一種人工晶體調(diào)溫袋制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種人工晶體調(diào)溫袋，用于晶體保溫、調(diào)溫，該調(diào)溫袋包括一具有開口的袋本體，該袋本體的各個面分別包括內(nèi)外兩棉布層，且兩棉布層之間鋪設(shè)有保溫層；該袋本體還裝有加熱及調(diào)溫裝置；袋本體的開口處設(shè)有用于開啟或封閉開口的部件。本實(shí)用新型專利技術(shù)的調(diào)溫袋不僅可利用袋本體的多層結(jié)構(gòu)以及加熱及調(diào)溫裝置對置入該調(diào)溫袋內(nèi)的人工晶體的溫度緩慢降低至室溫水平，方便周轉(zhuǎn)和存放，還有利于降低對出爐晶體溫度的要求，使晶體可以提前出爐，從中縮短晶體的生長周期，提高設(shè)備利用率，降低生產(chǎn)成本。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種袋體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種人工晶體調(diào)溫袋，用于人工晶體的保溫、調(diào)溫。
技術(shù)介紹
人工晶體包括藍(lán)寶石、水晶、KTP、尖晶石等，目前，隨著人工晶體的生產(chǎn)尺寸越來越大，晶體在進(jìn)行機(jī)械加工時因內(nèi)部應(yīng)力過大導(dǎo)致晶體開裂的品質(zhì)異常現(xiàn)象也越來越嚴(yán)重。特別的，由于大尺寸晶體生長完成及退火后的溫度可達(dá)50_70°c，而生長車間的室溫一般約為23_28°C，使得剛出爐的大尺寸晶體的溫度與室溫差異較大，導(dǎo)致晶體內(nèi)部應(yīng)力釋放 不均勻而更容易發(fā)生晶體開裂(晶體開裂延伸)或加工時引起開裂的現(xiàn)象。因此，人工晶體出爐后，有必要對其進(jìn)行保溫，現(xiàn)有技術(shù)有的采用控制室溫的方法來使縮小剛出爐的晶體與室溫之間的溫度差距，但這種做法成本較高，溫度的穩(wěn)定性不夠，且不利于晶體的周轉(zhuǎn)；現(xiàn)有技術(shù)還有的是采用簡單的棉布包裹剛出爐的晶體，但其保溫效果極差，且不利于晶體的周轉(zhuǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種人工晶體調(diào)溫袋，其具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、能夠?qū)偝鰻t的晶體進(jìn)行緩慢降溫，使其溫度逐漸接近于室溫，從而方便周轉(zhuǎn)、存放等特點(diǎn)。本技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種人工晶體調(diào)溫袋，包括一具有開口的袋本體，該袋本體的各個面分別包括內(nèi)外兩棉布層，且兩棉布層之間鋪設(shè)有保溫層；該袋本體還裝有加熱及調(diào)溫裝置；袋本體的開口處設(shè)有用于開啟或封閉開口的部件。所述加熱及調(diào)溫裝置包括電阻絲、電源線、電源插頭件和調(diào)溫器，電阻絲固定于所述袋本體的兩棉布層之間，調(diào)溫器和電源插頭件分別位于所述袋本體外，且調(diào)溫器通過電源線與電阻絲電氣連接，電源插頭件通過電源線與調(diào)溫器電氣連接。所述袋本體底面的兩棉布層之間鋪設(shè)有兩層所述的保溫層，所述袋本體的其余各個面的兩棉布層之間分別鋪設(shè)有多層所述的保溫層，所述電阻絲固定于所述袋本體底面的兩層保溫層之間。所述袋本體的開口設(shè)于所述袋本體底面除外的其余各個面的其中之一，所述部件為拉鏈。采用上述人工晶體調(diào)溫袋后，該調(diào)溫袋可以對剛出爐的晶體每小時降溫2-3 °C，使晶體的應(yīng)力得到緩慢釋放，最終使晶體的溫度等于或接近室溫。本技術(shù)的有益效果是，調(diào)溫袋采用上述結(jié)構(gòu)后，不僅方便存、取人工晶體，還可利用袋本體的多層結(jié)構(gòu)和加熱及調(diào)溫裝置對置入該調(diào)溫袋內(nèi)的人工晶體進(jìn)行緩慢降溫，使人工晶體出爐后的溫度緩慢降低至室溫水平，因而不會因與室溫相差較大而發(fā)生開裂現(xiàn)象，方便人工晶體出爐后進(jìn)行周轉(zhuǎn)和存放。此外，本技術(shù)的調(diào)溫袋，還有利于降低對出爐晶體溫度的要求，即可以使人工晶體提前12-48小時出爐，以此縮短晶體的生長周期，以及提高設(shè)備的利用率，同時降低生產(chǎn)成本。以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)說明；但本技術(shù)的一種人工晶體調(diào)溫袋不局限于實(shí)施例。附圖說明圖I是本技術(shù)的剖面示意圖。具體實(shí)施方式實(shí)施例，請參見圖I所示，本技術(shù)的一種人工晶體調(diào)溫袋，包括一具有開口的袋本體I，該袋本體I的各個面分別包括內(nèi)外兩棉布層11，且袋本體的各個面的兩棉布層11之間分別鋪設(shè)有保溫層12 ;該袋本體I還裝有加熱及調(diào)溫裝置；袋本體I的開口處設(shè)有用 于開啟或封閉開口的部件。作為一較佳實(shí)施例，上述加熱及調(diào)溫裝置包括電阻絲2、電源線3、調(diào)溫器4和電源插頭件5 ;上述袋本體I底面的兩棉布層之間鋪設(shè)有兩層的保溫層，袋本體I的其余各個面的兩棉布層之間分別鋪設(shè)有多層(優(yōu)選采用三層)的保溫層。電阻絲2裝在袋本體底面的兩層保溫層12的中間，并用尼龍繩進(jìn)行縫制固定。調(diào)溫器4和電源插頭件5位于袋本體I之外，其中，調(diào)溫器4用電源線3與電阻絲2電氣連接，電源插頭件5用于連接電源，其采用電源線3與調(diào)溫器4電氣連接。上述袋本體的開口設(shè)于袋本體I的其中一個側(cè)壁面的中間，并沿橫向設(shè)置。作為一較佳實(shí)施例，上述部件采用拉鏈6來實(shí)現(xiàn)，通過拉動該拉鏈6，可以打開或密封袋本體I的開口。作為一較佳實(shí)施例，上述各保溫層12分別采用珍珠棉層。上述袋本體I為長方體形狀，當(dāng)然，袋本體I的形狀不局限于此，它還可以是正方體形狀、圓柱體形狀或其它形狀等。本技術(shù)的一種人工晶體調(diào)溫袋，其適用于存放各種人工晶體，例如藍(lán)寶石、水晶、KTP、尖晶石等。存放剛出爐的晶體前，先通過加熱及調(diào)溫裝置將袋本體I的溫度加熱至與出爐的晶體的溫度相當(dāng)，例如加熱至50-70°C;再拉開袋本體的拉鏈6，將出爐后的人工晶體裝入該袋本體I內(nèi)，最后拉上袋本體的拉鏈6。通過人工設(shè)定調(diào)溫器4，可以使袋本體I的溫度每小時降低2-3°C，以此對袋本體I內(nèi)的人工晶體進(jìn)行緩慢降溫，使該人工晶體的應(yīng)力得到緩慢釋放，避免晶體溫度與室溫相差太大而引起晶體發(fā)生開裂現(xiàn)象。采用本技術(shù)的調(diào)溫袋，還有利于降低對出爐晶體溫度的要求，即可以使人工晶體提前12-48小時出爐，以此縮短晶體的生長周期，以及提高設(shè)備的利用率，同時降低生產(chǎn)成本。上述實(shí)施例僅用來進(jìn)一步說明本技術(shù)的一種人工晶體調(diào)溫袋，但本技術(shù)并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù)本技術(shù)的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本技術(shù)技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種人工晶體調(diào)溫袋，其特征在于：包括一具有開口的袋本體，該袋本體的各個面分別包括內(nèi)外兩棉布層，且兩棉布層之間鋪設(shè)有保溫層；該袋本體還裝有加熱及調(diào)溫裝置；袋本體的開口處設(shè)有用于開啟或封閉開口的部件。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種人工晶體調(diào)溫袋，其特征在于包括一具有開口的袋本體，該袋本體的各個面分別包括內(nèi)外兩棉布層，且兩棉布層之間鋪設(shè)有保溫層；該袋本體還裝有加熱及調(diào)溫裝置；袋本體的開口處設(shè)有用于開啟或封閉開口的部件。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的人工晶體調(diào)溫袋，其特征在于所述加熱及調(diào)溫裝置包括電阻絲、電源線、電源插頭件和調(diào)溫器，電阻絲固定于所述袋本體的兩棉布層之間，調(diào)溫器和電源插頭件分別位于所述袋本體外，且調(diào)溫器通過電源線與電...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李濤，葉長圳，楊敏，趙慧彬，劉鋒，
申請(專利權(quán))人：福建鑫晶精密剛玉科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：