一種處理地下地層的方法，包括：使至少一種熔融鹽循環(huán)通過位于所述地層內(nèi)的套管加熱器的至少一個導(dǎo)管，以將所述地層內(nèi)的烴加熱到至少所述烴的流動溫度；從所述地層生產(chǎn)至少一些烴；評價套管加熱器的至少一個導(dǎo)管的電阻，以判斷至少一個導(dǎo)管內(nèi)泄漏的存在。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)總體上涉及由各種地下地層如含烴地層生產(chǎn)烴、氫和/或其它產(chǎn)品的方法和系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
由地下地層獲得的烴通常用作能源、原料和消費(fèi)品。對于可獲得烴源枯竭的關(guān)注以及對于所生產(chǎn)的烴整體質(zhì)量下降的關(guān)注已經(jīng)導(dǎo)致開發(fā)了更有效的采收、處理和/或使用可獲得烴源的方法。原位方法可用來從地下地層脫除烴物質(zhì)。可能需要改變地下地層內(nèi)烴物質(zhì)的化學(xué)和/或物理性能，以使烴物質(zhì)更容易從地下地層內(nèi)脫除。所述化學(xué)和物理變化可能包括產(chǎn)生可脫除流體的地層內(nèi)烴物質(zhì)的原位反應(yīng)、組成變化、溶解度變化、密度變化、相態(tài)變化和/或粘度變化。流體可以是但不限于氣體、液體、乳液、漿液、和/或具有類似于液體流動的流動特性的固體顆粒物流。 Sandberg等人的美國專利US 7，575，052描述了一種利用循環(huán)系統(tǒng)加熱一個或多個處理區(qū)域的原位熱處理方法。所述循環(huán)系統(tǒng)可以應(yīng)用流過地層內(nèi)管道以向地層傳熱的加熱的液態(tài)傳熱流體。Vinegar等人的美國專利申請公開US 2008-0135254描述了應(yīng)用循環(huán)系統(tǒng)加熱一個或多個處理區(qū)域的用于原位熱處理方法的系統(tǒng)和方法。所述循環(huán)系統(tǒng)應(yīng)用流過地層內(nèi)管道以向地層傳熱的加熱的液態(tài)傳熱流體。在一些實(shí)施方案中，所述管道設(shè)置在至少兩個井孔中。Nguyen等人的美國專利申請US 2009-0095476描述了包括位于地下地層內(nèi)的開孔中的導(dǎo)管的用于地下地層的加熱系統(tǒng)。在所述導(dǎo)管中設(shè)置有絕緣導(dǎo)體。在部分絕緣導(dǎo)體和部分導(dǎo)管之間的導(dǎo)管內(nèi)放置一種物質(zhì)。這種物質(zhì)可以為鹽。所述物質(zhì)在加熱系統(tǒng)的操作溫度下為流體。熱從絕緣導(dǎo)體傳遞給流體，從流體傳遞給導(dǎo)管，和從導(dǎo)管傳遞給地下地層。已經(jīng)進(jìn)行了大量的努力來開發(fā)從含烴地層經(jīng)濟(jì)地生產(chǎn)烴、氫和/或其它產(chǎn)品的方法和系統(tǒng)。但目前仍有許多含烴地層不能從中經(jīng)濟(jì)地生產(chǎn)烴、氫和/或其它產(chǎn)品。仍需要改進(jìn)的方法和系統(tǒng)，與應(yīng)用地面基設(shè)備的烴采收方法相比，所述改進(jìn)的方法和系統(tǒng)降低了處理地層的能量成本、減少了處理過程的排放、利于加熱系統(tǒng)的安裝和/或減少了到上覆地層的熱損失。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
這里描述的實(shí)施方案總體上涉及處理地下地層的系統(tǒng)、方法和加熱器。這里描述的實(shí)施方案總體上還涉及在其中具有新組件的加熱器。這種加熱器可以通過應(yīng)用這里描述的系統(tǒng)和方法獲得。在某些實(shí)施方案中，本專利技術(shù)提供一種或多種系統(tǒng)、方法和/或加熱器。在一些實(shí)施方案中，應(yīng)用所述系統(tǒng)、方法和/或加熱器處理地下地層。在某些實(shí)施方案中，一種處理地下地層的方法，包括循環(huán)至少一種熔融鹽通過位于地層內(nèi)的管道，以加熱至少部分地層并將地層內(nèi)的至少一些烴加熱到至少烴的移動溫度；向至少部分管道提供氧化流體；和氧化管道內(nèi)形成的焦炭。在某些實(shí)施方案中，一種處理地下地層的方法，包括循環(huán)至少一種熔融鹽通過位于地層內(nèi)的管道，以加熱至少部分地層并將地層內(nèi)的至少一些烴加熱到至少烴的移動溫度；和在至少部分管道內(nèi)和/或周圍設(shè)置襯層，以抑制地層流體進(jìn)入管道和與熔融鹽接觸。在某些實(shí)施方案中，一種處理地下地層的方法，包括循環(huán)至少一種熔融鹽通過位于地層內(nèi)的套管加熱器的至少一個導(dǎo)管，以將地層內(nèi)的至少一些烴加熱到至少烴的移動溫度；由地層生產(chǎn)至少一些烴；評價套管加熱器的至少一個導(dǎo)管的電阻；和基于所評價的電阻判斷至少一個導(dǎo)管內(nèi)泄漏的存在。在某些實(shí)施方案中，一種處理地下地層的方法，包括循環(huán)至少一種熔融鹽通過位于地層內(nèi)的套管加熱器的至少一個導(dǎo)管，以將地層內(nèi)的至少一些烴加熱到至少烴的移動溫度；由地層生產(chǎn)至少一些烴；與熔融鹽一起循環(huán)惰性氣體；和通過評價至少一個導(dǎo)管壁內(nèi)惰性氣體的存在來判斷至少一個導(dǎo)管內(nèi)泄漏的存在。 在某些實(shí)施方案中，一種處理地下地層的方法，包括循環(huán)至少一種熔融鹽通過地層內(nèi)的管道，以將地層內(nèi)的至少一些烴加熱到至少烴的移動溫度；由地層生產(chǎn)至少一些烴；在已經(jīng)由地層生產(chǎn)選定量的烴后，終止熔融鹽在管道內(nèi)的循環(huán)；和向管道內(nèi)提供壓縮氣體以脫除管道內(nèi)剩余的熔融鹽。在某些實(shí)施方案中，一種加熱地下地層的方法，包括應(yīng)用流體循環(huán)系統(tǒng)使包含碳酸鹽熔融鹽的加熱的傳熱流體循環(huán)通過位于多個井孔的至少兩個中的管道，其中所述多個井孔設(shè)置于地層內(nèi)；和加熱至少部分所述地層。在某些實(shí)施方案中，用于處理含烴地層的方法，包括在部分地層中注入包含固體鹽的組合物；由一個或多個加熱器向所述部分地層提供熱量，從而將組合物加熱到約為組合物中固體鹽的熔點(diǎn)或高于所述熔點(diǎn)；和熔化至少部分固體鹽以形成熔融鹽和在所述部分地層內(nèi)產(chǎn)生裂縫。在其它實(shí)施方案中，具體實(shí)施方案的特征可以與其它實(shí)施方案的特征組合。例如，一個實(shí)施方案的特征可以與任何其它實(shí)施方案的特征組合。在其它實(shí)施方案中，應(yīng)用這里描述的任意方法、系統(tǒng)、電源或加熱器處理地下地層。在其它實(shí)施方案中，可以將附加特征添加到這里描述的具體實(shí)施方案中。附圖說明受益于如下詳細(xì)說明和參考附圖，本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)對本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員來說可以變得很明顯，其中圖I給出了用于處理含烴地層的原位熱處理系統(tǒng)的一部分的實(shí)施方案的示意圖。圖2描述了用于加熱部分地層的傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的實(shí)施方案的示意圖。圖3描述了用于加熱部分地層的利用傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的L型加熱器的實(shí)施方案的示意圖。圖4描述了用于加熱部分地層的利用傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的垂直加熱器的實(shí)施方案的示意圖，其中所述加熱器的熱膨脹容納于地面以下。圖5描述了用于加熱部分地層的利用傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的垂直加熱器的另一個實(shí)施方案的示意圖，其中所述加熱器的熱膨脹容納于地面以上和以下。圖6描述了用于加熱部分地層的利用傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的垂直加熱器的實(shí)施方案的示意圖，其中包括電阻泄漏檢測系統(tǒng)。圖7的圖線描述了套管加熱器內(nèi)管電阻與套管加熱器內(nèi)管內(nèi)形成裂縫的深度之間的關(guān)系。圖8的圖線描述了套管加熱器外管電阻與套管加熱器外管內(nèi)形成裂縫的深度之間的關(guān)系。圖9的圖線描述了套管加熱器內(nèi)管電阻和鹽塊高度與泄漏的熔融鹽量之間的關(guān)系O 圖10的圖線描述了套管加熱器外管電阻和鹽塊高度與泄漏的熔融鹽量之間的關(guān)系O圖11的圖線描述了裂縫形成時套管加熱器導(dǎo)管電阻與熔融鹽平均溫度之間的關(guān)系O圖12描述了用于加熱部分地層的利用傳熱流體循環(huán)系統(tǒng)的垂直加熱器的實(shí)施方案的示意圖，其中包括基于惰性氣體的泄漏檢測系統(tǒng)。圖13的圖線描述了針對三個不同的壓縮空氣質(zhì)量流量鹽置換效率與時間的關(guān)系O圖14的圖線描述了針對三個不同的壓縮空氣質(zhì)量流量導(dǎo)管入口處空氣體積流量與時間的關(guān)系。圖15的圖線描述了針對三個不同的壓縮空氣質(zhì)量流量壓縮機(jī)出口壓力與時間的關(guān)系。圖16的圖線描述了針對三個不同的壓縮空氣質(zhì)量流量導(dǎo)管出口處鹽體積分?jǐn)?shù)與時間的關(guān)系。圖17的圖線描述了針對三個不同的壓縮空氣質(zhì)量流量導(dǎo)管出口處鹽體積流量與時間的關(guān)系。圖18描述了壓縮空氣停車系統(tǒng)的實(shí)施方案的示意圖。圖19描述了應(yīng)用碳酸鹽熔融鹽加熱地層的系統(tǒng)的示意圖。圖20描述了應(yīng)用碳酸鹽熔融鹽加熱地層后系統(tǒng)的示意圖。圖21描述了應(yīng)用碳酸鹽熔融鹽加熱地層后地層的一部分的實(shí)施方案的剖面示意圖。雖然本專利技術(shù)易于進(jìn)行各種改進(jìn)和具有各種替代形式，但它的具體實(shí)施方案在附圖中通過實(shí)施例的方式給出和可能在這里更為詳細(xì)地進(jìn)行描述。附圖可能不是按比例的。但應(yīng)該理解的是所述附圖及其詳細(xì)說明不將本專利技術(shù)局限于所公開的特定方式，相反，本專利技術(shù)將涵蓋在所附權(quán)利要求定義的本專利技術(shù)的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的所有改進(jìn)、等價和替代形式。具體實(shí)施例方式如下描述總體上涉及處理本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.04.09 US 61/322,6431.一種處理地下地層的方法，包括 使至少一種熔融鹽循環(huán)通過位于所述地層內(nèi)的套管加熱器的至少一個導(dǎo)管，以將所述地層內(nèi)的烴加熱到至少所述烴的流動溫度； 從所述地層生產(chǎn)至少一些烴； 評價套管加熱器的至少一個導(dǎo)管的電阻；和 基于所評價的電阻判斷至少一個導(dǎo)管內(nèi)泄漏的存在。2.權(quán)利要求I的方法，其中所述泄漏包括導(dǎo)管壁內(nèi)的裂縫。3.權(quán)利要求I的方法，還包括連續(xù)評價電阻以判斷泄漏的存在。4.權(quán)利要求I的方法，還包括間歇評價電阻以判斷泄漏的存在。5.權(quán)利要求I的方法，還包括評價電阻以判斷至少一個導(dǎo)管內(nèi)兩處或多處泄漏的存在。6.權(quán)利要求I的方法，還包括判斷泄漏在地下的深度。7.權(quán)利要求I的方法，還包括基于深度與電阻之間的線性關(guān)系判斷泄漏在地下的深度。8.一種處理地下地層的方法，包括 使至少一種熔融鹽循環(huán)通過位于所述地層內(nèi)的套管加熱器的至少一個導(dǎo)管，以將所述地層內(nèi)的烴加熱到至少所述烴的流動溫...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S·V·源，
申請(專利權(quán))人：國際殼牌研究有限公司，
類型：
國別省市：
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