超導(dǎo)發(fā)電機(jī)制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，屬于發(fā)電設(shè)備領(lǐng)域。圓柱形非磁框架的兩端分別與端蓋固定連接，圓柱形非磁框架的內(nèi)表面安裝定子，所述定子內(nèi)設(shè)置轉(zhuǎn)子，且定子與轉(zhuǎn)子之間具有圓柱形間隙，所述轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)非磁軸的底部延伸端與輔助電機(jī)連接；所述定子包括定子線圈及弓形永磁體，所述定子線圈圍繞圓柱形非磁框架的內(nèi)表面予以整體安裝；所述轉(zhuǎn)子包括旋轉(zhuǎn)非磁軸、圍繞旋轉(zhuǎn)非磁軸外周的圓柱形非磁托架、圍繞圓柱形非磁托架運(yùn)動(dòng)的永磁圓筒以及設(shè)置在轉(zhuǎn)子端部的端盤(pán)。優(yōu)點(diǎn)在于：結(jié)構(gòu)新穎、簡(jiǎn)單，能夠產(chǎn)出綠色電能，改變發(fā)電質(zhì)量，提高發(fā)電效率。改變使用傳統(tǒng)能源發(fā)電的模式，高效率產(chǎn)能，它可以應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，滿足各種領(lǐng)域使用電能的需要。實(shí)用性強(qiáng)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及發(fā)電設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種超導(dǎo)發(fā)電機(jī)。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，必須提供可旋轉(zhuǎn)低溫容器來(lái)保持超導(dǎo)狀態(tài)。使用氮?dú)饣蛘吆獾目尚D(zhuǎn)低溫容器來(lái)提供低溫才能保持超導(dǎo)效應(yīng)。可旋轉(zhuǎn)低溫容器會(huì)必然地增加設(shè)備尺寸以及具有運(yùn)行難度。現(xiàn)有的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)設(shè)備體積很大，必須有低溫容器才能保證超導(dǎo)效應(yīng)。制造成本和運(yùn)營(yíng)費(fèi)用都很昂貴。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，解決的現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題。本專利技術(shù)超導(dǎo)發(fā)電機(jī)產(chǎn)出綠色電能，改變發(fā)電質(zhì)量，改善發(fā)電效率。改變現(xiàn)有超導(dǎo)發(fā)電機(jī)結(jié)構(gòu)，它可以應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，滿足各種領(lǐng)域?qū)Πl(fā)電機(jī)的需要。本專利技術(shù)涉及的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，它借助特有的超導(dǎo)線圈和特殊的定子及轉(zhuǎn)子不僅可以通過(guò)超導(dǎo)線圈獲得反常約瑟夫森效應(yīng)，而且在加電時(shí)，在不使用保證超導(dǎo)狀態(tài)的傳統(tǒng)可旋轉(zhuǎn)低溫容器的情況下就能獲得這一效應(yīng)。本專利技術(shù)的上述目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn) 超導(dǎo)發(fā)電機(jī)I包括圓柱形非磁框架2、非磁性端蓋3、旋轉(zhuǎn)非磁軸4、輔助電機(jī)5、永磁圓筒6、圓柱形非磁托架10、一次線圈11、二次超導(dǎo)線圈12、弓形永磁體13、圓柱形間隙14、弧形或半圓形永磁體15、軸承16、端盤(pán)17、導(dǎo)線I 18、II 19、中央開(kāi)口 20、螺栓21、端蓋22、小開(kāi)孔I、11、11123、27、28、銅層24、絕緣層25、圓柱形穴26、轉(zhuǎn)子8及定子7，所述的圓柱形非磁框架2的兩端分別與端蓋3固定連接，圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面安裝定子7，所述定子7內(nèi)設(shè)置轉(zhuǎn)子8，且定子7與轉(zhuǎn)子8之間具有圓柱形間隙14，所述轉(zhuǎn)子8的旋轉(zhuǎn)非磁軸4的底部延伸端與輔助電機(jī)5連接； 所述定子7包括定子線圈9及弓形永磁體13，所述定子線圈9圍繞圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面予以整體安裝，定子線圈9包括有一次線圈11及二次超導(dǎo)線圈12，所述定子7的每一個(gè)環(huán)均包括有三個(gè)弓形永磁體13,定子7的環(huán)縱向堆疊在圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面上； 所述轉(zhuǎn)子8包括旋轉(zhuǎn)非磁軸4、圍繞旋轉(zhuǎn)非磁軸4外周的圓柱形非磁托架10、圍繞圓柱形非磁托架10運(yùn)動(dòng)的永磁圓筒6以及設(shè)置在轉(zhuǎn)子8端部的端盤(pán)17。所述的弓形永磁體13具有一個(gè)外表面，半徑等于圓柱形框架2的內(nèi)表面的半徑。所述的一次線圈11由直徑為60納米的銅絲構(gòu)成，二次超導(dǎo)線圈12由Cu、Nb3SruV3Ga, V3Ge, Bi、Ca、CuO和Sr的超導(dǎo)合金的直徑為60納米的絲構(gòu)成，所述的二次超導(dǎo)線圈12外設(shè)有層銅24，銅層24外設(shè)有絕緣層25。所述的永磁圓筒柱6由若干的永磁環(huán)組成，每一個(gè)環(huán)均包括有一對(duì)弧形或者半圓形永磁體15，所述永磁圓筒6的環(huán)相對(duì)于弓形永磁體13徑向、同心設(shè)置，并且沿縱向具有15 30度的徑向延遲。所述的轉(zhuǎn)子8的直徑小于定子7的直徑。所述的旋轉(zhuǎn)非磁軸4的兩端分別設(shè)置軸承16，它們分別安裝在圓柱形穴26內(nèi)，圓柱形穴26設(shè)置在非磁性端蓋3的內(nèi)中部，旋轉(zhuǎn)非磁軸4的兩端分別穿過(guò)非磁性端蓋3的中央開(kāi)口 20。所述的非磁性端蓋3的周邊設(shè)置若干的小開(kāi)孔II 27，在端蓋22相對(duì)應(yīng)位置設(shè)有若干的小開(kāi)孔I 23，圓柱形非磁框架2的端部對(duì)應(yīng)處設(shè)有若干的小開(kāi)孔III28，一次線圈11、二次超導(dǎo)線圈12的導(dǎo)線I 18、導(dǎo)線II 19分別穿過(guò)中央開(kāi)孔20附近的一對(duì)小開(kāi)孔I 23。本專利技術(shù)的有益效果在于結(jié)構(gòu)新穎、簡(jiǎn)單，不但可以用傳統(tǒng)能源做動(dòng)力，它還可以 用電動(dòng)機(jī)、風(fēng)能、太陽(yáng)能等其它能源來(lái)做動(dòng)力。本專利技術(shù)的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)提供新式的超導(dǎo)定子線圈和新式的轉(zhuǎn)子，借此，卓越的反常約瑟夫森效應(yīng)可低成本獲得，進(jìn)而保持超導(dǎo)狀態(tài)。本專利技術(shù)的技術(shù)產(chǎn)品能夠產(chǎn)出綠色電能，改變發(fā)電質(zhì)量，提高發(fā)電效率。改變使用傳統(tǒng)能源發(fā)電的模式，高效率產(chǎn)能，它可以應(yīng)用到各個(gè)領(lǐng)域，滿足各種領(lǐng)域使用電能的需要。實(shí)用性強(qiáng)。附圖說(shuō)明此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本專利技術(shù)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本專利技術(shù)的示意性實(shí)例及其說(shuō)明用于解釋本專利技術(shù)，并不構(gòu)成對(duì)本專利技術(shù)的不當(dāng)限定。圖I為本專利技術(shù)的主視示意 圖2為本專利技術(shù)的俯視不意 圖3為圖I的A-A首I]視不意 圖4為本專利技術(shù)的縱向剖視示意 圖5為圖4的B-B剖視示意 圖6為本專利技術(shù)的一次線圈的剖視放大示意 圖7為本專利技術(shù)的轉(zhuǎn)子的主視示意 圖8為本專利技術(shù)的弓形永磁體的放大示意 圖9為圖8的右視不意 圖10為本專利技術(shù)的弧形或半圓形永磁體的放大示意 圖11為圖10的右視示意圖。I、超導(dǎo)發(fā)電機(jī)；2、圓柱形非磁框架；3、非磁性端蓋；4、旋轉(zhuǎn)非磁軸；5、輔助電機(jī)；6、永磁圓筒；7、定子；8、轉(zhuǎn)子；9、定子線圈；10、圓柱形非磁托架；11、一次線圈；12、二次超導(dǎo)級(jí)圈；13、弓形永磁體；14、圓柱形間隙；15、弧形或半圓形永磁體；16、軸承;17、端盤(pán);18、導(dǎo)線I ;19、導(dǎo)線II ;20、中央開(kāi)口 ；21、螺栓；22、端蓋；23、小開(kāi)孔I ;24、銅層；25、絕緣層；26、圓柱形穴；27、小開(kāi)孔II ;28、小開(kāi)孔III。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖進(jìn)一步說(shuō)明本專利技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容及其具體實(shí)施方式。參見(jiàn)圖I至圖5，本專利技術(shù)的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)I包括圓柱形非磁框架2、非磁性端蓋3、旋轉(zhuǎn)非磁軸4、輔助電機(jī)5、永磁圓筒6、圓柱形非磁托架10、一次線圈11、二次超導(dǎo)線圈12、弓形永磁體13、圓柱形間隙14、弧形或半圓形永磁體15、軸承16、端盤(pán)17、導(dǎo)線I 18、II 19、中央開(kāi)口 20、螺栓21、端蓋22、小開(kāi)孔I、11、11123、27、28、銅層24、絕緣層25、圓柱形穴26、轉(zhuǎn)子8及定子7，所述的圓柱形非磁框架2的兩端分別與端蓋3固定連接，圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面整體安裝定子7，所述定子7內(nèi)設(shè)置轉(zhuǎn)子8，且定子7與轉(zhuǎn)子8之間具有圓柱形間隙14，所述轉(zhuǎn)子8的旋轉(zhuǎn)非磁軸4的底部延伸端與輔助電機(jī)5連接； 所述定子7包括定子線圈9及弓形永磁體13，所述定子線圈9圍繞圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面予以整體安裝，定子線圈9包括有一次線圈11及二次超導(dǎo)線圈12，所述定子7的每一個(gè)環(huán)均包括有三個(gè)弓形永磁體13，如圖8及圖9所示。定子7的環(huán)縱向堆疊在圓柱形非磁框架2的內(nèi)表面上； 參見(jiàn)圖7所示，所述轉(zhuǎn)子8包括有具有預(yù)定直徑和長(zhǎng)度的旋轉(zhuǎn)非磁軸4，圍繞旋轉(zhuǎn)非磁軸4外周的圓柱形非磁托架10，圍繞圓柱形非磁托架10運(yùn)動(dòng)的永磁圓筒6，以及設(shè)置在轉(zhuǎn)子8端部的端盤(pán)17。轉(zhuǎn)子8的旋轉(zhuǎn)非磁軸4具有預(yù)定的直徑和長(zhǎng)度，這樣轉(zhuǎn)子8可以在定子7內(nèi)旋轉(zhuǎn)，并且旋轉(zhuǎn)非磁軸4的一端予以伸長(zhǎng)與輔助電機(jī)5連接。轉(zhuǎn)子8在與二次超導(dǎo)線圈12的內(nèi)表面成并列間隔關(guān)系的定子7之內(nèi)同心并且可旋轉(zhuǎn)，并且在定子7的內(nèi)周和轉(zhuǎn)子8的外周之間具有圓柱形間隙14。 參見(jiàn)圖8及圖9所示,所述的弓形永磁體13具有一個(gè)外表面,半徑約等于圓柱形框架2的內(nèi)表面的半徑。參見(jiàn)圖6所示，所述的一次線圈11由直徑為60納米的銅(Cu)絲構(gòu)成，二次超導(dǎo)線圈12由Cu、Nb3Sn、V3Ga, V3Ge, Bi、Ca、CuO和Sr的超導(dǎo)合金的直徑為60納米的絲構(gòu)成，所述的二次超導(dǎo)線圈12外設(shè)有層銅24，銅層24外設(shè)有絕緣層25。如圖10和11所示，所述的永磁圓筒柱6由若干的永磁環(huán)組成，每一個(gè)環(huán)均包括有一對(duì)弧形或者半圓形永磁體15。如圖7所不,所述的永磁圓筒6的環(huán)相對(duì)于弓形永磁體13徑向、同心設(shè)置，并且沿縱向具有15 30度的徑向延遲。所述的轉(zhuǎn)子8的直徑小于定子7的直徑。實(shí)際使用時(shí)依據(jù)情況，當(dāng)每一弓形永磁體13本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，其特征在于圓柱形非磁框架(2)的兩端分別與端蓋(3)固定連接，圓柱形非磁框架(2)的內(nèi)表面安裝定子(7)，所述定子(7)內(nèi)設(shè)置轉(zhuǎn)子(8)，且定子(7)與轉(zhuǎn)子(8)之間具有圓柱形間隙(14)，所述轉(zhuǎn)子(8)的旋轉(zhuǎn)非磁軸(4)的底部延伸端與輔助電機(jī)(5)連接； 所述定子(7)包括定子線圈(9)及弓形永磁體(13)，所述定子線圈(9)圍繞圓柱形非磁框架(2)的內(nèi)表面予以整體安裝，定子線圈(9)包括有一次線圈(11)及二次超導(dǎo)線圈(12)，所述定子(7)的每一個(gè)環(huán)均包括有三個(gè)弓形永磁體(13)，定子(7)的環(huán)縱向堆疊在圓柱形非磁框架(2)的內(nèi)表面上； 所述轉(zhuǎn)子(8)包括旋轉(zhuǎn)非磁軸(4)、圍繞旋轉(zhuǎn)非磁軸(4)外周的圓柱形非磁托架(10)、圍繞圓柱形非磁托架(10)運(yùn)動(dòng)的永磁圓筒(6)以及設(shè)置在轉(zhuǎn)子(8)端部的端盤(pán)(17)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，其特征在于所述的弓形永磁體(13)具有一個(gè)外表面，半徑等于圓柱形框架(2)的內(nèi)表面的半徑。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的超導(dǎo)發(fā)電機(jī)，其特征在于所述的一次線圈(11)由直徑為60納米的銅絲構(gòu)成，二次超導(dǎo)線圈(12)由Cu、Nb3Sn、V3Ga、V3Ge、Bi、Ca、CuO和...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：彭浩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：彭浩，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：