【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及射頻識別領域,尤其涉及ー種溫度測量與校準電路及無源射頻識別標簽,同時本專利技術還涉及應用無源射頻識別標簽進行溫度測量的方法。
技術介紹
射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID)是一種非接觸式的自動識別技術,具有低功耗的數據傳輸功能,可以應用于物流管理、身份識別、交通運輸、食品醫療、動物管理等多種領域。RFID標簽系統主要分為無源RFID標簽和有源RFID標簽。有源標簽,即有電源供電的RFID標簽;無源標簽系統,即沒有電源供電的RFID標簽。無源RFID標簽工作時,其工作電路需要的能量由電磁場能量轉換而來。無源標簽系統具有低成本,集成度高,封裝形式靈活,壽命長等,尤其適用于倉庫管理、食品醫療、動物管理等領域。 溫度傳感器在エ業控制、醫療和測量領域得到了廣泛的應用。在集成電子系統中,溫度傳感器一般有兩種存在形式ー種形式是溫度傳感器是獨立于集成電路的,即具有獨立于集成電子系統的溫度傳感器芯片,比如集成電子系統通過外置的熱敏電阻器件來測量溫度。在集成電子系統中,這種分立的溫度傳感器芯片具有成本高,封裝體積大等特點,如此,則限制了該種溫度傳感器的應用領域,例如,在倉庫管理、食品醫療、動物管理等領域不能很好地進行溫度測量。另ー種形式則是將具有溫度測量功能的芯片內置于集成電子系統中。目前,芯片內置的溫度測量技術在集成電子系統廣泛存在。該技術在有電源供電的情況下,通過獲取半導體芯片PN結的電壓差而產生帶隙基準電壓的方式取得與絕對溫度成正比的物理量,比如電流。若將具有溫度測量功能的芯片內置于無源RFID標簽中,則可以 ...
【技術保護點】
一種溫度測量與校準電路,其特征在于,所述該電路包括:參考基準電壓生成電路,其輸入輸出端連接至外部檢測裝置,其輸出端分別連接第一放大電路和第二放大電路,用于生成不隨溫度與工藝參數變化的第一帶隙基準電壓信號,即上限參考電壓值至第一放大電路,和第二帶隙基準電壓信號,即下限參考電壓值至第二放大電路;溫度測量電壓生成電路,其輸出端連接至外部檢測裝置及電壓平移調節電路,用于生成隨溫度呈線性變化的電壓值;電壓平移調節電路,其輸入端連接至外部檢測裝置及溫度測量電壓生成電路,用于在接收到外部檢測裝置輸入的電壓平移調節指示信號后,平移所述溫度測量電壓值至放大電路;三個放大電路,其中第一放大電路和第二放大電路均接成單位增益的緩沖器形式,用于分別調整所述上限參考電壓值和下限參考電壓值并輸出至模數轉換電路,第三放大電路接成放大增益倍數可調的形式,用于放大溫度測量電壓值,將該電壓值調整到上限參考電壓值和下限參考電壓值之間并輸出至模數轉換電路;模數轉換電路,用于將所述上限參考電壓值和下限參考電壓值轉換成數字信號,并將所述介于上限參考電壓值和下限參考電壓值之間的溫度測量電壓值轉換成數字信號,這個數字信號即代表溫度量。
【技術特征摘要】
1.一種溫度測量與校準電路,其特征在于,所述該電路包括 參考基準電壓生成電路,其輸入輸出端連接至外部檢測裝置,其輸出端分別連接第一放大電路和第二放大電路,用于生成不隨溫度與工藝參數變化的第一帶隙基準電壓信號,即上限參考電壓值至第一放大電路,和第二帶隙基準電壓信號,即下限參考電壓值至第二放大電路; 溫度測量電壓生成電路,其輸出端連接至外部檢測裝置及電壓平移調節電路,用于生成隨溫度呈線性變化的電壓值; 電壓平移調節電路,其輸入端連接至外部檢測裝置及溫度測量電壓生成電路,用于在接收到外部檢測裝置輸入的電壓平移調節指示信號后,平移所述溫度測量電壓值至放大電路; 三個放大電路,其中第一放大電路和第二放大電路均接成單位增益的緩沖器形式,用于分別調整所述上限參考電壓值和下限參考電壓值并輸出至模數轉換電路,第三放大電路接成放大增益倍數可調的形式,用于放大溫度測量電壓值,將該電壓值調整到上限參考電壓值和下限參考電壓值之間并輸出至模數轉換電路; 模數轉換電路,用于將所述上限參考電壓值和下限參考電壓值轉換成數字信號,并將所述介于上限參考電壓值和下限參考電壓值之間的溫度測量電壓值轉換成數字信號,這個數字信號即代表溫度量。2.根據權利要求I所述的溫度測量與校準電路,其特征在于,所述該溫度測量與校準電路還包括連接于電源與地線之間的穩壓濾波電路。3.根據權利要求I所述的溫度測量與校準電路,其特征在于,所述參考基準電壓生成電路包括并聯連接的第一 P型MOS管,第二 P型MOS管及第三P型MOS管, 所述第一 P型MOS管,第二 P型MOS管及第三P型MOS管源極分別耦接至電源作為電流源,柵極分別耦接至第一放大器輸出端,所述第一 P型MOS管漏極耦接至第一放大器負輸入端及第一 PNP三極管的發射極,第一 PNP三極管的基極與其集電極耦接并接地,第一電阻一端接入第一放大器負輸入端,其另一端接地; 所述第二 P型MOS管漏極耦接至第一放大器正輸入端,并通過第三電阻耦接至第二 PNP三極管的發射極,第二 PNP三極管的基極與其集電極耦接并接地,第二電阻一端接入第一放大器正輸入端,其另一端接地; 所述第三P型MOS管漏極通過第一調節電阻及第二調節電阻接地。4.根據權利要求I所述的溫度測量與校準電路,其特征在于,所述溫度測量電壓生成電路包括與溫度系數成正比的電流源及與其串接并接地的第六電阻,用于生成隨溫度變化的電壓值信號并輸出至電壓平移調節電路。5.根據權利要求I所述的溫度測量與校準電路,其特征在于,所述電壓平移調節電路包括并聯連接的第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管, 所述第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管作為源極跟隨...
【專利技術屬性】
技術研發人員:吳邊,王興意,周伶俐,韓富強,漆射虎,
申請(專利權)人:卓捷創芯科技深圳有限公司,
類型:發明
國別省市:
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