基于逆變焊機主電路的一種優化結構制造技術

本實用新型專利技術公開一種基于逆變焊機主電路的一種優化結構，包括主電路，主電路包括吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排和門極驅動線，吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排以緊密性結構置于散熱器上，吸收電容直接利用其管腳連接與IGBT模塊上，保證吸收電容連接電路的最短效果，吸收作用最優化，IGBT模塊和整流模塊之間用低電感母排直接相連，保證了最短連接距離，減少寄生電感。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及逆變焊機性能優化，具體地說是一種基于逆變焊機主電路的一種優化結構。
技術介紹
應用IGBT模塊為核心的逆變焊機已成為現代焊機行業的主流產品。隨著逆變焊機技術發展的要求，焊機小型化已成為必 然的趨勢，在小型化的過程中，如何合理安排布局和進一步提聞開關速度已成為研究的重點，但是在提聞開關速度的過程中，直流母線的寄生電感效應被擴大化了。在IGBT關斷過程中，會存在一個di/dt的過程，此過程中產生的電壓尖峰與寄生電感的大小成比例關系，假設直流母線上的寄生電感值為L，產生的感應電壓值為 '，那么它們的關系為VL=L*di/dt這個感應電壓八會疊加到直流母排上的電壓Vdc上，使直流母線的峰值電壓增大為V: =Vl+Vdc,如果此時的峰值電壓VDC’超過IGBT模塊的擊穿電壓V (BR) ces, IGBT模塊就可能會過壓失效。吸收電容在電路中也有吸收直流母線峰值電壓的作用,但是如何合理的運用吸收電容，達到吸收高效率也一直是焊機開發人員需要重點關注的問題之一。
技術實現思路
本技術的目的是對上述逆變焊機主電路的問題，設計出一種基于逆變焊機主電路的一種優化結構。本技術的技術方案如下包括主電路，主電路包括吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排和門極驅動線，吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排以緊密性結構置于散熱器上，吸收電容直接利用其管腳連接與IGBT模塊上，保證吸收電容連接電路的最短效果，吸收作用最優化，IGBT模塊和整流模塊之間用低電感母排直接相連，保證了最短連接距離，減少寄生電感。本技術的優點一是改變各器件的布局，使布局空間得到最優化。二是在不改變電路結構的條件下，采用低電感母排設計，最優化電路中的寄生電感，減小寄生電感的影響，把IGBT關斷時的電壓峰值降低到最小范圍內。三是采用新型低電感連接電容，降低了電容與IGBT模塊連接之間的導線長度，有效的降低了電感，保證了電容的吸收作用最優化。附圖說明圖I是本技術逆變焊機主電路安裝結構示意圖。圖2是本技術逆變焊機主電路理想電路示意圖。圖3是本技術逆變焊機主電路結合寄生電感的電路示意圖。圖4是本技術低電感直流母排結構示意圖。圖5是本技術新型低電感連接電容示意圖。具體實施方式以下結合附圖及具體實施例，對本技術作進ー步的說明。如圖所示，本技術包括主電路,該主電路包括吸收電容2、ニ塊IGBT模塊3、整流模塊4、低電感母排5和門極驅動線6。吸收電容2、兩塊IGBT模塊3、整流模塊4、低電感母排5以緊密性結構置于散熱器I上，吸收電容2直接利用其管腳連接與IGBT模塊3上，保證吸收電容連接電路的最短效果，吸收作用最優化。兩塊IGBT模塊3和整流模塊4之間用低電感母排5直接相連，保證了最短連接距離，減少寄生電感。門極驅動線6使用雙絞線；引線7從變壓器ー側引出。輸入引線8與整流模塊連接，輸入引線8包括U、V、W三相電輸 入線。所述的低電感直流母排5為雙母排平行布置，兩平行母排之間的距離為I——3mm，中間用絕緣DBC板或絕緣橡膠板9隔離。低電感直流母排5采用銅質材料制成。所述的吸收電容電壓等級在1200V以上，吸收電容容值在20uF以上，其管腳采用近距離平行片設計，兩腳距離在Imm左右，在管腳上采用絕緣材料10包裹，完全達到低電感效果。權利要求1.基于逆變焊機主電路的一種優化結構，包括主電路，其特征在于主電路包括吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排和門極驅動線；吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排以緊密性結構置于散熱器上，吸收電容直接利用其管腳連接與IGBT模塊上，IGBT模塊和整流模塊之間用低電感母排直接相連。2.根據權利要求I所述的基于逆變焊機主電路的一種優化結構，其特征在于所述的低電感直流母排為雙母排平行布置，兩平行母排之間的距離為l_3mm，中間用絕緣DBC板或絕緣橡膠板隔離。3.根據權利要求I所述的基于逆變焊機主電路的一種優化結構，其特征在于低電感直流母排采用銅質材料制成。4.根據權利要求I所述的基于逆變焊機主電路的一種優化結構，其特征在于所述電容電壓等級在1200V以上，電容容值在20uF以上，其管腳采用近距離平行片設計，兩腳距離在Imm左右，在管腳上用絕緣材料包裹。專利摘要本技術公開一種基于逆變焊機主電路的一種優化結構，包括主電路，主電路包括吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排和門極驅動線，吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排以緊密性結構置于散熱器上，吸收電容直接利用其管腳連接與IGBT模塊上，保證吸收電容連接電路的最短效果，吸收作用最優化，IGBT模塊和整流模塊之間用低電感母排直接相連，保證了最短連接距離，減少寄生電感。文檔編號B23K9/10GK202622142SQ201220261548公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月5日 優先權日2012年6月5日專利技術者戴志展, 陳浩 申請人:嘉興斯達微電子有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
基于逆變焊機主電路的一種優化結構，包括主電路，其特征在于主電路包括吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排和門極驅動線；吸收電容、IGBT模塊、整流模塊、低電感母排以緊密性結構置于散熱器上，吸收電容直接利用其管腳連接與IGBT模塊上，IGBT模塊和整流模塊之間用低電感母排直接相連。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：戴志展，陳浩，
申請(專利權)人：嘉興斯達微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：