一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器制造技術

一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、低壓繞組以及高壓繞組構成；其中，所述每一個低壓繞組輸入單元由隔離開關、熔斷器和雙向可控硅開關相互串聯組成；所述不少于1個抽頭的低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。是一種結構簡單、運行可靠、性能高的多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于變壓器
，尤其是一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器。(ニ)
技術介紹
目前，現有的多晶硅打壓用干式單相變流變壓器多為非包封的単相普通干式變壓器，其存在的主要問題是1、防潮、防塵能力差；2、變壓器外觀不美觀；3、變壓器輸出電壓檔位少，不能滿足多晶硅打壓使用的要求；4、輸入側可控硅導通時，對輸出電壓的波形影響較大。(三)
技術實現思路
·本技術的目的在于設計一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，它可以克服現有技術存在的不足，是ー種結構簡單、運行可靠、性能高的多晶硅打壓用單相干式變流變壓器。本技術的技術方案一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于I個抽頭的低壓繞組以及不少于I個抽頭的高壓繞組構成；其中，所述每ー個低壓繞組輸入単元由隔離開關、熔斷器和雙向可控硅開關相互串聯組成；所述不少于I個抽頭的低壓繞組的一端與I個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個抽頭的低壓繞組以及帶2個抽頭的高壓繞組構成；其中，所述每ー個低壓繞組輸入單元由I個隔離開關、I個熔斷器和I組雙向可控硅開關相互串聯組成；所述低壓繞組的一端與I個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接，其3個抽頭分別與其它3個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入単元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。所述低壓繞組和高壓繞組是采用環氧樹脂澆注形式的繞組。所述靜電屏蔽層采用銅箔或者鋁箔。所述靜電屏蔽層通過下夾件接地。本技術的調壓方式①低壓繞組設置η個抽頭共η+1檔，每ー檔通過ー組包括雙向可控硅、熔斷器和隔離開關的低壓繞組単元與電源連接，接受外部電源發出的電壓信號；②高壓繞組設置m個抽頭共m+1檔使高壓輸出電壓的檔位增加m-Ι倍粗調時，閉合一路隔離開關，并使本支路雙向可控硅導通，本檔低壓繞組接通電源，對應的高壓繞組有m+1種電壓輸出；此時，低壓側η+1擋輸出，高壓側有(n+1)* (m+1)擋輸出；@細調時，在滿足步驟③的基礎上，通過控制低壓繞組輸入單元每ー支路的雙向可控硅的導通角，就可在粗調高壓側輸出電壓的基礎上，對每擋電壓進行調整，擴大了電壓的調整范圍。本技術的工作原理低壓繞組設置了 η個抽頭共η+1檔，每ー檔通過雙向可控硅控制，這樣可方便的通過調整低壓檔位來控制高壓的輸出電壓；高壓繞組設置了 m個抽頭共m+1檔，這樣通過調整低壓檔位使高壓輸出電壓的檔位變成(n+1) * (m+1)擋輸出，更容易滿足多晶硅打壓過程的エ藝要求；閉合隔離開關通過控制每一路雙向可控硅的通斷，可以很方便的控制高壓輸出電壓；通過控制低壓繞組輸入單元每ー支路的雙向可控硅的導通角，可在(n+1) * (m+1)種輸出電壓的基礎上對姆一種輸出電壓進行細調。本技術的優越性在于1、高、低壓繞組通過采用環氧樹脂澆注的形 式，使得防潮、防塵能力及抗突發短路增強；2、變壓器外觀美觀、緊湊；3、變壓器低壓繞組、高壓繞組均采用帶抽頭形式，通過調整低壓檔位使輸出電壓檔位増加一倍，可以滿足多晶硅打壓使用的要求；4、通過采用靜電屏蔽層，使高、低壓繞組互相隔離，形成兩個獨立系統，以消除靜電耦合作用，減緩了低壓側可控硅導通(換擋)時對高壓側輸出電壓的影響，增強了設備運行的可靠性。附圖說明圖I為本技術所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的電路結構示意圖。圖2是本技術所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的高壓側外形圖。圖3是本技術所涉ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器的側面外形圖。其中，I為隔離開關；2為熔斷器；3為雙向可控硅開關；4為低壓繞組，5為靜電屏蔽層；6為鐵芯；7為高壓繞組；8為高壓繞組抽頭；a為變流變壓器輸入端子；x為變流變壓器輸入端子；al為低壓繞組端子；a2、a3、a4為低壓繞組抽頭；A、X為變流變壓器輸出端子；Al、Xl為高壓繞組抽頭輸出端子。具體實施方式實施例一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器(見圖I、圖2)是由鐵芯6、4個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層5、帶抽頭a2、抽頭a3及抽頭a4的3個抽頭的低壓繞組4以及帶2個抽頭8的高壓繞組7構成；其中，所述每ー個低壓繞組輸入単元由I個隔離開關1、1個熔斷器2和I組雙向可控硅開關3相互串聯組成；所述低壓繞組4的一端端子al與I個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關3 —端連接；低壓繞組抽頭a2、低壓繞組抽頭a3、低壓繞組抽頭a4分別與其它3個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸入端子X，且低壓繞組輸入単元中的隔離開關I的輸入端連接變流變壓器輸入端子a以采集電壓信號；所述高壓繞組7的輸出端子A和輸出端子X輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層5繞在低壓繞組4外層，且一端接地。所述低壓繞組4和高壓繞組7 (見圖I、圖3)是采用環氧樹脂澆注形式的繞組。所述靜電屏蔽層5 (見圖I、圖3)采用銅箔。 所述靜電屏蔽層5 (見圖I、圖3)通過下夾件接地 。權利要求1.一種多晶硅打壓用単相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于I個抽頭的低壓繞組以及不少于I個抽頭的高壓繞組構成；其中，所述每ー個低壓繞組輸入単元由隔離開關、熔斷器和雙向可控硅開關相互串聯組成；所述不少于I個抽頭的低壓繞組的一端與I個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入単元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。2.根據權利要求I所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器是由鐵芯、4個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、帶3個抽頭的低壓繞組以及帶2個抽頭的高壓繞組構成；其中，所述每ー個低壓繞組輸入単元由I個隔離開關、I個熔斷器和I組雙向可控硅開關相互串聯組成；所述低壓繞組的一端與I個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接，其3個抽頭分別與其它3個低壓繞組輸入単元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入単元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。3.根據權利要求I或2所述ー種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于所述低壓繞組和高壓繞組是采用環氧樹脂澆注形式的繞組。4.根據權利要求I或2本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多晶硅打壓用單相干式變流變壓器，其特征在于它是由鐵芯、不少于2個的低壓繞組輸入單元、靜電屏蔽層、不少于1個抽頭的低壓繞組以及不少于1個抽頭的高壓繞組構成；其中，所述每一個低壓繞組輸入單元由隔離開關、熔斷器和雙向可控硅開關相互串聯組成；所述不少于1個抽頭的低壓繞組的一端與1個低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接，其抽頭分別與其它低壓繞組輸入單元中的雙向可控硅開關一端連接；所述低壓繞組的另一端連接變流變壓器輸出端子，且低壓繞組輸入單元中的隔離開關的輸入端連接變流變壓器輸入端子以采集電壓信號；所述高壓繞組的輸出端輸出電壓信號；所述靜電屏蔽層繞在低壓繞組外層，且一端接地。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙忠云，劉培欣，劉利艷，韓輝，周芳，余曉斌，李濤，劉政，
申請(專利權)人：天津天能變壓器有限公司，
類型：實用新型
國別省市：