本發明專利技術涉及層狀結構、定影部件和圖像形成裝置。提供了一種層狀結構，其包括：基體以及順序地設置在所述基體上的彈性層和防粘層，該層狀結構滿足如下公式1和公式2中的至少一個，所述公式1為：在20℃至30℃的溫度下所述彈性層與所述基體之間的層間剝離力＜在20℃至30℃的溫度下所述彈性層的內聚破壞力；并且所述公式2為：在20℃至30℃的溫度下所述彈性層與所述防粘層之間的層間剝離力＜在20℃至30℃的溫度下所述彈性層的內聚破壞力。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及層狀結構、定影部件和圖像形成裝置。
技術介紹
包括基體以及順序地位于該基體上的彈性層和防粘層的層狀結構被用于圖像形成裝置。日本專利申請特開(JP-A)No. 2000-267487描述了用于進行定影的彈性旋轉體， 該彈性旋轉體包括形成于由圓柱狀金屬芯構成的基體上的硅酮橡膠彈性層和在用短波長紫外線照射彈性層后在彈性層的表面上形成的表面層，短波長紫外線包括波長為184. 9nm 的紫外線。日本專利申請特開No. 2004-272254描述了配備有輥子的定影部件，該輥子包括利用耐熱溫度為200°C或更高的耐熱粘合劑粘合在一起的彈性體層和導電層。日本專利申請特開No. 2007-310212描述了設置有粘合層的定影輥，該粘合層緩和了在金屬芯與硅酮橡膠層之間施加的力，該粘合層的厚度為0. 5μπι至0. 15mm，該粘合層的由硬度計A測得的硬度比硅酮橡膠層的硬度高5個點或更多點，并且該粘合層的基于JIS K6249的抗拉強度為2. 5MPa或更大。
技術實現思路
以下是根據本專利技術的示例性實施方式。1、一種層狀結構，其包括基體以及順序地設置在所述基體上的彈性層和防粘層， 該層狀結構滿足公式1和公式2中的至少一個，所述公式1為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述基體之間的層間剝離力<在20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力；所述公式2為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述防粘層之間的層間剝離力 <在20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力。根據該示例性實施方式，與不滿足公式(1)或公式(2)的情況相比，能夠提供在處理時更容易分離各層的層狀結構。2、根據<1>所述的層狀結構，其中，所述彈性層包括硅酮橡膠或氟橡膠。3、根據<1>所述的層狀結構，其中，所述防粘層包括含氟化合物。4、根據<1>所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述基體與所述彈性層之間的粘合層。5、根據<1>所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述彈性層與所述防粘層之間的粘合層。6、一種層狀結構，其包括基體以及順序地設置在所述基體上的彈性層和防粘層， 該層狀結構滿足公式1及公式2，所述公式1為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述基體之間的層間剝離力<在20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力；所述公式2 為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述防粘層之間的層間剝離力<在20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力。 根據該示例性實施方式，與不滿足公式(1)或公式(2)的情況相比，能夠提供在處理時更容易分離各層的層狀結構。7、根據<6>所述的層狀結構，其中，所述彈性層包括硅酮橡膠或氟橡膠。8、根據<6>所述的層狀結構，其中，所述防粘層包括含氟化合物。根據該示例性實施方式，與不采用上述特征的情況相比，能夠提供在處理時更容易分離各層的層狀結構。9、根據<6>所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述基體與所述彈性層之間的粘合層。10、根據<6>所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述彈性層與所述防粘層之間的粘合層。11、一種定影部件，該定影部件包括根據<1>所述的層狀結構。根據該示例性實施方式，能夠提供如下的定影部件，在該定影部件中，與不采用根據<1>的層狀結構的情況相比，抑制了在進行處理時由于層狀結構的各層不分離而導致的問題。12、一種圖像形成裝置，該圖像形成裝置包括根據<11>所述的定影部件。根據該示例性實施方式，能夠提供如下的圖像形成裝置，在該圖像形成裝置中，與不采用根據<11>的定影部件的情況相比，抑制了由于層狀結構的各層在被除掉時不分離而導致的問題。附圖說明下面將基于附圖詳細描述本專利技術的示例性實施方式，在附圖中圖IA是示出了根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構的示意圖，其是沿著與寬度方向垂直的方向截取的截面圖；圖IB是示出了根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構的示意圖，其是層狀結構的截面的放大圖；圖2是示出了根據本實施方式的定影部件的示例性實施方式的示意圖，其是示出了圓筒形部件的截面的放大圖的示意圖；圖3是示出了根據本專利技術的示例性實施方式的圖像形成裝置的示例的示意圖；以及圖4是示出了根據本專利技術的處理盒的示例性實施方式的示意圖。具體實施例方式(層狀結構)如圖IA和圖IB所示，根據本專利技術的一個示例性實施方式的層狀結構10順序地包括基體12、彈性層16和防粘層20。在基體12與彈性層16之間設置有第一粘合層14。此夕卜，在彈性層16與防粘層20之間設置有第二粘合層18。根據本專利技術的一個示例性實施方式的層狀結構10滿足以下公式(1)和以下公式 (2)中的至少一個。公式⑴在常溫下彈性層16與基體12之間的層間剝離力<在常溫下彈性層16 的內聚破壞力公式(2)在常溫下彈性層16與防粘層20之間的層間剝離力<在常溫下彈性層 16的內聚破壞力根據該實施方式，常溫是指從20°C到30°C范圍內的溫度。 可以通過以下方法測量彈性層16與基體12之間的層間剝離力。具體而言，可以在以下剝離條件下測量該層間剝離力，在該剝離條件下，切割出比15mm寬IOOmm長的尺寸更大的樣品，利用刀片在該基體與該彈性層之間形成切口，并且在與基體12的表面成180° 的剝離角的方向上以5mm/s的剝離速度對彈性層16進行剝離。如果希望得到常溫下的測量結果，則可以通過在常溫下執行該測量而獲得這樣的結果。也可以使用同樣的測量方法測量彈性層16與防粘層20之間的層間剝離力。彈性層16的內聚破壞是表示在彈性層16內部出現破壞(裂紋等)的狀態。通過在以下剝離條件下執行的測量結果示出彈性層16的內聚破壞力，在該剝離條件下，切割出比15mm寬IOOmm長的尺寸更大的樣品，利用刀片在該彈性層內形成切口，并且在與基體12的表面成180°的剝離角的方向上以5mm/s的剝離速度對彈性層16進行剝離。如果希望得到常溫下的測量結果，則可以通過在常溫下執行該測量而獲得這樣的結果。在傳統層狀結構中，盡管形成該層狀結構的各層之間的粘合強度得到了增強，但尚未有人考慮到關于在除掉這些層時分離這些層的問題。為此，傳統層狀結構形成為滿足與公式(1)及公式(2)所限定的關系相反的關系(即在常溫下層間剝離力大于內聚破壞力)，以增強這些層之間的粘合力。在該情況下，在除掉層狀結構時可能難以分離這些層，以再利用該層狀結構。另一方面，由于根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構滿足公式(1)和公式 (2)中的至少一個，因此認為層狀結構10的這些層在除掉時易于分離。此外，由于在除掉時可以容易進行這些層的分離，因此認為可以容易地再利用該層狀結構。在根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構10中，如公式(1)所示，在常溫下彈性層16與基體12之間的層間剝離力優選地小于在常溫下彈性層16的內聚破壞力。在根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構10中，如公式(2)所示，在常溫下彈性層16與防粘層20之間的層間剝離力優選地小于在常溫下彈性層16的內聚破壞力。根據本專利技術的示例性實施方式的層狀結構10滿足公式(1)本文檔來自技高網...
【技術保護點】
１．一種層狀結構，其包括：基體以及順序地設置在所述基體上的彈性層和防粘層，該層狀結構滿足公式１和公式２中的至少一個，所述公式１為：在２０℃至３０℃的溫度下所述彈性層與所述基體之間的層間剝離力＜在２０℃至３０℃的溫度下所述彈性層的內聚破壞力；所述公式２為：在２０℃至３０℃的溫度下所述彈性層與所述防粘層之間的層間剝離力＜在２０℃至３０℃的溫度下所述彈性層的內聚破壞力。
【技術特征摘要】
2010.03.26 JP 2010-0733541.一種層狀結構，其包括基體以及順序地設置在所述基體上的彈性層和防粘層，該層狀結構滿足公式1和公式2中的至少一個，所述公式1為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述基體之間的層間剝離力<在20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力； 所述公式2為在20°C至30°C的溫度下所述彈性層與所述防粘層之間的層間剝離力 <在 20°C至30°C的溫度下所述彈性層的內聚破壞力。2.根據權利要求1所述的層狀結構，其中，所述彈性層包括硅酮橡膠或氟橡膠。3.根據權利要求1所述的層狀結構，其中，所述防粘層包括含氟化合物。4.根據權利要求1所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述基體與所述彈性層之間的粘合層。5.根據權利要求1所述的層狀結構，該層狀結構還包括位于所述彈性層與所述防粘層之間的粘合層。6.一種層狀結...
【專利技術屬性】
技術研發人員：松本晃一，林惠一，
申請(專利權)人：富士施樂株式會社，
類型：發明
國別省市：JP
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