【技術實現步驟摘要】
本技術是一種真空密封射頻傳輸部件，具體為離子回旋加熱(ICRF)天線一種使用錐形梯度絕緣陶瓷連接密封的真空饋口。
技術介紹
在托卡馬克實驗裝置中，ICRF加熱天線是主要的輔助加熱方式之一。而真空饋口是連接ICRF天線真空傳輸線和充有高壓熱氮氣傳輸線的主要部件，它起著連接和真空密封重要作用。真空饋口在不僅起著真空密封重要作用，還起著內、外導體之間的高壓絕緣作用。在ICRF天線運行高頻和超高真空環境下，真空饋口絕緣材料需要滿足介質損耗小而且出氣率小的高物理要求，根據目前通常運用的絕緣材料性能，以氧化鋁陶瓷為主要成分的陶瓷被選擇為真空饋口的絕緣密封材料。目前國內、外真空饋口陶瓷密封形式有兩種，一種是焊接密封結構，另外一種是金屬彈性密封圈結構，彈性金屬密封結構對陶瓷，金屬連接的 密封面粗糙度要求很高，目前的陶瓷密封面很難達到高粗糙度要求，而且彈性金屬密封圈價格昂貴，這導致金屬彈性密封圈結構形式的真空饋口制造成本高。因此，目前國際上普遍使用的是焊接性形式的真空饋口結構。但是對于焊接形式的真空饋口結構，不管是圓柱狀形狀還是圓錐狀形狀絕緣陶瓷都需要與真空饋口內、外導體進行焊接，但在焊接過程中，絕緣陶瓷容易因受熱而被拉裂，如何解決陶瓷在與真空饋口內、外導體焊接過程中被拉裂的問題是目前真空饋口設計制造的一個重要難點。
技術實現思路
本技術專利提出使用一種錐形梯度絕緣陶瓷連接密封的真空饋口，可以既有效的避免普通焊接結構中陶瓷受熱被拉裂的問題，又可以方便對真空饋口段內、外導體進行焊接，同時降低真空饋口內、外導體的結構復雜性和加工難度。本技術的技術方案如下一種錐形梯度絕緣陶瓷連接密封的...
【技術保護點】
一種錐形梯度絕緣陶瓷連接密封的真空饋口，包括有錐形梯度絕緣陶瓷、內、外導體以及兩端法蘭，其特征在于：錐形梯度絕緣陶瓷一端與內導體的連接處分為純金屬區域和材料梯度區域，錐形梯度絕緣陶瓷另一端與外導體的連接處分為純金屬區域和材料梯度區域，錐形梯度絕緣陶瓷兩端的材料梯度區域之間為純陶瓷區域。
【技術特征摘要】
1.一種錐形梯度絕緣陶瓷連接密封的真空饋口，包括有錐形梯度絕緣陶瓷、內、外導體以及兩端法蘭，其特征在于錐形梯度絕緣陶瓷一端與內導體的連接處分為純金屬區域和材料梯度區域，錐形梯度絕緣陶瓷另一端與外導體的連接處分為純金屬區域和材料梯度區域，錐形梯度絕緣陶瓷兩端的材料梯度區域之間為純陶瓷區域。2.根據權利要求I所述的錐形梯度絕緣陶瓷連接...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊慶喜，宋云濤，王成浩，趙燕平，
申請(專利權)人：中國科學院等離子體物理研究所，
類型：實用新型
國別省市：
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