本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種壓電晶片本征頻率的測量方法,其包括以下步驟:1)設(shè)置一包括函數(shù)發(fā)生器、壓電晶片和數(shù)字示波器的測量裝置;2)開啟函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一定周期數(shù)的Tone-Burst正弦波信號,函數(shù)發(fā)生器以頻率f對壓電晶片進(jìn)行電脈沖激勵(lì);當(dāng)函數(shù)發(fā)生器完成周期數(shù)時(shí),對壓電晶片的電脈沖激勵(lì)停止,壓電晶片開始自由振動,通過數(shù)字示波器采集壓電晶片兩電極之間的自由振動信號;3)調(diào)節(jié)數(shù)字示波器,將步驟2)中壓電晶片兩電極之間的自由振動信號放大,并對該放大信號進(jìn)行快速傅立葉變換分析;4)取步驟3)中傅立葉變換分析得到的頻譜圖上的峰值的頻率,則為該被測壓電晶片的本征頻率;5)調(diào)節(jié)改變步驟2)中函數(shù)發(fā)生器的頻率f,重復(fù)步驟3)和步驟4),測得壓電晶片的各個(gè)本征頻率。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種測量方法,特別是關(guān)于。
技術(shù)介紹
壓電晶片(壓電陶瓷)由于具有較高的機(jī)電轉(zhuǎn)換系數(shù)和穩(wěn)定的性能,因此,是現(xiàn)有 技術(shù)中無損檢測超聲探頭和海底聲納等傳感器的核心元件。而測量壓電晶片的本征頻率等 技術(shù)性能參數(shù),對于選用合適的壓電晶片作為傳感器,具有重要的意義。目前壓電晶片本征 頻率的測量方法主要是傳輸線路法,其具體步驟為首先用信號發(fā)生器(亦稱函數(shù)發(fā)生器) 產(chǎn)生頻率可調(diào)的連續(xù)正弦波電信號,施加到由壓電晶片和分壓電阻(或匹配電阻)組成的 測量電路中,然后不斷調(diào)節(jié)信號發(fā)生器的頻率,當(dāng)高頻電壓表值最大或最小時(shí),通過頻率計(jì) 即可讀出壓電晶片的本征頻率。這種測量方法實(shí)質(zhì)上是一種共振(諧振)測量方法,其原 理是當(dāng)某一頻率的電激勵(lì)信號使壓電晶片處于諧振或反諧振狀態(tài)時(shí),壓電晶片呈現(xiàn)出最 大或最小阻抗,從而在高頻電壓表上得到最大或最小電壓值。傳輸線路法雖然可以同時(shí)測量出壓電晶片的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率,但是 需要在特征頻率附近仔細(xì)調(diào)節(jié),并反復(fù)觀測高頻電壓表的示值,測量費(fèi)時(shí)而且不夠精準(zhǔn)。并 且在這種測量方法中,還由許多限定條件,如要求信號發(fā)生器的輸出阻抗低于壓電晶片的 阻抗,要求匹配電阻大于10倍的壓電晶片的阻抗等,而在測量之前,這個(gè)阻抗值是未知的, 難以預(yù)先確定,另外對測量電路的分布電容也有嚴(yán)格要求。而且傳輸線路法對試樣的尺寸 也有要求,例如,對圓盤形厚度振動模的壓電晶片,要求直徑遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于厚度;縱向振動的圓 棒形壓電晶片,要求直徑遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于長度,對于尺寸相差不大的壓電晶片,用傳輸線路法,測 量的結(jié)果往往存在誤差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對上述問題,本專利技術(shù)的目的是提供一種無需對信號發(fā)生器的輸出阻抗和匹配電 阻進(jìn)行限定,且不受壓電晶片尺寸限制的壓電晶片本征頻率的測量方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)采取以下技術(shù)方案, 其包括以下步驟1)設(shè)置一測量裝置,其包括一函數(shù)發(fā)生器,所述函數(shù)發(fā)生器的輸出端連 接壓電晶片的兩電極,所述壓電晶片的兩電極上還并聯(lián)連接一數(shù)字示波器;幻開啟函數(shù)發(fā) 生器,使其產(chǎn)生一定周期數(shù)的Tone-Burst正弦波信號,調(diào)節(jié)函數(shù)發(fā)生器以頻率f對壓電晶 片進(jìn)行電脈沖激勵(lì),使壓電晶片產(chǎn)生振動;當(dāng)函數(shù)發(fā)生器完成周期數(shù)時(shí),對壓電晶片的電脈 沖激勵(lì)停止,壓電晶片開始自由振動,通過數(shù)字示波器采集壓電晶片兩電極之間的自由振 動信號;幻調(diào)節(jié)數(shù)字示波器,將步驟幻中壓電晶片兩電極之間的自由振動信號放大,并對 該放大信號進(jìn)行快速傅立葉變換分析;4)取步驟幻中傅立葉變換分析得到的頻譜圖上的 峰值的頻率,則為該被測壓電晶片的本征頻率;5)調(diào)節(jié)改變步驟2)中函數(shù)發(fā)生器的頻率f, 重復(fù)步驟幻和步驟4),可測得壓電晶片的各個(gè)本征頻率。所述步驟2)中,函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生Tone-Burst正弦波信號的周期數(shù)為1 100個(gè)。本專利技術(shù)由于采取以上技術(shù)方案,其具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本專利技術(shù)由于采用數(shù)字示波器, 可以通過對采集到的壓電晶片的自由振動信號進(jìn)行傅立葉變換,直接得到其本征頻率,因 此,無需反復(fù)仔細(xì)調(diào)節(jié)和觀測讀數(shù),測量效率高,測量數(shù)值準(zhǔn)確。2、本專利技術(shù)通過設(shè)置函數(shù)發(fā) 生器產(chǎn)生Tone-Burst正弦波信號的周期數(shù)以及頻率,對壓電晶片進(jìn)行電脈沖激勵(lì),使壓電 晶片產(chǎn)生振動,并且激勵(lì)脈沖信號的頻譜寬度較寬,一般會含有壓電晶片本征頻率的成分, 因此,無需對信號發(fā)生器輸出阻抗和匹配電阻等進(jìn)行特殊限定,對測量數(shù)值幾乎沒有影響。 3、本專利技術(shù)可對任意尺寸的壓電晶片進(jìn)行測量,因此,不受壓電晶片的尺寸限制。本專利技術(shù)結(jié)構(gòu) 設(shè)計(jì)巧妙,操作方便,測量精度高,可廣泛用于壓電晶片本征頻率的測量過程中。附圖說明圖1是本專利技術(shù)測量電路結(jié)構(gòu)示意2是本專利技術(shù)示波器測量得到的信號波形示意3是本專利技術(shù)示波器測得的自由振動信號波形的放大示意4是本專利技術(shù)示波器測得的自由振動信號波形的頻譜示意5是本專利技術(shù)Tone-Burst信號的一個(gè)實(shí)施例示意圖具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的描述。本專利技術(shù)基于以下原理當(dāng)一個(gè)壓電晶片受到交變電場的激勵(lì)作用時(shí),由于逆壓電 效應(yīng)而產(chǎn)生機(jī)械振動。當(dāng)這種電激勵(lì)停止時(shí),壓電晶片的這種機(jī)械振動并不會立即停止,而 會存在自由衰減振動現(xiàn)象。在自由衰減振動期間,由于正壓電效應(yīng),在壓電晶片的兩個(gè)電極 之間,必可測得其自由振動的電壓信號。通過測量和分析這種壓電晶片的自由振動信號,就 可測出壓電晶片的本征頻率。本專利技術(shù)包括以下步驟1)如圖1所示,設(shè)置一用于對壓電晶片進(jìn)行測量的裝置,該裝置包括一函數(shù)發(fā)生 器1,函數(shù)發(fā)生器1的信號輸出端連接壓電晶片2的兩電極,同時(shí)壓電晶片2的兩電極上還 并聯(lián)連接一數(shù)字示波器3。2)如圖2所示,開啟函數(shù)發(fā)生器1,使其產(chǎn)生一定周期數(shù)(1 100個(gè))的 Tone-Burst正弦波信號A (圖2中A箭頭所指部分信號),在此過程中,調(diào)節(jié)函數(shù)發(fā)生器1 以頻率f對壓電晶片2進(jìn)行電脈沖激勵(lì),使壓電晶片2產(chǎn)生振動;當(dāng)函數(shù)發(fā)生器1完成周期 數(shù)時(shí),對壓電晶片2的電脈沖激勵(lì)停止,壓電晶片2開始自由振動,通過數(shù)字示波器3采集 壓電晶片2兩電極之間的自由振動信號B(圖2中B箭頭所指部分信號)。3)如圖3所示,調(diào)節(jié)數(shù)字示波器3,將步驟2)中壓電晶片2兩電極之間的自由振 動信號B放大,并用現(xiàn)有技術(shù)中的計(jì)算機(jī)軟件對該放大信號進(jìn)行快速傅立葉變換分析。4)如圖4所示,取步驟3)中傅立葉變換分析得到的頻譜圖上的峰值的頻率,則為 該被測壓電晶片2的本征頻率。5)調(diào)節(jié)改變步驟2)中函數(shù)發(fā)生器1的頻率f,從而改變Tone-Burst正弦波信號 的頻率到另一段頻率范圍,重復(fù)步驟幻和步驟4),可測得壓電晶片2的各個(gè)本征頻率。分析說明傳統(tǒng)的傳輸線路測量法需要在壓電晶片的本征頻率附近范圍,人工仔細(xì)搜尋阻抗最小時(shí)的本征頻率點(diǎn),而本專利技術(shù)則不需這個(gè)搜尋過程。因?yàn)楸緦@夹g(shù)中的 Tone-Burst激勵(lì)脈沖信號中含有較寬范圍的各連續(xù)頻率分量的信號,即激勵(lì)脈沖信號的 頻譜寬度較寬,一般可以在測試時(shí)事先估算壓電晶片的本征頻率范圍,設(shè)置Tone-Burst信 號,使激勵(lì)信號中含有壓電晶片本征頻率的成分,而壓電晶片在本征頻率激勵(lì)下阻抗最小, 振動最強(qiáng),因此一旦停止激勵(lì)后,壓電晶片的自由振動信號就主要是其本征頻率的信號,因 而可以用傅立葉變換的方法測得其本征頻率。對Tone-Burst信號進(jìn)行舉例說明如圖5所示,Tone-Burst信號類似脈沖群信號,可由函數(shù)發(fā)生器設(shè)置產(chǎn)生,圖5中 的"Tone-Burst正弦波信號的頻率調(diào)節(jié)為150KHz,但其頻譜范圍約為145 155KHz,每次脈 沖信號中有9個(gè)正弦波,這種脈沖是用于激勵(lì)壓電晶片的,然后停頓一段時(shí)間,以一定的周 期再次激勵(lì)同樣的脈沖,停頓的時(shí)間一般可以為0. 5 2秒鐘。下面列舉一具體實(shí)施例如圖1所示,測量一個(gè)PZT-5長方體壓電晶片,其尺寸為34mm (長度L) X 14mm (寬 度W) X 5mm (厚度T)。壓電晶片厚度方向極化,厚度方向施加激勵(lì)電場。1)設(shè)置采用本專利技術(shù)方法對壓電晶片進(jìn)行測量的裝置。2)如圖2所示,開啟函數(shù)發(fā)生器1,函數(shù)發(fā)生器1產(chǎn)生18個(gè)周期數(shù)的Tone-Burst 正弦波信號A(圖中A箭頭所指部分信號),在此過程中,函數(shù)發(fā)生器1以頻率f對壓電晶 片2進(jìn)行電脈沖激勵(lì),使壓電晶片2產(chǎn)生振動,當(dāng)函數(shù)發(fā)生器1完成周期數(shù)時(shí),對壓電晶片 2的電脈沖激勵(lì)停止,壓電本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種壓電晶片本征頻率的測量方法,其包括以下步驟:1)設(shè)置一測量裝置,其包括一函數(shù)發(fā)生器,所述函數(shù)發(fā)生器的輸出端連接壓電晶片的兩電極,所述壓電晶片的兩電極上還并聯(lián)連接一數(shù)字示波器;2)開啟函數(shù)發(fā)生器,使其產(chǎn)生一定周期數(shù)的Tone-Burst正弦波信號,調(diào)節(jié)函數(shù)發(fā)生器以頻率f對壓電晶片進(jìn)行電脈沖激勵(lì),使壓電晶片產(chǎn)生振動;當(dāng)函數(shù)發(fā)生器完成周期數(shù)時(shí),對壓電晶片的電脈沖激勵(lì)停止,壓電晶片開始自由振動,通過數(shù)字示波器采集壓電晶片兩電極之間的自由振動信號;3)調(diào)節(jié)數(shù)字示波器,將步驟2)中壓電晶片兩電極之間的自由振動信號放大,并對該放大信號進(jìn)行快速傅立葉變換分析;4)取步驟3)中傅立葉變換分析得到的頻譜圖上的峰值的頻率,則為該被測壓電晶片的本征頻率;5)調(diào)節(jié)改變步驟2)中函數(shù)發(fā)生器的頻率f,重復(fù)步驟3)和步驟4),可測得壓電晶片的各個(gè)本征頻率。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:曹靜,蔡桂喜,張恩勇,周慶祥,沙勇,董瑞琪,劉芳,張雙楠,劉暢,
申請(專利權(quán))人:中國海洋石油總公司,中海石油研究中心,中國科學(xué)院金屬研究所,
類型:發(fā)明
國別省市:11
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