便于打線的LED芯片制造技術

本實用新型專利技術揭示了一種便于打線的LED芯片，該LED芯片包括：襯底；外延層，所述外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，所述第一電極制備區上具有第一電極粗化區，所述第二電極制備區上具有第二電極粗化區；第一電極，所述第一電極設置于所述第一電極制備區上；第二電極，所述第二電極設置于所述第二電極制備區上。本實用新型專利技術制備的LED芯片解決了電極與外延層的黏附性差，電極易脫落和打線困難等問題，提高了打線成功的概率。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及發光二級管(LED)制造領域，特別是涉及一種便于打線的LED芯片。
技術介紹
自從20世紀90年代初氮化鎵基LED商業化以來，LED的應用領域得到迅速的擴大，擴大的市場又不斷對LED提出新的技術要求，促使LED的結構向更完善、更成熟的方向發展。近年來國內LED企業在政府的鼓勵扶持下，通過北京奧運會、上海世博會、廣州亞運會、深圳大運會和“十城萬盞”等又獲得了進一步的發展。隨著圖形化藍寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate,簡稱PSS)的引入及外延層半導體材料外延生長技術的不斷改進，外延層半導體材料的晶體質量得到了很大的提高，從而降低了由于晶格缺陷及材料吸收造成的光能損失，而且減少了由于界面全反射造成的光能損失，大大提高了 LED芯片的外量子效率，滿足了現階段景觀照明和通用照明對LED芯片亮度的需求。然而外延層半導體材料的晶體質量的提高，使得晶格缺陷的減少，從而大大降低了外延層上表面的粗糙度，降低了電極與外延層的黏附性，造成電極脫落和打線困難等異常現象。因此，如何提高電極與外延層的黏附性，解決電極脫落和打線困難等問題，已成為本領域技術人員需要解決的問題。
技術實現思路
本技術的目的在于，提供一種便于打線的LED芯片，以解決現有的電極與外延層的黏附性差，電極易脫落和打線困難等問題，提高了打線成功的概率。為解決上述技術問題，本技術提供一種便于打線的LED芯片，包括襯底；外延層，所述外延層設置于所述襯底上，所述外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，所述第一電極制備區和所述第二電極制備區彼此獨立，所述第一電極制備區內具有第一電極粗化區，所述第二電極制備區內具有第二電極粗化區；第一電極，所述第一電極設置于所述第一電極制備區上；以及第二電極，所述第二電極設置于所述第二電極制備區上。進一步的，所述襯底為圖形化襯底或非圖形化襯底。進一步的，所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、氧化鎂或氧化鋅。進一步的，所述外延層包括自上至下依次層疊設置的第一限制層、發光外延層和第二限制層，所述第一電極制備區位于所述第一限制層上，所述第二限制層包括第一區域和第二區域，所述發光外延層和第二限制層位于所述第一區域上，所述第二電極制備區位于所述第二區域內。進一步的，所述外延層上還具有透明導電層，所述透明導電層位于所述第一限制層上，所述透明導電層露出部分所述第一電極制備區，露出部分的第一電極制備區中包括第一電極粗化區。進一步的，所述第一電極粗化區的面積小于等于所述第一電極制備區的面積，所述第二電極粗化區的面積小于等于所述第二電極制備區的面積。進一步的，所述第一電極粗化區和所述第二電極 粗化區均具有納米圖案，所述納米圖案的長、寬、高以及相鄰納米圖案之間的間距均在IOnm 200nm之間。進一步的，所述納米圖案為無序排列。進一步的，所述第一電極和所述第二電極的上表面均具有粗糙表面。進一步的，所述第一電極和第二電極均包括自下至上依次層疊的歐姆接觸層、過渡層及主電極層。進一步的，所述主電極層的材料為金屬鋁，厚度為IO2人 IO5A,,進一步的，在所述外延層、第一電極以及第二電極上還設置有鈍化保護膜，所述鈍化保護膜覆蓋所述第一電極的邊緣并露出第一電極的中間區域，所述鈍化保護膜覆蓋所述第二電極的邊緣并露出第二電極的中間區域。與現有技術相比，本技術提供的便于打線的LED芯片具有以下優點I、本技術所述的便于打線的LED芯片，該種便于打線的LED芯片的外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，對第一電極制備區進行粗化形成第一電極粗化區，并對第二電極制備區進行粗化形成第二電極粗化區，第一電極粗化區和第二電極粗化區具有不規則納米圖案，使得第一電極制備區和第二電極制備區表面具有粗糙表面，所以提高了外延層上第一電極制備區和第二電極制備區的表面黏附性，當在外延層上的第一電極制備區上制備第一電極，和當在外延層上的第二電極制備區上制備第二電極時，增大了第一電極和第二電極與外延層表面連接的牢固程度，從而降低了第一電極和第二電極脫落的概率，解決了電極易脫落的問題；同時，第一電極粗化區的面積小于第一電極制備區的面積，第二電極粗化區的面積小于第二電極制備區的面積，第一電極制備區和第二電極制備區還具有未粗化的表面，有利于外延層與第一電極和第二電極之間的導電聯通；另外，鈍化保護膜覆蓋第一電極和第二電極的邊緣又進一步加固了第一電極和外延層之間及第二電極和外延層之間連接。2、本技術所述的便于打線的LED芯片，該種便于打線的LED芯片的外延層的第一電極制備區上具有第一電極粗化區，第一電極粗化區具有不規則納米圖案，當在第一電極制備區上制備第一電極時，由于第一電極粗化區的存在使得第一電極的上表面具有納米量級的粗糙度，從而增加了第一電極與打線金球之間的黏附性及黏結速率，同理，第二電極與打線金球之間的黏附性及黏結速率得到提高，所以提高了打線成功的概率，進而解決了打線困難的問題。3、本技術所述的便于打線的LED芯片，該種便于打線的LED芯片的外延層表面、第一電極表面及第二電極表面都具有納米量級的粗糙度，增加了界面上光的漫反射作用，提高了光的提取率，所以該種便于打線的LED芯片的亮度得到提升。附圖說明圖I為本技術一實施例的便于打線的LED芯片的截面圖；圖2為本技術一實施例的便于打線的LED芯片及其制備方法的流程圖；圖3a-圖3c為本技術一實施例的便于打線的LED芯片及其制備方法的工藝步驟的示意圖。具體實施方式下面將結合示意圖對本技術的便于打線的LED芯片進行更詳細的描述，其中表示了本技術的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本技術，而仍然實現本技術的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本技術的限制。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本技術。根據下面說明和權利要求書，本技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本技術實施例的目的。本技術的核心思想在于，本技術提供一種便于打線的LED芯片，該便于打線的LED芯片的外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，對第一電極制備區進行粗化形成第一電極粗化區，并對第二電極制備區進行粗化形成第二電極粗化區，第一電極粗化區和第二電極粗化區具有不規則納米圖案，在第一電極制備區上制備第一電極，提高了外延層與第一電極的黏附性，同理，外延層與第二電極的黏附性提高，在第一電極制備區上制備的第一電極具有粗糙表面，增加了第一電極與打線金球之間的黏附性及黏結速率，同理，第一電極與打線金球之間的黏附性及黏結速率提高，從而解決了第一電極和第二電極易脫落和打線困難的問題，提高了打線成功的概率。結合上述核心思想，本技術提供一種便于打線的LED芯片，包括襯底；外延層，所述外延層設置于所述襯底上，所述外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，所述第一電極制備區和所述第二電極制備區彼此獨立，所述第一電極制備區內具有第一電極粗化區，所述第二電極制備區內具有第二電極粗化區；第一電極，所述第一電極設置于所述第一電極制備區上；第二電極，所述第二電極設本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種便于打線的LED芯片，包括：襯底；外延層，所述外延層設置于所述襯底上，所述外延層具有第一電極制備區和第二電極制備區，所述第一電極制備區和所述第二電極制備區彼此獨立，所述第一電極制備區內具有第一電極粗化區，所述第二電極制備區內具有第二電極粗化區；第一電極，所述第一電極設置于所述第一電極制備區上；以及第二電極，所述第二電極設置于所述第二電極制備區上。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：丁海生，李東昇，馬新剛，江忠永，張昊翔，王洋，李超，
申請(專利權)人：杭州士蘭明芯科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：