兩次復合將保護膜層的兩面分別與第一膜層1和第二膜層4上的離型層6 通過黏合劑黏合。(四)輻照(轟擊)調整輻照能量強度,達到可以分別穿透第一和第二膜層的強 度,將復合后的防護結構兩面各輻照一次。(五)蝕刻將防護結構的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。(六)剝離將第一膜層和第二膜層剝離出來,即得到兩層微孔膜。本方法所使用的防護層采用抗酸堿蝕刻和防輻照材料,是在抗酸堿蝕刻材料中添 加有能衰減高能粒子能量的金屬或者非金屬材料。實施例四—種使用實施例二防護結構的核微孔膜生產方法之二,其特征在于步驟如下(一 )涂布防護層(成像)在第一膜層1和第二膜層4的一面認為不需要微孔的 位置分別涂布防護層2 (5),烘干。( 二)涂布離型層6和黏合劑在第一膜層1和第二膜層4的沒有涂布防護層的 一面分別依次涂布離型層6和黏合劑。(三)兩次復合將保護膜層的兩面分別與第一膜層1和第二膜層4上的離型層6 通過黏合劑黏合。(四)輻照(轟擊)調整輻照能量強度,達到可以穿透整個防護結構厚度的強度, 輻照一次。(五)蝕刻將防護結構的膜在堿液(或者酸液)中蝕刻。(六)剝離將第一膜層和第二膜層剝離出來,即得到兩層微孔膜。本方法所使用的防護層采用抗酸堿蝕刻材料制作。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,包括一個用于形成第一核微孔膜的第一膜層,在該第一膜層一面上認為不需要微孔的位置涂布有第一防護層,在該第一膜層的另一面復合保護膜層,其特征在于:在保護膜層上相對與第一膜層復合面的另一面復合有一個用于形成第二核微孔膜的第二膜層,在該第二膜層相對與保護膜層復合面的另一面上認為不需要微孔的位置涂布有第二防護層。

    【技術特征摘要】
    1.一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,包括一個用于形成第一核微孔膜的第一膜 層,在該第一膜層一面上認為不需要微孔的位置涂布有第一防護層,在該第一膜層的另一 面復合保護膜層,其特征在于在保護膜層上相對與第一膜層復合面的另一面復合有一個 用于形成第二核微孔膜的第二膜層,在該第二膜層相對與保護膜層復合面的另一面上認為 不需要微孔的位置涂布有第二防護層。2.根據權利要求1所述一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,其特征在于所述的 第一膜層、第二膜層是在涂布離型層后通過黏合劑與保護膜層結合。3.根據權利要求1或2所述一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,其特征在于所 述的第一膜層、第二膜層和保護膜層為PET膜。4.根據權利要求1或2所述的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,其特征在于 防護層采用抗酸堿蝕刻和防輻照材料制作。5.根據權利要求4所述的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,其特征在于防護 層是在抗酸堿蝕刻材料中添加有能衰減高能粒子能量的金屬或者非金屬材料。6.根據權利要求1或2所述的一種用于核微孔膜生產過程的防護結構,其特征在于 防護層采用抗酸堿蝕刻材料制作。7.一種使用權利要求1 3所述防護結構的核微孔膜生產方法,其特征在于步驟如下(一)涂布防護層(成像)在第一膜層和第二膜層的一面認為不需要微孔的位置分別 涂布防護層(成像),烘干。(二)涂布離型層和黏合劑在第一膜層和第二膜層的沒有涂布防護層的一面(非成 像面...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:崔清臣凌紅旗晏光明黃海龍
    申請(專利權)人:中山國安火炬科技發展有限公司
    類型:發明
    國別省市:44[中國|廣東]

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