一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架制造技術

本發(fā)明專利技術涉及一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，屬于表面工程領域。所述基盤架為圓盤，在圓盤上等間隔開有一個或多個工字型孔；在工字型孔兩端分別設有孔的上部突臺和下部突臺，在工字型孔中部的兩邊下方分別設有兩個對稱的側板，兩個側板與基盤架垂直并融合；側板為三角形，在兩個側板上開有平行滑道；滑道深度小于側板厚度，側板厚度大于打拿極護耳寬度?；赖膬A斜度與A’C’線傾斜度相同。所述的基盤架能解決打拿極曲面鍍膜中成膜均勻性、穩(wěn)定性等問題，同時可以快速、準確安裝打拿極特殊曲面基片。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，屬于表面工程領域。技術背景真空鍍膜設備中具有一個或多個基片安裝架，便于固定需要鍍膜的基片。在鍍制薄膜的過程中，需要根據基片的形狀尺寸進行基盤架的設計以滿足鍍膜要求，但是在實際的薄膜的研制和生產過程中，常用平面基片，其基盤架的設計可以針對不同用戶對最終薄膜基底的形狀、厚度等尺寸的要求設計和加工不同的基盤架，但是對于曲面基片的鍍膜要求基盤架的設計較麻煩。電子倍增器打拿極特殊的鍍膜，其基片為非平面，針對這種特殊的曲面基片，普通的平面基片架不能滿足鍍制薄膜的要求。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，可以快速、準確安裝打拿極曲面基片，有效解決打拿極曲面鍍膜中成膜均勻性、穩(wěn)定性等問題。為解決上述問題，本專利技術的技術方案如下一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，所述基盤架為圓盤，在圓盤上等間隔開有一個或多個工字型孔；所有工字型孔的中心到圓盤圓心的距離相等；沿χ軸方向，工字型孔的孔長為20 22mm;沿y軸方向，在工字型孔兩端分別設有孔的上部突臺和下部突臺，上部外側突臺長14 15mm，寬3 5mm，下部外側突臺長14 15mm，寬2 3mm ；上部突臺和下部突臺之間為工字型孔的中部，工字型孔的中部寬8mm ；沿ζ軸方向，在工字型孔中部的兩邊下方分別設有兩個對稱的側板，兩個側板與基盤架垂直并融合；側板為三角形，有a、b、c三個面，其中c面與基盤架垂直，a、b面交匯于A線，a面與工字型孔的上部突臺的底面沿B線匯合，b、c面在C線相交，D線位于工字型孔的下部突臺底面的下端，c面延伸到D線；A線與a面交于A’點，C線與c面交于C’點， B線與c面交于B’點；在c面上開有與A’ C’線平行的滑道EF，滑道EF —端與A’ B’線相交于F點，另一端延伸到基盤架表面的E點，E點與C’點位于基盤架的兩側；在對稱的另一側板上也開有與滑道EF平行的對稱滑道；滑道深度小于側板厚度，側板厚度大于打拿極護耳寬度e。側板壁厚為1 3mm， 滑道長7 9mm，寬0. 2 0. 3mm，深0. 55 0. 6mm，滑道的傾斜度與A，C，線傾斜度相同， 均為60° 80°。基片架的材料為金屬或絕緣材料，優(yōu)選銅、鋁、不銹鋼或聚四氟乙烯。所述電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架的使用過程如下步驟一、用酒精或丙酮超聲清洗基盤架及電子倍增器打拿極表面；步驟二、將基盤架背面朝上安裝在真空室內，保證基盤架水平放置；步驟三、用鑷子夾住清洗后的打拿極外殼，按照基盤架設計的滑道平行插入，待打拿極基片滑到臺階的末端后，松開鑷子，完成打拿極的安裝。在基盤架同一半徑處加工多個設有安裝滑道的工字型孔，能夠同時安裝多個打拿極基片，達到批量生產的效果。打拿極基片的安裝總數決定于安裝盤的大小。有益效果本專利技術所述的基盤架能夠滿足電子倍增器打拿極在真空鍍膜設備中曲面基片的鍍膜安裝要求，有效解決打拿極曲面鍍膜中成膜均勻性、穩(wěn)定性等問題，同時利用本專利技術設計的基盤架可以快速、準確安裝打拿極特殊曲面基片。附圖說明圖1為本專利技術所述的電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架正視圖2為圖1圓圈處的局部放大圖3為側板的正視圖4為帶有突起和滑道的工字型孔的三視圖5為所述打拿極三視其中，I-基盤架、2-側板、3-滑道。具體實施方式實施例一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，所述基盤架1為圓盤，在圓盤上等間隔開有一個或多個工字型孔；所有工字型孔的中心到圓盤圓心的距離相等；沿χ軸方向，工字型孔的孔長為20mm;沿y軸方向，在工字型孔兩端分別設有孔的上部外側突臺和下部外側突臺，上部外側突臺長15mm，寬15mm，下部外側突臺長15mm，寬9mm ；工字型孔的中部寬8mm ；沿ζ軸方向，在工字型孔中部的兩邊下方分別設有兩個對稱的側板2，兩個側板2 與基盤架1垂直并融合；側板2為三角形，有a、b、c三個面，其中c面與基盤架1垂直，a、 b面交匯于A線，a面與工字型孔的上部突臺的底面沿B線匯合，b、c面在C線相交，D線位于工字型孔的下部突臺底面的下端，c面延伸到D線；A線與a面交于A’點，C線與c面交于C’點，B線與c面交于B’點；在c面上開有與A’ C’線平行的滑道EF，滑道EF —端與A’ B’線相交于F點，另一端延伸到基盤架1表面的E點，E點與C’點位于基盤架1的兩側；在對稱的另一側板2上也開有與滑道EF平行的對稱滑道3 ；滑道3深度小于側板2厚度，滑道3的傾斜度與A’ C’線傾斜度相同，側板2厚度大于打拿極護耳寬度e。其中，滑道3長7mm，寬0. 2mm，深0. 55mm，打拿極護耳寬度e為0. 5mm。滑道3滑道的傾斜度與A’ C’線傾斜度均為52°，與打拿極曲面斜度一致?；?的材料為銅、鋁、不銹鋼或聚四氟乙烯。所述電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架的使用過程如下步驟一、用酒精或丙酮超聲清洗基盤架1及電子倍增器打拿極表面；步驟二、將基盤架1背面朝上安裝在真空室內，保證基盤架1水平放置；步驟三、用鑷子夾住清洗后的打拿極外殼，按照基盤架1設計的滑道2平行插入， 待打拿極基片滑到滑道2的末端后，松開鑷子，完成打拿極的安裝。在基盤架1同一半徑處可加工4、6、8、10或12個設有安裝滑道3的工字型孔，能夠同時安裝多個打拿極基片，達到批量生產的效果。打拿極基片的安裝總數決定于安裝盤 1的大小。綜上所述，以上僅為本專利技術的較佳實施例而已，并非用于限定本專利技術的保護范圍。 凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。權利要求1.一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于所述基盤架為圓盤，在圓盤上等間隔開有一個或多個工字型孔；所有工字型孔的中心到圓盤圓心的距離相等；沿X軸方向，工字型孔的孔長為20 22mm ；沿y軸方向，在工字型孔兩端分別設有孔的上部突臺和下部突臺，上部外側突臺長 14 15mm，寬3 5mm，下部外側突臺長14 15mm，寬2 3mm ；上部突臺和下部突臺之間為工字型孔的中部，工字型孔的中部寬8mm ；沿ζ軸方向，在工字型孔中部的兩邊下方分別設有兩個對稱的側板，兩個側板與基盤架垂直并融合；側板為三角形，有a、b、c三個面，其中c面與基盤架垂直，a、b面交匯于A 線，a面與工字型孔的上部突臺的底面沿B線匯合，b、c面在C線相交，D線位于工字型孔的下部突臺底面的下端，c面延伸到D線；A線與a面交于A’點，C線與c面交于C’點，B線與c面交于B’點；在c面上開有與A’ C’線平行的滑道EF，滑道EF —端與A’ B’線相交于F點，另一端延伸到基盤架表面的E點，E點與C’點位于基盤架的兩側；在對稱的另一側板上也開有與滑道EF平行的對稱滑道；滑道深度小于側板厚度，滑道的傾斜度與A’ C’線傾斜度相同，側板厚度大于打拿極護耳寬度e。2.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于側板壁厚為1 3mm，滑道長7 9mm，寬0. 2 0. 3mm,深0. 55 0. 6mm。3.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于滑道的傾斜度與A’ C’線傾斜度相同，均為60° 80°。4.根據權利要求1所述的一種電子倍增器打拿極曲面鍍膜基盤架，其特征在于基片架本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李晨，王多書，熊玉卿，陳燾，王濟洲，張玲，董茂進，
申請(專利權)人：中國航天科技集團公司第五研究院第五一〇研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：