帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括N1型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述N1型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與一個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。本實(shí)用新型專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于可將反向重復(fù)峰值電壓做到10～100V，且可實(shí)現(xiàn)快速告警，便于維護(hù)和處理。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種半導(dǎo)體放電管，尤其涉及一種低電壓半導(dǎo)體放電管。
技術(shù)介紹
半導(dǎo)體放電管，是ー種 過壓保護(hù)器件，是利用晶閘管原理制成的，依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導(dǎo)通放電，可以流過很大的浪涌電流或脈沖電流。其擊穿電壓的范圍，構(gòu)成了過壓保護(hù)的范圍。固體放電管使用時(shí)可直接跨接在被保護(hù)電路的兩端。半導(dǎo)體放電管被廣泛應(yīng)用于通訊交換設(shè)備中的程控交換機(jī)、電話機(jī)、傳真機(jī)、配線架、XDSL、通訊接ロ、通訊發(fā)射設(shè)備等一切需要防雷保護(hù)的領(lǐng)域，以保護(hù)其內(nèi)部的IC免受瞬間過電壓的沖擊和破壞。在當(dāng)今世界微電子及通訊設(shè)備高速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體放電管已成為世界通訊設(shè)備的首選器件。現(xiàn)階段，國內(nèi)大部分半導(dǎo)體放電管的反向重復(fù)峰值電壓在200 400V，雖然通過離子注入方式，可以把電壓做到100V 200V，但是用常規(guī)的半導(dǎo)體放電管對于常用的24V，36V，48V，60V的信號線無法起到有效的保護(hù)。同時(shí)，常規(guī)放電管并不具有告警功能，不便于維護(hù)人員及時(shí)處理。此外，沒有外圍沒有保護(hù)裝置，其還容易經(jīng)常損壞。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種可將反向重復(fù)峰值電壓做到10 100V，且可實(shí)現(xiàn)快速告警且使用壽命更長的新型半導(dǎo)體放電管。本技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體放電管，包括ー個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。作為優(yōu)選，所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第ー電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。采用上述技術(shù)方案，使得本技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)本技術(shù)先在NI型襯底的正面和背面增設(shè)N2擴(kuò)散區(qū)，然后在N2擴(kuò)散區(qū)中形成正面P擴(kuò)散區(qū)和背面P擴(kuò)散區(qū)，以及形成正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)，通過這樣ー個(gè)特殊的PN結(jié)擴(kuò)散區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而使得反向重復(fù)峰值電壓做到10 100V。同時(shí)設(shè)計(jì)串接了ー個(gè)告警裝置，有助于維護(hù)人員及時(shí)發(fā)現(xiàn)和處理，提高放電管的可靠性。在其外圍加裝ー個(gè)保護(hù)套管，可以進(jìn)一歩避免其在外部壓カ下?lián)p壞，延長使用壽命。以下結(jié)合附圖對本技術(shù)作進(jìn)ー步詳細(xì)說明圖I為本技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)半導(dǎo)體放電管制造エ藝過程的平面圖；其中I.放電管本體；2.告警信號發(fā)生裝置；3.保護(hù)套管。具體實(shí)施方式如圖I和2所示，一種半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第一電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。需要指出的是，上述實(shí)施例雖對本技術(shù)作了比較詳細(xì)的文字描述，但這些文字描述只是對本技術(shù)設(shè)計(jì)思路的簡單描述，而不是對本技術(shù)思路的限制。任何不超過本技術(shù)設(shè)計(jì)思路的組合、増加或修改，均落入本技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.ー種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，其特征在于，所述放電管本體包括NI型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述NI型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與ー個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，其特征在于所述的取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路由第一電阻、第二電阻、第二電阻、第一晶體三極管、第二晶體三極管、可控硅觸發(fā)器和發(fā)光二極管連接構(gòu)成；第一電阻一端、第二電阻一端連接兩半導(dǎo)體放電管的串接點(diǎn)，第二電阻另一端連接第一晶體三極管的基極和第二晶體三極管的發(fā)射極，第一電阻的另一端、第三電阻的一端及可控硅觸發(fā)器的陽極接地端，第三電阻的另一端連接第一晶體三極管的發(fā)射極及第ニ晶體三極管的基極，第一晶體三極管的集電極與第二晶體三極管的集電極連接可控硅觸發(fā)器的觸發(fā)極，可控硅觸發(fā)器的陰極連接發(fā)光二極管陽極，發(fā)光二極管的陰極及地端連接所述電信設(shè)備的告警系統(tǒng)。專利摘要本技術(shù)公開了一種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，所述放電管本體包括N1型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述N1型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與一個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于可將反向重復(fù)峰值電壓做到10～100V，且可實(shí)現(xiàn)快速告警，便于維護(hù)和處理。文檔編號H02H9/04GK202633317SQ20122026946公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月8日專利技術(shù)者張小平 申請人:江蘇晟芯微電子有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種帶保護(hù)套的半導(dǎo)體放電管，包括一個(gè)放電管本體，其特征在于，所述放電管本體包括N1型襯底、正面P擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)、正面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)、背面P擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)和設(shè)于所述N1型襯底的正面和背面的N2擴(kuò)散區(qū)，所述放電管本體還與一個(gè)由取樣電路、放大電路、觸發(fā)電路、告警電路順序連接構(gòu)成的告警信號發(fā)生裝置相連接，在所述放電管本體和告警信號發(fā)生裝置外圍還套有一保護(hù)套管。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張小平，
申請(專利權(quán))人：江蘇晟芯微電子有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：