本發明專利技術公開了一種無磁性織構NiV合金基帶及熔煉制備方法，屬于高溫超導涂層導體金屬基帶技術領域。合金基帶的組分及其原子百分含量為Ni(88～91at.％)，V(9～12at.％)。采用熔煉方法制備，包括以下步驟：(1)原料配比與初始坯錠的制備；(2)初始坯錠的形變軋制；(3)冷軋基帶的再結晶熱處理。本發明專利技術所制備的合金基帶具有無磁性，高立方織構等特點，并易于工業化生產。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種涂層導體用無磁性織構NiV合金基帶及其制備方法，屬于高溫超導涂層導體金屬基帶
技術介紹
涂層超導是目前國際超導界的研究熱點和重點。其中第二代高溫超導材料YBC0， 以其更優良的性能和低廉的成本，成為科研工作者研究的熱點。制備高性能的金屬基帶是獲得高性能涂層超導體的關鍵。由于金屬合金基帶承擔支撐、外延過渡層和超導薄膜，以及承載部分電流的重要作用，所以為了滿足高性能超導帶材的需求，高織構度、高電導率、較小交流損耗、較大屈服極限等性質的獲得是制備高性能的金屬基帶的關鍵。目前，NiW合金基帶是人們研究比較廣泛的基帶材料之一。雖然Ni9. 3at. % W合金基帶在液氮溫區為無磁性，但是其立方織構含量并不理想。這是由于隨著W含量的不斷增大，合金的層錯能急劇下降，導致按照傳統的RABiTS技術獲得NiW基帶的立方織構含量明顯減少，因而限制了它的實際應用。研究表明，V含量的增加對M合金層錯能的降低并沒有顯著的影響，而居里溫度確明顯下降，鑒于此，人們選擇將無磁性、且易獲得高立方織構的制備成涂層導體基底。采用熔煉方法制備NiV合金金屬基帶，易進行大規模工業化生產，實現涂層導體的實用化。
技術實現思路
本專利技術的目的是提出一種無磁性，高立方織構的NiV合金基帶及其制備方法。本專利技術提供一種高溫超導涂層導體用NiV合金基帶，此合金基帶的組分及原子百分含量具體如下Ni 88 91at. %，V 9 12at. %本專利技術提供一種高溫超導涂層導體用NiV合金基帶熔煉制備方法，其特征在于， 工藝步驟如下(1)原料配比與初始坯錠的制備將Ni塊和V塊，按V原子百分比含量為9 12%的配比在真空條件下于1600°C 熔煉IOmin成NiV合金固溶體，然后澆鑄，熱鍛后即可獲得MV的合金初始鑄錠；將初始鑄錠進行熱軋后得到初始坯錠；(2)初始坯錠的形變軋制對初始坯錠進行直接冷軋，道次變形量為5 15%，總變形量不小于95%，得到厚度為60 120 μ m的冷軋基帶；(3)冷軋基帶的再結晶熱處理步驟(2)得到的冷軋基帶在Ar4% H2混合氣體保護或真空條件下于550°C退火 30min，然后再升溫至900 1100°C退火30 90min，得到一種涂層導體用Ni基合金基帶。通過本專利技術的方法制得的Ni基合金基帶具有以下幾個特點1、由于本專利技術的合金基帶，其釩的原子百分含量保證高于9%，因此，此合金基帶在高溫涂層超導體應用的液氮溫區表現為無磁性；2、相比于現在常用的NiW合金，由于其材料的層錯能隨合金元素含量的增加變化不大，因此基帶具有更好的立方織構；附圖說明圖1為實施例1中制備的Ni基合金基帶退火后的(111)及(002)面極圖；圖2為實施例2中制備的Ni基合金基帶退火后的(111)及(002)面極圖；圖3為實施例3中制備的Ni基合金基帶退火后的(111)及(002)面極具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本專利技術做進一步的詳細說明，但本專利技術并不限于以下實施例。實施例1將純度均為99. 9%的Ni塊和V塊，按V的原子百分含量為12%的配比在真空條件下于1600°C熔煉IOmin成NiV合金固溶體，然后澆鑄，鍛造即可獲得NiV合金的初始鑄錠；將初始鑄錠進行熱軋后得到初始坯錠；對初始坯錠進行冷軋，道次變形量為5%，最終得到總變形量98%，厚度為80 μ m的冷軋基帶；冷軋基帶在Ar4% H2混合氣體保護氣氛下于550°C下退火30min，然后再升溫至1100°C退火60min，得到最終產品合金基帶。該合金基帶的(111)及(002)面極圖如圖1所示，由圖1可知，該合金基帶具有強立方織構。實施例2將純度均為99. 99%的Ni塊和V塊，按V的原子百分含量為11%的配比在真空條件下于1600°C熔煉IOmin成NiV合金固溶體，然后澆鑄，鍛造即可獲得NiV合金的初始鑄錠；將初始鑄錠進行熱軋后得到初始坯錠；對初始坯錠進行冷軋，道次變形量為10%，最終得到總變形量95%，厚度為60 μ m的冷軋基帶；冷軋基帶在Ar4% H2混合氣體保護氣氛下于550°C下退火30min，然后再升溫至900°C退火90min，得到最終產品合金基帶。該合金基帶的(111)及(002)面極圖如圖2所示，由圖2可知，該合金基帶具有強立方織構。實施例3將純度均為99. 9%的Ni塊和V塊，按V的原子百分含量為9 %的配比在真空條件下于1600°C熔煉IOmin成NiV合金固溶體，然后澆鑄，鍛造即可獲得NiV合金的初始鑄錠；將初始鑄錠進行熱軋后得到初始坯錠；對初始坯錠進行冷軋，道次變形量為15%，最終得到總變形量95%，厚度為120μπι的冷軋基帶；冷軋基帶在Ar4% H2混合氣體保護氣氛下于550°C下退火30min，然后再升溫至1050°C退火30min，得到最終產品合金基帶。該合金基帶的(111)及(002)面極圖如圖3所示，由圖3可知，該合金基帶具有強立方織構。權利要求1.一種無磁性織構NiV合金基帶，其特征在于，組分及原子百分含量為 Ni 88 91at. %，V 9 12at. %。2.根據權利要求1所述的一種無磁性織構MV合金基帶的熔煉制備方法，其特征在于， 其工藝步驟如下(1)原料配比與初始坯錠的制備將Ni塊和V塊，按V原子百分比含量為9 12%的配比在真空條件下于1600°C熔煉成NiV合金固溶體，然后澆鑄，熱鍛后即可獲得NiV的合金初始坯錠；(2)初始坯錠的形變軋制對初始坯錠進行直接冷軋，道次變形量為5 15 %，總變形量不小于95 %，得到厚度為 60 120 μ m的冷軋基帶；(3)冷軋基帶的再結晶熱處理步驟(2)得到的冷軋基帶在Ar4%H2混合氣體保護或真空條件下于550°C退火30min， 然后再升溫至900 1100°C退火30 90min，得到一種無磁性織構NiV合金基帶。全文摘要本專利技術公開了一種無磁性織構NiV合金基帶及熔煉制備方法，屬于高溫超導涂層導體金屬基帶
合金基帶的組分及其原子百分含量為Ni(88～91at.％)，V(9～12at.％)。采用熔煉方法制備，包括以下步驟(1)原料配比與初始坯錠的制備；(2)初始坯錠的形變軋制；(3)冷軋基帶的再結晶熱處理。本專利技術所制備的合金基帶具有無磁性，高立方織構等特點，并易于工業化生產。文檔編號C22F1/10GK102154578SQ20111006992公開日2011年8月17日 申請日期2011年3月22日 優先權日2011年3月22日專利技術者劉敏, 徐燕, 王營霞, 王金華, 田輝, 索紅莉, 袁冬梅, 邱火勤, 馬麟, 高忙忙 申請人:北京工業大學本文檔來自技高網...
【技術保護點】
１．一種無磁性織構ＮｉＶ合金基帶，其特征在于，組分及原子百分含量為：Ｎｉ ８８～９１ａｔ．％，Ｖ ９～１２ａｔ．％。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：袁冬梅，索紅莉，高忙忙，邱火勤，馬麟，劉敏，田輝，王營霞，徐燕，王金華，
申請(專利權)人：北京工業大學，
類型：發明
國別省市：11
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